MEJORAS RELACIONADAS CON DISPOSITIVO LASER DE SEMICONDUCTOR.
Dispositivo láser de semiconductor (10, 10a) comprendiendo: Un substrato (80,
80a) que está formado de una primera capa de revestimiento (60, 60a), un núcleo o capa de guía (55, 55a) y una segunda capa de revestimiento (65, 65a), el núcleo o capa de guía (55, 55a) comprendiendo un material de emisión láser activo; un guía de ondas ópticas (15, 15a) que asegura el confinamiento óptico lateral y que se extiende longitudinalmente desde un primer extremo (71, 71a) del dispositivo hasta una posición intermedia (75, 75a) entre la primera extremidad (71, 71a) y la segunda extremidad (76, 76a) del dispositivo (10, 10a); una zona ópticamente activa (40, 40a) dispuesta en el núcleo o capa de guía (55, 55a) debajo y/o dentro del guía de ondas ópticas (15, 15a); una primera zona ópticamente pasiva (45, 45a) dispuesta en el núcleo o capa de guía (55, 55a) que se extiende desde la posición intermedia (75, 75a) hasta la segunda extremidad (76, 76a) del dispositivo (10, 10a), la cual es más ancha que el guía de ondas ópticas (15, 15a), de forma que cuando está funcionando una salida óptica que proviene del guía de ondas se difracta al cruzar la primera zona ópticamente pasiva.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: GILBERT SCOTT BUILDING, UNIVERSITY AVENUE,GLASGOW G12 8QQ.
Inventor/es: HAMILTON, CRAIG JAMES, MARSH, JOHN HAIG.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 23 de Enero de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S5/16 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Láseres del tipo de ventanas, p. ej. con una región de material no absorbente entre la región activa y la superficie reflectora (H01S 5/14 tiene prioridad).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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