MEJORAS A LA PATENTE PRINCIPAL N. P200701577 POR" PLANTA DE CONCENTRACIÓN SOLAR PARA PRODUCCIÓN DE VAPOR SOBRECALENTADO.".

Mejoras a la patente principal nº P 200701577 por: Planta de concentración solar para producción de vapor sobrecalentado. La presente invención se refiere a una mejora introducida la patente principal nº P 200701577 en la que se divulga una planta de concentración solar con separación física del evaporador y el sobrecalentador y con control dinámico adaptativo del campo de heliostatos. Antecedentes de la invención Si bien la radiación solar es una fuente térmica de elevada temperatura y elevada energía en origen, la utilización de la misma en las condiciones del flujo que llega a la superficie terrestre destruye prácticamente todo su potencial de convertirse en trabajo, por la drástica reducción de la temperatura disponible en el fluido. Por esta razón, se hace uso en las centrales solares termoeléctricas (CST), de sistemas de concentración óptica, que permiten lograr mayores densidades de flujo y con ello temperaturas más elevadas. En la actualidad existen principalmente tres tecnologías diferentes desarrolladas para su uso en Plantas Solares denominadas: de receptor central, colectores cilindro-parabólicos y discos Stirling. Todas ellas hacen uso solamente de la componente directa de la radiación solar, lo que les obliga a tener dispositivos de seguimiento solar: 1. Los sistemas de receptor central (3D) utilizan espejos de gran superficie (40-125 m 2 por unidad) denominados heliostatos, que están dotados de un sistema de control para reflejar la radiación solar directa sobre un receptor central situado en la parte superior de una torre. En esta tecnología, la radiación solar concentrada calienta en el receptor un fluido a temperaturas de hasta 1000ºC, cuya energía térmica puede después utilizarse para la generación de electricidad. 2. En los colectores cilindro-parabólicos (2D), la radiación solar directa es reflejada por espejos cilindro-parabólicos que la concentran en un tubo receptor o absorbedor por el que circula un fluido que se calienta como consecuencia de la radiación solar concentrada que incide sobre él a temperaturas máximas de 400ºC. De este modo, la radiación solar es convertida en energía térmica que se utiliza posteriormente para generar electricidad mediante un ciclo Rankine de agua/vapor. Una variación de esta tecnología son los sistemas lineales de concentración fresnel, en los que el espejo parabólico se sustituye por una discretización fresnel con espejos de menores dimensiones que pueden ser ya planos o disponer de una leve curvatura en su eje axial, y que mediante el control de su orientación axial permiten concentrar radiación solar sobre el tubo absorbedor, que en este tipo de aplicaciones suele permanecer fijo. 3. Los sistemas de discos parabólicos Stirling (3D) utilizan una superficie de espejos montados sobre una parábola de revolución que reflejan y concentran los rayos del Sol en un foco puntual, donde se sitúa el receptor en el que se calienta el fluido de trabajo de un motor Stirling que, a su vez, acciona un pequeño generador eléctrico. En los sistemas de receptor central la tecnología agua-vapor es actualmente la más convencional. El vapor es producido y sobrecalentado en el receptor solar a temperaturas de unos 500ºC y 10 MPa (100 bar) y enviado directamente a la turbina. Para reducir el impacto de los transitorios (paso de nubes etc.) se utiliza un sistema de almacenamiento (sales fundidas o una termoclina aceite/rocas). Este concepto fue el primero en ser probado por permitir la transposición de las técnicas habituales de las centrales térmicas y permitir el acceso directo del vapor que sale del receptor solar a la turbina. El uso de vapor sobrecalentado puede permitir la implementación de ciclos termodinámicos de mayor eficiencia en las plantas. La dificultad de la tecnológica solar para la producción de vapor sobrecalentado radica en las exigentes condiciones de temperatura a las que se hace trabajar el receptor. Las paredes de sus tubos se someten a ciclos térmicos de forma continuada entre la temperatura ambiente, la temperatura del vapor con que se alimenta este receptor, (250 a 310ºC), y la temperatura necesaria en pared para la generación de vapor sobrecalentado a 540ºC próxima a 600ºC. A diferencia de los receptores generadores de vapor saturado que trabajan a una temperatura casi común para todas sus partes (330ºC), los receptores de vapor sobrecalentado incrementan la temperatura de sus tubos conforme mayor es la proximidad a la zona de salida de vapor. Las Dificultades encontradas en las experiencias de los años 80, en los receptores de vapor sobrecalentado se centraron principalmente en dos aspectos: Falta de controlabilidad del sistema especialmente ante transitorios, paso de nubes etc. debido principalmente a las malas propiedades térmicas del vapor sobrecalentado. En ambos receptores el fallo estructural más frecuente fue la aparición de grietas. La tensión térmica debida a las grandes diferencias de temperatura provocó la aparición de grietas en la soldadura intersticial entre subpaneles. Esta situación se daba fundamentalmente en 2 ES 2 360 992 A1 las paradas, cuando el agua en un subpanel, a la temperatura de saturación, fluía hacia la parte superior, donde la temperatura era todavía la del vapor sobrecalentado, mientras que en el subpanel adyacente no se daba este fenómeno. Problema de trabajar a altas presiones, lo cual exige espesores de pared de tubo mayores, que a la hora de transferir altas densidades de potencia, al fluido caloportador, implica necesariamente altos gradientes térmicos. La invención que divulga la patente principal P200701577, en relación a otras propuestas anteriores que ubicaban los módulos del receptor sobrecalentador