DISPOSITIVO DE SILICIO ELECTROLUMINISCENTE.

UN DISPOSITIVO (10) DE SILICIO ELECTROLUMINISCENTE INCLUYE UNA ESTRUCTURA (12) DE SILICIO LA CUAL COMPRENDE UNA CAPA

(14) DE SILICIO HOMOGENEO Y UNA CAPA (16) DE SILICIO POROSO. LA CAPA (16) DE SILICIO POROSO TIENE POROS (20) INTERCALADOS LOS CUALES DEFINEN CONDUCTORES (18) CUANTICOS DE SILICIO. LOS CONDUCTORES (18) CUANTICOS TIENEN UNA CAPA (22) DE ESTABILIZACION SUPERFICIAL. LA CAPA (16) POROSA EXHIBE FOTOLUMINISCENCIA BAJO IRRADIACION ULTRA VIOLETA. LA CAPA POROSA (16) ESTA SATURADA POR UN MATERIAL CONDUCTOR TAL COMO UN ELECTROLITO (24) O UN METAL (48). EL MATERIAL CONDUCTOR (24) ASEGURA QUE UN CAMINO DE CORRIENTE ELECTRICAMENTE CONTINUA SE EXTIENDE A TRAVES DE LA CAPA (16) POROSA; EL NO DEGRADA LA SUPERFICIE (22) DE ESTABILIZACION DEL CONDUCTOR CUANTICO SUFICIENTEMENTE COMO PARA QUE EL CONDUCTOR (18) CUANTICO NO PRODUZCA LUMINISCENCIA, E INJERTA PORTADORES MINORITARIOS DENTRO DEL CONDUCTOR CUANTICO. UN ELECTRODO (26) SE CONECTA EL MATERIAL CONDUCTOR (24) Y LA CAPA DE SILICIO HOMOGENEO TIENE CONEXION (28) OHMICA. CUANDO SE POLARIZA EL ELECTRODO (26) ES EL ANODO Y LA ESTRUCTURA (12) DE SILICIO ES EL CATODO. ENTONCES SE OBSERVA LA ELECTROLUMINISCENCIA EN LA REGION VISIBLE DEL ESPECTRO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRITANNIC MAJESTY'S GOV. OF THE UNITED KINGDOM OF GREAT BRITAI.

Nacionalidad solicitante: Reino Unido.

Dirección: WHITEHALL,LONDON SW1A 2HB.

Inventor/es: .

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 25 de Marzo de 1992.

Fecha Concesión Europea: 6 de Noviembre de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR > CALEFACCION ELECTRICA; ALUMBRADO ELECTRICO NO PREVISTO... > H05B33/00 (Fuentes de luz electroluminiscente)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > H01L33/00 (Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00))
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/306 (Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105))

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Oficina Europea de Patentes, Canadá, Japón, República de Corea, Estados Unidos de América.

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