MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON CONTACTO A PRESION.
Módulo de semiconductores de potencia, compuesto de una carcasa,
un sustrato cerámico 2, áreas de contacto 3 configuradas y electroconductoras dispuestas sobre dicho sustrato cerámico conforme al circuito, componentes 8 dispuestos sobre dicho sustrato cerámico, contactados por medio de una placa flexible 9 dispuesta como mínimo en parte por encima de su primera superficie principal dotada de circuitos impresos y áreas de contacto, conectando esta placa flexible 9 de circuitos impresos, los componentes 8 entre sí, conforme al circuito y/o con las áreas de contacto 3 del sustrato 2, estableciendo así la placa flexible de circuitos impresos 9 la conexión eléctrica del módulo conforme al circuito y/o que establece la conexión conforme al circuito a las áreas de contacto 6 de cómo mínimo una placa de circuitos impresos externa 5, así como de un contacto a presión compuesto de un acumulador flexible de presión 10 y una placa de presión 11 generadora de la presión y conexiones de potencia y de control, caracterizado porque para aislar entre sí los componentes 8, se incorpora un material aislante flexible 20 y se establece el contacto de la placa flexible de circuitos impresos 9 con los componentes 8 por medio de botones nodulares 21, de tal forma que se establece una conexión electroconductora segura al aplicar presión por medio del contacto a presión.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH, PATENTABTELUNG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200, P.O.BOX 820 251,90253 NURNBERG.
Inventor/es: HEILBRONNER,HEINRICH,DR.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 12 de Abril de 2002.
Fecha Concesión Europea: 9 de Enero de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L23/051 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › estando constituida otra conexión por la cubierta paralela a la base, p. ej. de tipo "sandwich".
- H01L23/48 H01L 23/00 […] › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.
- H01L23/52 H01L 23/00 […] › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro.
- H01L25/07 H01L […] › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.
- H01L25/18 H01L 25/00 […] › siendo los dispositivos de tipos previstos en varios subgrupos diferentes del mismo grupo principal de los grupos H01L 27/00 - H01L 51/00.
- H05K1/14 H […] › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENCAPSULADOS O DETALLES DE LA CONSTRUCCIÓN DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS. › H05K 1/00 Circuitos impresos. › Asociación estructural de varios circuitos impresos (medios de conexión eléctrica de circuitos con o entre circuitos impresos H05K 1/11, H01R 12/00).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
Patentes similares o relacionadas:
Sistemas y métodos microelectromecánicos para encapsular y fabricar los mismos, del 4 de Diciembre de 2019, de ROBERT BOSCH GMBH: Un método para fabricar un dispositivo electromecánico que tiene estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, un contacto eléctrico y regiones (22a, 22b) de campo, todas […]
Dispositivo de visualización, del 25 de Mayo de 2016, de SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.: Un dispositivo de visualización que comprende un sustrato con una matriz de píxeles sobre el sustrato, electrodos de fila, electrodos de columna […]
Almacenamiento de datos y estructuras apilables, del 18 de Septiembre de 2013, de MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED: Un sistema que comprende una pila incluyendo: un primer dispositivo de memoria ; un segundo dispositivo de memoria […]
Vía de interconexión de baja resistencia a través de una oblea, del 7 de Agosto de 2012, de AAC MICROTEC AB: Una oblea que comprende una vía de interconexión a través de la oblea desde una cara superior hasta una cara inferior de la […]
DETERMINACION DE MASA PARA CONTROLES AUTOMATICOS DE PUERTA CORREDIZA Y LEVADIZA., del 16 de Abril de 2007, de INFINEON TECHNOLOGIES AG: Procedimiento para configurar una unidad de control de puerta de un sistema de puerta , moviéndose el sistema de puerta por medio de un dispositivo de accionamiento […]
PROCEDIMIENTO PARA LA CONEXION ELECTRICA DE MICROCHIPS DE TRANSISTOR IGBT MONTADO SOBRE UNA PLAQUETA DE CIRCUITOS INTEGRADOS., del 16 de Julio de 2006, de ALSTOM HOLDINGS: La conexión de un transistor bipolar de puerta aislada a un circuito integrado comprende la preparación y soldadura de los electrodos para unir […]
PROCEDIMIENTO DE MORDENTADO Y DISPOSITIVO PARA LA LIMPIEZA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES, EN ESPECIAL DIODOS DE POTENCIA., del 1 de Enero de 1999, de ROBERT BOSCH GMBH: SE PROPONE UN PROCESO DE GRABADO DE ATAQUE ACIDO CON CHORRO DE PLASMA PARA LIMPIEZA DE UNIONES P-N EXPUESTAS LATERALMENTE EN COMPONENTES DE SEMICONDUCTOR, […]
PROCEDIMIENTO DE MANDO DEL ESTADO DE CONDUCCION DE UN TRANSISTOR MOS Y UN CIRCUITO INTEGRADO QUE PONE EN OPERACION DICHO PROCEDIMIENTO., del 1 de Abril de 1997, de BULL S.A.: EL ESTADO DE CONDUCCION DE UN TRANSISTOR MOS 11 ESTA GOBERNADO DEFINITIVAMENTE POR UN HAZ LASER 21 FORMANDO ENTRE LA REJILLA 16 Y LA PARTE SUBYACENTE […]