DIODO DE LASER AZUL-VERDE.

UN DIODO DE LASER SEMICONDUCTOR DE COMPUESTO II-VI (10) ESTA FORMADO SOBRE CAPAS SUPERPUESTAS DE MATERIAL QUE COMPRENDE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR DE CRISTAL UNICO DE TIPO N

(12) ADYACENTE A LASERES GUIA DE TIPO N, Y TIPO P (14, Y (16) DE SEMICONDUCTOR II-VI QUE FORMA UNA UNION PN, UNA CAPA ACTIVA DE PARED CUANTICA (18) DE SEMICONDUCTOR II-VI ENTRE LAS CAPAS GUIA (14) Y (16), EL PRIMER ELECTRODO (32) OPUESTOS AL SUSTRATO (12) DE LA CAPA GUIA DE TIPO N (14), Y UN SEGUNDO ELECTRO (30) OPUESTO A LA CAPA GUIA DE TIPO P (16) DE LA CAPA DE PARED CUANTICA (18). LA CAPA DE ELECTRODO (309 SE CARACTERIZA PR UNA ENERGIA FERMI. UNA CAPA DE CONTACTO OHMICO DE TIPO P (26) ESTA IMPURIFICADA, CON ACEPTADORES POCO PROFUNDOS QUE TIENEN UNA ENERGIA DE ACEPTADOR POCO PROFUNDO, PARA UNA CONCENTRACION DE ACEPTADOR DE RED DE AL MENOS 1 X 1017 CM-3, Y COMPRENDE ESTADOS DE ENERGIA SUFICIENTE ENTRE LA ENERGIA DE ACEPTADOR POCO PROFUNDA Y LA ENERGIA FERMI DE CAPA DE ELECTRODO PARA PERMITIR LA PERFORACION DE TUNEL EN CASCADA POR PORTADORES DE CARGA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 3M CENTER, P.O. BOX 33427,ST. PAUL, MINNESOTA 55133-3427.

Inventor/es: .

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 12 de Mayo de 1992.

Fecha Concesión Europea: 16 de Julio de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > H01L33/00 (Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00))
  • H01S3/19
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/363 (utilizando un depósito físico, p. ej. depósito bajo vacío, pulverización)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/443 (a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación)

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Finlandia, Rumania, Oficina Europea de Patentes, Australia, Barbados, Bulgaria, Brasil, Canadá, Hungría, Japón, República de Corea, Sri Lanka, Madagascar, Mongolia, Malawi, Noruega, Polonia, Federación de Rusia, Sudán, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Senegal, Chad, Togo, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, República Popular Democrática de Corea, Checoslovaquia.

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