MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON CAPA INTERMEDIA AISLANTE Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.
Módulo semiconductor de potencia (1) con una caja (3) con elementos de conexión (42,
44) dirigidos hacia fuera, con por lo menos un material de base (5) aislado eléctricamente y dispuesto dentro de la caja (3), que consta por lo menos de un cuerpo de material aislante (54) y sobre la primera superficie principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de potencia se encuentran varias pistas de unión metálicas (52) aisladas eléctricamente entre sí y con por lo menos un elemento semiconductor de potencia (70) dispuesto sobre una de dichas pistas de unión, con por lo menos un elemento de unión (40) y por lo menos un cuerpo moldeado aislante (80) extraordinariamente dúctil, que en estado no deformado presenta un grosor igual al del componente semiconductor de potencia (70) que debe envolverse y que entre el cuerpo moldeado aislante (80) y el componente semiconductor de potencia (70) envuelto por éste se forma una ranura, de modo que se forma por lo menos una unión entre un elemento semiconductor de potencia (70) y un elemento de unión (40), o bien entre el componente semiconductor de potencia (70) y la tira de unión (52) como unión por sinterización a presión, de modo que el cuerpo moldeado aislante (80) se encuentra dispuesto de tal manera que en su forma original se deforma mediante presión y se amolda completamente a los márgenes de por lo menos un componente semiconductor de potencia (70) asignado, envolviéndolo.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG PATENTABTEILUNG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.
Inventor/es: HEILBRONNER,HEINRICH,DR, KOBOLLA,HARALD,DR.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 4 de Octubre de 2006.
Fecha Concesión Europea: 17 de Septiembre de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L23/373 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Refrigeración facilitada por el empleo de materiales particulares para el dispositivo.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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