MEMORIA DE SEMICONDUCTORES CON REPARACION DE FILAS SEGMENTADAS.

Un dispositivo de memoria que comprende: un primer banco de memoria que incluye una pluralidad de bloques de memoria (30) dispuestos en bandas horizontales y verticales,

estando cada una de dichas bandas horizontales de bloques de memoria dividida en una pluralidad de segmentos, incluyendo cada una de dicha pluralidad de bloques de memoria una pluralidad de filas de celdas de memoria principales y al menos una fila de celdas de memoria redundantes, comprendiendo dicho segmento una porción de una sola fila de celdas de memoria principales; una pluralidad de líneas de palabra (WL) para acceder a dichas celdas de memoria principales y redundantes de dichos bloques de memoria, siendo cada una de dicha pluralidad de líneas de palabra controlada por un controlador respectivo de una pluralidad de controladores (34); caracterizado por un conjunto (82) de circuitos para inhabilitar de forma selectiva un respectivo controlador para una línea de palabra asociada con una fila de celdas principales en el cual una celda de memoria defectuosa está situada en uno de dichos segmentos y posibilitar que un controlador respectivo para una línea de palabra asociada con una fila de celdas de memoria redundantes sustituya una porción de dicha fila de celdas de memoria principales existentes en solo dicho un segmento en el cual dicha celda de memoria defectuosa está situada por una porción de dicha fila de celdas de memoria redundantes.