Dispositivo y procedimiento de fabricación de un bloque de material cristalino.

Dispositivo de fabricación de un bloque de material cristalino por cristalización direccional,

queincorpora unos medios de calentamiento (3) y unos medios de enfriamiento dispuestos para que establezcan ungradiente térmico en un crisol de cristalización (1), incorporando los medios de enfriamiento ( 22) un intercambiador(17) y una fuente de calor suplementaria regulable, dispositivo caracterizado porque los medios de enfriamiento(22) incorporan una espira de inducción (10) enfriada mediante un líquido refrigerante circulante por el interior de laespira de inducción (10) y un susceptor de inducción (11) eléctricamente conductor dispuesto entre el crisol (1) y laespira de inducción (10).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2006/002661.

Solicitante: APOLLON SOLAR.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 211, BD VINCENT AURIOL 75013 PARIS FRANCIA.

Inventor/es: EINHAUS,ROLAND, LISSALDE,FRANCOIS, RIVAT,PASCAL.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C30B11/00 QUIMICA; METALURGIA.C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).

PDF original: ES-2387996_T3.pdf

 

Dispositivo y procedimiento de fabricación de un bloque de material cristalino.

Fragmento de la descripción:

Dispositivo y procedimiento de fabricación de un bloque de material cristalino

Ámbito técnico de la invención

La invención concierne a un dispositivo de fabricación de un bloque de material cristalino por cristalización direccional, que incorpora unos medios de calentamiento y unos medios de enfriamiento dispuestos para que establezcan un gradiente térmico en un crisol de cristalización, incorporando los medios de enfriamiento un intercambiador y una fuente de calor suplementaria regulable.

Estado de la técnica

El documento WO2004/094704 describe un dispositivo de fabricación de un bloque de material cristalino por cristalización direccional. Este material es típicamente silicio. Como se representa en la figura 1, el dispositivo incorpora un crisol de cristalización 1 cuyo fondo 7 permite evacuar el calor. El fondo 7 del crisol 1 posee propiedades de transferencia térmica superiores a las de las paredes 8 laterales. Con objeto de generar un gradiente térmico, se dispone un dispositivo calefactor 3 y un intercambiador de calor 4 respectivamente por encima y por debajo del crisol 1.

El gradiente térmico para la solidificación del silicio requiere una evaluación de calor eficaz. Las propiedades anisótropas del crisol 1 permiten obtener superficies isotérmicas sensiblemente planas y paralelas. Consecuentemente, el frente de solidificación también es sensiblemente plano, paralelamente al fondo 7 del crisol 1.

En la cristalización del silicio, el espesor de la fase sólida 5 aumenta, de manera que el frente de solidificación progresa hacia arriba al tiempo que se aleja del fondo 7 de crisol 1, tal como se representa mediante la flecha 20 en la figura 1. Al ser la temperatura de fusión del silicio de 1410 °C, la superficie isotérmica de 1410 °C se aleja entonces del fondo 7 del crisol 1, lo cual se produce mediante una disminución de la temperatura en el fondo 7 del crisol 1 en el transcurso del procedimiento de cristalización.

El aumento de la cantidad del material sólido en el fondo 7 del crisol 1 viene acompañado de un aumento de la resistencia térmica. Ahora bien, para mantener constante el gradiente térmico en la interfase sólido/líquido, la potencia térmica evacuada por el intercambiador de calor 4 tiene que permanecer sensiblemente constante mientras dura la solidificación. Es necesario entonces prever una regulación.

Así, el intercambiador de calor 4 incorpora, por ejemplo, un circuito de fluido caloportador y, según las aplicaciones, el fluido puede ser aceite de síntesis o un fluido que opera a alta temperatura, por ejemplo un gas a presión como el helio, lo cual puede ser muy costoso cuando es necesario un licuefactor de helio. Es posible hacer variar la temperatura del fluido caloportador de manera controlada, con el fin de asegurar que la potencia evacuada permanece constante mientras dura la solidificación.

