FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES QUE UTILIZAN VIDRIOS FOSFOSILICATADOS.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR DISPOSITIVOS SEMINCONDUCTORES QUE INCLUYEN LA DEPOSICION DE CAPAS DE VIDRIO PROTECTOR MEDIANTE UNA TECNICA DE HAZ DE PARTICULAS DESDE UN BLANCO DE VIDRIO FOSFOSILICATADO,
COMO ASI TAMBIEN A UN PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR TALES BLANCOS. EL VIDRIO FOSFOSILICATADO QUE CONTIENE 1-15 MOLES PORCIENTE DE P2O5 SE PRODUCE MEDIANTE UNA TECNICA DE SOL/GEL EN EL QUE SE MEZCLA UN SILICE RECUPERADO DE LA CONDENSACION DE VAPORES, CON UN AREA SUPERFICIAL DE 50-400 M2/G, PREFERENTEMENTE DE APROXIMADAMENTE 200 M2/G, CON ACIDO FOSFORICO Y AGUA PARA FORMAR UN SOL CON 20-55% POR PESO DE SILICE, PERMITIENDO QUE SE CONVIERTA EN GEL, SECARLO EN CONDICIONES AMBIENTALES, DESHIDRATARLO A APROXIMADAMENTE 650 C EN UNA ATMOSFERA DE UN GAS INERTE Y GASES CONTENIENDO CLORO Y FLUOR, CALENTAR A UN DETERMINADO REGIMEN DE APROXIMADAMENTE 100 A 180 C POR HORA HASTA UNA TEMPERATURA PICO DE SINTERIZACION INFERIOR A 1200 IDRIO TRANSPARENTE Y AMORFO ADECUADO PARA QUE SE UTILICE COMO BLANCO. LAS CAPAS DE VIDRIO SON MUY CONVENIENTES PARA UTILIZAR COMO CAPAS DE ENCAPSULAMIENTO, CAPAS DE BARRERA DE DIFUSION, ETC., ESPECIALMENTE PARA DISPOSITIVOS DE TIPO OPTICO Y SEMICONDUCTOR. LA PRODUCCION DEL VIDRIO FOSFOSILICATADO MEDIANTE LA TECNICA DEL SOL/GEL TIENE GRANDES VENTAJAS SOBRE LA TECNICA DE FUSION CONVENCIONAL, POR SER MAS RAPIDA Y MUCHO MENOS COSTOSA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AT&T CORP..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.
Inventor/es: FLEMING, DEBRA ANNE, JOHNSON, DAVID WILFRED, JR., SINGH, SHOBHA, VANUITERT, LEGRAND G., ZYDZIK, GEORGE J.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 9 de Abril de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/316 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
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