FOTODETECTOR DE HETEROESTRUCTURA MULTIPLE.
Un fotodetector de infrarrojos que comprende una estructura (10) semiconductora multicapa que tiene una pluralidad de secciones (14,
16,18) dispuestas sucesivamente, cada una de las cuales tiene tres capas respectivas (por ejemplo, 14A,14B,14C para la sección 14), consistiendo las tres capas en una capa central (14B) de tipo n residual absorbente, de banda prohibida relativamente estrecha, dispuesta entre dos capas exteriores (14A, 14C) transmisoras, de banda prohibida relativamente ancha, dopadas con impurezas de tipo n y de tipo p, respectivamente, siendo la capa central (14B) suficientemente delgada para presentar extracción de portadores minoritarios en todo su espesor cuando está polarizada, y teniendo un nivel de dopado suficientemente bajo para presentar conductividad intrínseca a la temperatura de funcionamiento de un dispositivo cuando está polarizada, y siendo las regiones exteriores (14A,14C) suficientemente gruesas para inhibir la inyección de portadores minoritarios hacia el interior de la región central (14B) y teniendo un nivel de dopado suficientemente alto para presentar conductividad extrínseca a la temperatura de funcionamiento.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRIT. MAJESTY'S GOVERNM. OF UNITED KINGDOM OF GB AND N IRELAND.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: WHITEHALL,LONDON WC1A 2HB.
Inventor/es: ELLIOTT, CHARLES, THOMAS, WHITE, ANTHONY, MICHAEL.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 24 de Noviembre de 1989.
Fecha Concesión Europea: 13 de Octubre de 1993.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/101 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta.
- H01L31/11 H01L 31/00 […] › caracterizados por dos barreras de potencial o de superficie, p. ej. fototransistor bipolar.
- H01L31/111 H01L 31/00 […] › caracterizados por al menos tres barreras de potencial, p. ej. fototiristor.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Oficina Europea de Patentes, Japón, Estados Unidos de América.
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