físicamente muy próximos (cuando no superpuestos) a los módulos del receptor evaporador, se basa en separar de forma físicamente independiente evaporador y sobrecalentador. El hecho de separar la etapa de evaporación de la de sobrecalentamiento reduce el riesgo tecnológico ya que al no existir cambio de fase en el mismo receptor, tampoco existen los problemas de altos gradientes térmicos derivados de los diferentes coeficientes de película de ambas fases. Además de separar de manera físicamente independiente evaporador y sobrecalentador mediante la incursión de un calderín intermedio, incluye el hecho de llevar acabo un control de estrategias de apunte del campo de heliostatos independiente para ambos subsistemas, subsistema evaporador y subsistema sobrecalentador. Esta estrategia de control consiste en un control dinámico adaptativo del campo de heliostatos, con el fin de que tras su aporte de energía se consigan mantener estables las condiciones de presión y temperatura óptimas para la entrada en la turbina. Para ello el campo de heliostatos se apunta a uno u otro receptor (evaporador o sobrecalentador) dependiendo de las necesidades existentes. De esta manera parte del campo de heliostatos se enfocará al evaporador y otra parte al sobrecalentador, consiguiendo así un mayor control de la planta y una mayor estabilidad en ésta. Descripción de la invención La presente invención se refiere a mejoras introducidas en la patente principal P200701577, que divulga la utilización como fluido caloportador agua/vapor para la obtención de vapor sobrecalentado en cualquier ciclo termodinámico o sistema de aprovechamiento de calor de proceso, que comprende un subsistema evaporador dónde se produce vapor saturado en las condiciones de presión del sistema y un subsistema sobrecalentador a partir del cual el vapor alcanza las condiciones de presión y temperatura requeridas a la entrada de la turbina. Para conseguir un control mas preciso de las condiciones de vapor sobrecalentado en presión y temperatura a la salida del subsistema sobrecalentador, la presente adición a la patente principal P200701577 propone añadir, a la planta y procedimiento de obtención de calor sobrecalentado, una serie de atemperadores o un sistema de atemperación entre el sobrecalentador primario y el sobrecalentador secundario o final en plantas solares compuestas por un sistema de concentración solar tridimensional con una torre central que incluye: a) Un subsistema receptor de evaporación con un evaporador para la evaporación de agua. b) Un subsistema receptor de sobrecalentamiento con varios sobrecalentadores (primario y secundario o final) para el sobrecalentamiento del vapor producido, situados en la misma o en distintas cavidades y situados físicamente de forma independiente respecto a los evaporadores. c) Un calderín a modo de conexión entre los dos subsistemas de evaporación y de sobrecalentamiento. d) Un control de estrategias de apunte del campo de heliostatos hacia los receptores evaporadores y receptores sobrecalentadores. La estrategia de control consiste en un control dinámico adaptativo del campo de heliostatos, con el fin...

1. Planta de concentración solar que utiliza como fluido caloportador agua/vapor, y que cuenta con dos subsistemas receptores, uno de evaporación (4) y otro de sobrecalentamiento (6, 7), situados físicamente de forma independiente, que incluye entre ambos un calderín (5) a modo de conexión entre los dos subsistemas y un control de estrategias de apunte del campo de heliostatos (1) independiente para ambos subsistemas caracterizada por tener un subsistema sobrecalentador con dos o mas sobrecalentadores, con un sistema de atemperación (10) intermedio con el fin de controlar la temperatura del vapor a la salida del sobrecalentador final. 2. Planta de concentración solar según reivindicación 1 caracterizada por encontrarse los dos subsistemas de evaporación y sobrecalentamiento en cavidades diferentes. 3. Planta de concentración solar según reivindicación 1 caracterizado por encontrarse los dos subsistemas de evaporación y sobrecalentamiento en una única cavidad. 4. Procedimiento de obtención de vapor sobrecalentado caracterizado por consistir en sobrecalentar agua/vapor a través de un sistema de concentración solar tridimensional en una torre central (2) que incluye: a) Un subsistema receptor de evaporación. b) Un subsistemas receptor de sobrecalentamiento con dos o mas sobrecalentadores (6, 7) para el sobrecalentamiento del vapor producido, situados físicamente de forma independiente respecto al subsistema evaporador. c) Un calderín (5) a modo de conexión entre los dos subsistemas de evaporación y de sobrecalentamiento. d) Un control de estrategias de apunte del campo de heliostatos (1) a uno u otro subsistema (evaporador o sobrecalentador) con un apunte de los heliostatos individual o por grupos, de manera que controlen conjuntamente tanto la presión del calderín (5) como la temperatura de salida del vapor sobrecalentado (11). e) Sistema de atemperación (10) entre el sobrecalentador primario (6) y el sobrecalentador secundario o final (7). 5. Procedimiento de obtención de vapor sobrecalentado según reivindicación 4 caracterizado por encontrarse los dos subsistemas de evaporación y sobrecalentamiento en cavidades diferentes. 6. Procedimiento de obtención de vapor sobrecalentado según reivindicación 4 caracterizado por encontrarse los dos subsistemas de evaporación y sobrecalentamiento en una única cavidad. 7. Uso de vapor sobrecalentado obtenido a partir del procedimiento descrito en la reivindicación 4, para la producción de electricidad, calor de proceso, y combustibles solares, así como en los procesos térmicos. 6 ES 2 360 992 A1 7 ES 2 360 992 A1 8 ES 2 360 992 A1 9 OFICINA ESPAÑOLA DE PATENTES Y MARCAS ESPAÑA