MODULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON CUERPO DE PRESION.

Un módulo de semiconductor de potencia (1) en un diseño de contacto por presión que comprende por lo menos un sustrato (5),

componentes del semiconductor de potencia (60) dispuestos sobre el mismo, un alojamiento (3) y elementos de conexión de la carga dirigidos hacia fuera (40, 42, 44) y que comprenden un dispositivo de presión (70) con por lo menos un cuerpo de presión (80), en el que el sustrato (5) comprende trayectorias conductoras (54) al potencial de la carga dispuestas sobre una primera superficie principal del mismo, encaradas al interior del módulo de semiconductor de potencia, caracterizado porque un primer elemento de conexión de la carga (40) y por lo menos uno adicional (42, 44) están cada uno de ellos configurados como cuerpos conformados de metal provistos de una primera sección en forma de tira (402, 422, 442) y patas de contacto (400, 420, 440) que emanan de la misma, la respectiva sección en forma de tira (402, 422, 442) está dispuesta paralela a la superficie del sustrato y a una distancia del mismo y las patas de contacto (400, 420, 440) se extienden desde la sección en forma de tira (402, 422, 442) hasta el sustrato (5) y entran en contacto con éste de una manera apropiada para el circuito, y porque por lo menos un cuerpo de presión (80) está dispuesto entre el dispositivo de presión (70) y un elemento de conexión de la carga adicional (42, 44), en el que una pieza de este cuerpo de presión (80) se extiende a través del primer elemento de conexión de la carga (40) y produce presión sobre un punto de recepción de la presión (424, 444) del elemento de conexión de la carga adicional asignado (42, 44).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: PATENTABTEILUNG SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.

Inventor/es: HAGER, LUDWIG, MOSER,HERWIG.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 19 de Enero de 2008.

Fecha Concesión Europea: 6 de Mayo de 2009.

Clasificación PCT:

  • H01L25/07 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

MODULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON CUERPO DE PRESION.

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