LITOGRAFIA POR HAZ DE ELECTRONES CON ACUMULACION REDUCIDA DE CARGAS.

SE USA UN HAZ DE ELECTRONES DE ESCRITURA DIRECTA PARA DEFINIR CARACTERISTICAS EN UNA CAPA RESISTENTE (11) Y ASI ULTIMAMENTE EN UNA PIEZA DE TRABAJO SUBYACENTE (10),

TAL COMO UN SUSTRATO DE ENMASCARAMIENTO DE DESPLAZAMIENTO DE FASE O UNA PASTILLA DE CIRCUITO INTEGRADO SEMICONDUCTORA. LA CAPA RESISTENTE SE SITUA SOBRE UNA SUPERFICIE PRINCIPAL SUPERIOR DE LA PIEZA DE TRABAJO. EN UNA REALIZACION PREFERIDA, LA CAPA RESISTENTE (11) SE SITUA POR DEBAJO DE UNA CAPA PROTECTORA (12) DE ALCOHOL DE POLIVINILO ("PVA"); Y UNA CAPA CONDUCTORA DE TOMA DE TIERRA (13), TAL COMO UNA CAPA ORGANICA CONDUCTORA, SE SITUA SOBRE LA CAPA PROTECTORA (12). DESPUES DE EXPONER LA SUPERFICIE PRINCIPAL SUPERIOR DE LA ESTRUCTURA RESULTANTE AL HAZ DE ELECTRONES DIBUJADO DE ESCRITURA DIRECTA, SE LLEVAN A CABO LOS SIGUIENTES PASOS: (1) EL ATAQUE AL ACIDO DE PLASMA ELIMINA COMPLETAMENTE EL ESPESOR ENTERO DE LA CAPA CONDUCTORA ASI COMO UNA PEQUEÑA FRACCION DEL ESPESOR DE LA CAPA PVA; (2) LA CAPA PVA SE ELIMINA COMPLETAMENTE DISOLVIENDOLA EN AGUA; (3) OTRO ATAQUE AL ACIDO DE PLASMA ELIMINA UNA PEQUEÑA FRACCION DEL ESPESOR DE LA CAPA RESISTENTE, INCLUIDO CUALQUIER RESIDUO NO DESEADO; Y (4) SE DESARROLLA LA CAPA RESISTENTE.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AT&T CORP..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.

Inventor/es: DEMARCO, JOHN JOSEPH, PIERRAT, CHRISTOPHE.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 1 de Septiembre de 1999.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G03F7/11 FISICA.G03 FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA.G03F PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO (aparatos de composición fototipográfica B41B; materiales fotosensibles o procesos para la fotografía G03C; electrofotografía, capas sensibles o procesos a este efecto G03G). › G03F 7/00 Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto (utilizando estructuras de fotorreservas para procesos de producción particulares, ver en los lugares adecuados, p. ej. B44C, H01L, p. ej. H01L 21/00, H05K). › con capas de recubrimiento o capas intermedias, p. ej. capas de anclaje.
  • G03F7/38 G03F 7/00 […] › Tratamiento antes de la eliminación según la imagen, p. ej. precalentado.

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