MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON MECANISMO DE CONTACTO.
Módulo semiconductor de potencia (1) con por lo menos un material de base (5),
dispuesto sobre éste por lo menos un componente semiconductor de potencia (60), una caja (3) y un elemento de conexión de carga que conduce hacia afuera (4), de modo que el material de base (5) presenta un cuerpo de material aislante (52) y sobre su primera superficie principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de potencia hay dispuestos circuitos impresos (54) con potencial de carga, de forma que los elementos de conexión de carga (4) están formados como un primer cuerpo moldeado de metal con por lo menos un mecanismo de contacto (40) con la superficie de contacto (42) para la unión eléctrica externa con un dispositivo de conexión (82) de una entrada de corriente (8), y de forma que entre el dispositivo de conexión (82) del conductor externo (8) y los mecanismos de contacto (40) del elemento de conexión de carga (4) está dispuesto un segundo cuerpo moldeado de metal (70), de modo que el giro del segundo cuerpo moldeado de metal (70) sobre su eje vertical no es posible, o muy reducido, de 10 grados como máximo, y donde la unión entre el dispositivo de conexión (82) del conductor externo (8) y el mecanismo de contacto (40) del elemento de conexión de carga (4) está formada mediante un tornillo (90) y el alojamiento de la rosca correspondiente (34) se encuentra en una escotadura (32) de la caja y está distanciada de la cara inferior (44) del mecanismo de contacto (40).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.
Inventor/es: LEDERER,MARCO, POPP,RAINER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 31 de Enero de 2007.
Fecha Concesión Europea: 15 de Octubre de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L23/373 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Refrigeración facilitada por el empleo de materiales particulares para el dispositivo.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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