DIFUSION IN SITU DE IMPUREZAS DOPANTES DURANTE EL CRECIMIENTO DE RETICULA DENDRITICA DE UNA CINTA CRISTALINA DE SILICE.
SE DESCRIBEN UN PROCESO Y APARATO DE FORMACION DE UNA RED DENDRITICA PARA DIFUNDIR IMPUREZAS DE DOPANTES EN EL INTERIOR DE UNA RED DE CRISTALES DENDRITICOS CRECIENTES A FIN DE PRODUCIR ELEMENTOS FOTOVOLTAICOS.
UNA FUENTE (90) DE DIFUSION DE DOPANTE SOLIDO SE DISPONE EN UN SOPORTE MONTADO EN UN ELEMENTO TERMICO VERTICAL (31), BIEN SEA DENTRO DEL HORNO DE FUSION (10) O FUERA DEL HORNO, JUNTO AL ORIFICIO DE SALIDA (12) DEL MISMO. LA FUENTE SOLIDA DE DIFUSION SE CALIENTA POR CONDUCCION TERMICA DESDE EL ELEMENTO TERMICO VERTICAL Y EL SOPORTE DE LA FUENTE, UTILIZANDO EL CALOR DEL HORNO COMO FUENTE. SE PROPORCIONAN OPTATIVAMENTE BOBINAS CALENTADORES AUXILIARES ALREDEDOR DEL ELEMENTO TERMICO VERTICAL, PARA CONTROLAR LA TEMPERATURA DE LA FUENTE SOLIDA DE DIFUSION. LA FUENTE Y EL SOPORTE PUEDEN MONTARSE TAMBIEN FUERA DEL HORNO, JUNTO AL ORIFICIO DE SALIDA, Y CALENTARSE CON EL USO DE UN CALENTADOR RAPIDO SECUNDARIO DE TEMPERATURA. LA RED EN CRECIMIENTO DE CRISTAL DENDRITICO SE EXPONE A LAS IMPUREZAS DOPANTES COMO PARTE DEL PROCESO DE CRECIMIENTO DE LA RED, ELIMINANDO LA NECESIDAD DE UN PUESTO Y TRATAMIENTO SEPARADOS DE DIFUSION GASEOSA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: EBARA SOLAR, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 811 ROUTE 51 SOUTH,LARGE, PENNSYLVANIA 15025.
Inventor/es: BATHEY, BALAKRISHNAN R.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B15/34 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › Crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie utilizando matrices de formación o grietas de conducción.
- H01L31/0288 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por el material de dopado.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
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