MEJORAS EN O RELATIVAS A MÉTODOS DE PRODUCIR SILICIO DE ALTA PUREZA.
Mejoras en o relativas a métodos de producir silicio de alta pureza caracterizadas por un procedimiento de fabricación de un barra de silicio sustancialmente puro que comprende pasar silano sustancialmente puro por una zona limitada por una bobina concentradora circular sustancialmente horizontal y la superficie de un germen de siliciola cual superficie está inicialmente sustancialmente a nivel con la superficie inferior de la bobinaestando dicha bobina y germen incluídos en una cámara de descomposiciónsuministrar una corriente alterna de altra frecuencia a la bobinade tal magnitud que mantenga la temperatura de la superficie del germen sustancialmente a 1.
000 º C.con lo que el silano se descompone térmicamente y se deposita silicio en la superficie del germenretirar dicho germen hacia abajo en tal forma que la superficie creciente de la barra se mantiene sustancialmente a nivel con la superficie interior de la bobinaajustar la presión en la cámara de descomposición a no menos de 8 mm de Hgpara barras gruesas y a no más de 17 mm de Hg para barras finasy mantener el flujo del silano a no más de 25 litros por hora para barras gruesas y no menos de 12 litros por hora para barras finas
Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P0258619.
Solicitante: STANDARD ELECTRICA, SOCIEDAD ANONIMA.
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: MADRID.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 11 de Junio de 1960.
Clasificación antigua:
- C01B33/00 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956).
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