DISPOSITIVO DE MEMORIA NO VOLATIL.
Un dispositivo de memoria no volátil (10) que comprende un material de memoria dieléctrico polarizable eléctricamente (11) con propiedades ferroeléctricas o de electreto y capaz de presentar una histéresis y una remanencia,
en el que el material de memoria (11) comprende uno o más polímeros, en el que el material de memoria está previsto en contacto con una primera serie y una segunda serie de respectivos electrodos (WL;BL) para operaciones de escritura, lectura y borrado, en el que una célula de memoria (12) con una estructura a modo de condensador está definida en el material de memoria (11) y puede ser accedida directa o indirectamente por vía de los electrodos (WL;BL) en el que las células de memoria (12) del dispositivo de memoria (10) forman los elementos de una matriz activa o pasiva, en el que cada célula de memoria (12) puede ser dirigida selectivamente para una operación de escritura/lectura/borrado estableciendo un estado de polarización deseado en la célula de memoria o ejecutando una conmutación de polarización de la misma, y en el que un estado de polarización determinado establecido en la célula de la memoria (12) define un estado lógico de la misma, caracterizado porque el material de memoria ferroeléctrico o de electreto (11) comprende al menos un polímero deuterizado.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.
Nacionalidad solicitante: Noruega.
Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.
Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK, GUDESEN, HANS, GUDE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 28 de Agosto de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C08L27/16 QUIMICA; METALURGIA. › C08 COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES. › C08L COMPOSICIONES DE COMPUESTOS MACROMOLECULARES (composiciones basadas en monómeros polimerizables C08F, C08G; pinturas, tintas, barnices, colorantes, pulimentos, adhesivos D01F; filamentos o fibras artificiales D06). › C08L 27/00 Composiciones de homopolímeros o copolímeros de compuestos que tienen uno o más radicales alifáticos insaturados, que tienen cada uno solamente un enlace doble carbono-carbono, y estando al menos uno terminado por un halógeno; Composiciones de derivados de tales polímeros. › Homopolímeros o copolímeros de fluoruro de vinildeno.
- G11C11/22 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos ferroeléctricos.
Clasificación PCT:
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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