MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA.

Módulo semiconductor de potencia, dotado de un cuerpo envolvente (12) en el que están dispuestos elementos de conexión de carga (16) que tienen dispositivos de contacto (17) dispuestos en cavidades (26) del cuerpo envolvente (12),

cuyas cavidades están constituidas en una pared lateral asociada (28) del cuerpo envolvente (12), poseyendo además un tapa (14) que cierra el cuerpo envolvente (12), caracterizado porque el cuerpo envolvente (12) está realizado de forma integral por su parte superior con un marco de estanqueidad periférico (22) y la tapa (14) está dotada de un borde externo (24) que se acopla sobre el marco de estanqueidad periférico (22) y, caracterizado porque la correspondiente cavidad (26) del cuerpo envolvente tiene en su borde interno (30) un nervio de estanqueidad (34) que forma una sección del marco de estanqueidad (22) y porque el elemento de conexión de carga asociado (16) está dotado de un acodamiento (36) que está curvado alrededor del nervio de estanqueidad (34), a cuyo acodamiento está conectado el dispositivo de contacto correspondiente (17).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: PATENTABTEILUNG SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.

Inventor/es: LEDERER,MARCO, POPP,RAINER.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 19 de Enero de 2008.

Fecha Concesión Europea: 17 de Junio de 2009.

Clasificación PCT:

  • H01L25/07 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA.

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