MEDIO RECEPTOR DE IMAGEN.

MEDIO RECEPTOR DE IMAGEN. EL MEDIO RECEPTOR DE IMAGEN (1) DE LA PRESENTE INVENCION ESTA DESTINADO A SER UTILIZADO EN COMBINACION CON UNA HOJA DE TRANSFERENCIA TERMICA (A) Y SE CARACTERIZA POR EL HECHO DE QUE EL MEDIO RECEPTOR DE IMAGEN (1) COMPRENDE UN LAMINADO DE UNA O UNA PLURALIDAD DE HOJAS DE RESINA DE CLORURO DE POLIVINILO Y AL MENOS UNA CAPA DEL MEDIO RECEPTOR DE IMAGEN SUPERPUESTA A LA HOJA DE TRANSFERENCIA TERMICA (A) Y QUE RECIBE EL COLORANTE DE ESTA ULTIMA,

COMPRENDE UNA COMPOSICION DE RESINA DE CLORURO DE POLIVINILO QUE COMPRENDE 0,1 A 10 PARTES EN PESO DE UN PLASTIFICANTE BASADO EN 100 PARTES EN PESO DE LA RESINA DE CLORURO DE POLIVINILO. EL MEDIO RECEPTOR DE IMAGEN (1) DE LA PRESENTE INVENCION TIENE PARTICULARIDADES ESPECIFICAS EN CUANTO QUE NO REQUIERE SUMINISTRAR SEPARADAMENTE LA CAPA RECEPTORA DE IMAGEN, LA FORMACION DE IMAGEN FACIAL, ETC. DE ACUERDO CON EL SISTEMA DE TRANSFERENCIA TERMICA PUEDE EFECTUARSE DEFINIDA Y RAPIDAMENTE Y SIN GENERAR LA TENDENCIA AL ALABEO PROVOCADA POR LA TRANSFERENCIA TERMICA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: DAI NIPPON INSATSU KABUSHIKI KAISHA.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 1-1, ICHIGAYA-KAGA-CHO 1-CHOME,SHINJUKU-KUTOKYO 162-01.

Inventor/es: OSHIMA, KATSUYUKI, ANDO, JITSUHIKO, FUJIMURA, HIDEO.

Fecha de Publicación: 16 de Diciembre de 1993.

Fecha de Concesión: 11 de Junio de 1993.

Fecha Solicitud PCT: 16 de Noviembre de 1989.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L27/16 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con componentes termoeléctricos con o sin unión de materiales diferentes; con componentes termomagnéticos (que utilizan el efecto Peltier únicamente para la refrigeración de dispositivos de semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido H01L 23/38).

Países PCT: España.

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