El documento WO2004/094704, por ejemplo, describe un fieltro 9 de grafito dispuesto entre el fondo 7 del crisol 1 y los medios de enfriamiento 4, tal y como se ilustra en la figura 1. El fieltro 9 de grafito es comprimido durante la solidificación del silicio. Así, el espesor del fieltro 9 de grafito disminuye y su conductividad térmica aumenta. La transferencia térmica por conductividad del fieltro 9 de grafito puede ser controlada entonces en el transcurso del procedimiento de solidificación. Asimismo, se puede quitar progresivamente el fieltro 9 de grafito para controlar el enfriamiento. El gradiente térmico dentro del crisol 1 se controla y mantiene típicamente en un valor comprendido entre 8 °C/cm y 30 °C/cm.

Existen asimismo sistemas de enfriamiento por agua. Sin embargo, es difícil controlar la temperatura en un rango considerable de temperaturas, salvo que se utilice el calor latente de la vaporización del agua, cuya puesta en práctica es complicada.

El documento US6299682 describe un aparato para fabricar un lingote de silicio para aplicaciones fotovoltaicas. El aparato incorpora un dispositivo de calentamiento encima de un crisol y unos medios de enfriamiento dispuestos bajo el crisol. Bajo el crisol va dispuesta asimismo una fuente de calor para controlar el calor evacuado por debajo del crisol.

Objeto de la invención

La invención tiene por finalidad subsanar estos inconvenientes y, en especial, asegurar una regulación eficaz de la temperatura, al propio tiempo que reduce los costes de puesta en práctica del dispositivo.

De acuerdo con la invención, esta finalidad se logra mediante las reivindicaciones adjuntas y, más en particular, por el hecho de que los medios de enfriamiento están constituidos por una espira de inducción enfriada mediante un líquido refrigerante circulante por el interior de la espira de inducción y por un susceptor de inducción eléctricamente conductor dispuesto entre el crisol y la espira de inducción.

La invención tiene asimismo por finalidad un procedimiento de fabricación de un bloque de material cristalino por cristalización direccional utilizando un dispositivo según la invención, comprendiendo el procedimiento:

- el calentamiento del crisol desde arriba y el enfriamiento del crisol desde abajo, para establecer el gradiente térmico en el crisol de cristalización, y

- el control de la evacuación del calor desde el crisol hacia abajo por mediación del intercambiador y por mediación de la regulación de la fuente de calor suplementaria regulable,

estando constituidos los medios de enfriamiento por una espira de inducción enfriada mediante un líquido refrigerante circulante por el interior de la espira de inducción y por un susceptor de inducción eléctricamente conductor dispuesto entre el crisol y la espira de inducción,

- comprendiendo el procedimiento simultáneamente el calentamiento por mediación de la espira de inducción y el enfriamiento por mediación del líquido refrigerante circulante por el interior de la espira de inducción, y

- comprendiendo el procedimiento, mientras progresa un frente de solidificación dentro del crisol al tiempo que se aleja del susceptor, la reducción progresiva del calentamiento por mediación de la reducción de la alimentación eléctrica de la espira de inducción.

Breve descripción de los dibujos

Otras ventajas y características se desprenderán más claramente de la descripción siguiente de formas de realización particulares de la invención, dadas a título de ejemplos no limitativos y representadas en los dibujos que se adjuntan, en los que:

La figura 1 muestra un dispositivo de fabricación de un bloque de material cristalino por cristalización direccional según la técnica anterior.

Las figuras 2 y 3 muestran, en sección, sendas formas particulares de realización del dispositivo según la invención.

La figura 4 ilustra, en una vista desde arriba, una forma de realización particular de un susceptor de un dispositivo según la invención.

Descripción de formas de realización particulares

El dispositivo de fabricación representado en la figura 2 incorpora una fuente de calor 3 y un sistema de enfriamiento 22 dispuesto para que establezca un gradiente térmico dentro del crisol de cristalización 1. El sistema de enfriamiento 22 incorpora un intercambiador 17 y una fuente de calor suplementaria regulable 18, por ejemplo unas resistencias calefactoras, una calefacción por infrarrojos o cualquier otro medio indicado de calentamiento regulable. El intercambiador 17 incorpora preferentemente un circuito de enfriamiento de agua representado esquemáticamente mediante la flecha 21. El intercambiador 17 puede discurrir en particular a todo lo ancho del crisol

1.

Así, se puede controlar la evacuación del calor del crisol, beneficiándose al propio tiempo de las ventajas de un intercambiador de potencia constante, en particular la puesta en práctica simple.

El dispositivo puede incorporar asimismo un fieltro 19 amovible dispuesto por encima del intercambiador 17 y bajo la fuente de calor suplementaria regulable 18, lo cual permite establecer una pantalla a la radiación térmica entre la fuente de calor 18 y el intercambiador 17 y, con ello, controlar más la evacuación de calor del crisol 1. Con la introducción del fieltro 19 amovible entre... [Seguir leyendo]

 


Reivindicaciones:

1. Dispositivo de fabricación de un bloque de material cristalino por cristalización direccional, que incorpora unos medios de calentamiento (3) y unos medios de enfriamiento dispuestos para que establezcan un gradiente térmico en un crisol de cristalización (1) , incorporando los medios de enfriamiento (22) un intercambiador

(17) y una fuente de calor suplementaria regulable, dispositivo caracterizado porque los medios de enfriamiento

(22) incorporan una espira de inducción (10) enfriada mediante un líquido refrigerante circulante por el interior de la espira de inducción (10) y un susceptor de inducción (11) eléctricamente conductor dispuesto entre el crisol (1) y la espira de inducción (10) .

2. Dispositivo según la reivindicación 1, caracterizado porque el susceptor (11) es de un material térmicamente conductor y absorbente de la radiación infrarroja.

3. Dispositivo según la reivindicación 2, caracterizado porque el susceptor (11) es de grafito o de carburo de silicio.

4. Dispositivo según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque el susceptor

(11) se constituye en un soporte para el crisol (1) .

5. Dispositivo según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque el susceptor

(11) incorpora unas zonas (15) de menor conductividad eléctrica por unidad de superficie que permiten reducir localmente el calentamiento de inducción y permiten favorecer localmente la evacuación del calor desde el crisol (1) hacia la espira de inducción (10) .

6. Dispositivo según la reivindicación 5, caracterizado porque las zonas (15) de menor conductividad eléctrica por unidad de superficie están constituidas por

- unos agujeros, -un material que tiene una menor conductividad eléctrica que el material del susceptor, -o una zona que tiene un menor espesor que el susceptor (11) .

7. Dispositivo según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 6, caracterizado porque incorpora unas placas de sílice (23) dispuestas alrededor de la espira de inducción (10) .

8. Dispositivo según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 7, caracterizado porque el crisol (1) incorpora un fondo (7) transparente de sílice amoría sin impurezas.

9. Dispositivo según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 8, caracterizado porque incorpora un fieltro amovible (19) dispuesto por encima del intercambiador (17) .

10. Procedimiento de fabricación de un bloque de material cristalino por cristalización direccional utilizando un dispositivo según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9, procedimiento que comprende:

- el calentamiento del crisol (1) desde arriba y el enfriamiento del crisol (1) desde abajo, para establecer el gradiente térmico en el crisol de cristalización (1) , y

- el control de la evacuación del calor desde el crisol (1) hacia abajo por mediación del intercambiador (17) y por mediación de la regulación de la fuente de calor suplementaria regulable (18) ,

procedimiento caracterizado porque

estando constituidos los medios de enfriamiento (22) por una espira de inducción (10) enfriada mediante un líquido refrigerante circulante por el interior de la espira de inducción (10) y por un susceptor de inducción (11) eléctricamente conductor dispuesto entre el crisol (1) y la espira de inducción (10) ,

- el procedimiento comprende simultáneamente el calentamiento por mediación de la espira de inducción (10) y el enfriamiento por mediación del líquido refrigerante circulante por el interior de la espira de inducción (10) , y

- el procedimiento comprende, mientras progresa un frente de solidificación (16) dentro del crisol (1) al tiempo que se aleja del susceptor (11) , la reducción progresiva del calentamiento por mediación de la reducción de la alimentación eléctrica de la espira de inducción (10) .

11. Procedimiento según la reivindicación 10, caracterizado porque comprende, antes de la cristalización, una etapa de fusión del material destinado a ser cristalizado, utilizando los medios de calentamiento

(3) y la fuente de calor suplementaria regulable (18) .


 

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