CONTACTOS OHMICOS ESTABLES PARA PELICULAS DELGADAS DE SEMICONDUCTORES II-VI QUE CONTIENEN TELURO, TIPO P.

UN CONTACTO OHMICO ESTABLE PARA PELICULAS DELGADAS DE SEMICONDUCTORES II-VI QUE CONTIENEN TELURO,

TIPO P, Y DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS QUE INCORPORAN TALES CONTACTOS. UN CONTACTO OHMICO DE ACUERDO CON LA INVENCION COMPRENDE UNA CAPA FORMADORA DE CONTACTO DEPOSITADA SOBRE UNA PELICULA DELGADA DE TIPO P DE UN SEMICONDUCTOR II-VI QUE CONTIENE TELURO. PREFERIBLEMENTE, LA CAPA QUE FORMA CONTACTO ES COBRE QUE TIENE UN ESPESOR DE 2 NM APROXIMADAMENTE. SE DEPOSITA UNA CAPA AISLANTE EN LA FORMADORA DE CONTACTO PARA AISLAR LAS CAPAS DEPOSITADAS SUBSIGUIENTEMENTE DE LA PELICULA DELGADA. LA CAPA AISLANTE PUEDE SER CARBONO O UNA CAPA DELGADA DE NIQUEL. SE DEPOSITA UNA CAPA DE CONEXION PARA UNIR UN CONDUCTOR ELECTRICO EXTERNO A LA CAPA AISLANTE. LA CAPA DE CONEXION PUEDE SER DE ALUMINIO, CROMO, O PUEDE SER UNA CAPA DE COBRE, PREVIENDO QUE ESTA SE RECUBRE CON UNA DE PLATA, ALUMINIO O UNA CAPA DELGADA DE NIQUEL, PREFERIBLEMENTE RECUBIERTA CON ALUMINIO. EL CONTACTO OHMICO ESTABLE SE PUEDE UTILIZAR COMO UN CONTACTO POSTERIOR EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE TIENE UNA PELICULA DELGADA DE UN SEMICONDUCTOR II-VI QUE CONTIENE TELURO COMO UNA DE LAS CAPAS DE SEMICONDUCTOR ACTIVAS EN EL DISPOSITIVO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THE STANDARD OIL COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 200 PUBLIC SQUARE, 36-F-3454,CLEVELAND OHIO 44114.

Inventor/es: SZABO, LOUIS FRANK, BITER, WILLIAM JOSEPH.

Fecha de Publicación: 16 de Mayo de 1995.

Fecha Concesión Europea: 1 de Marzo de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/441 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.
H01L31/02 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Detalles.
H01L31/12 H01L 31/00 […] › estructuralmente asociados, p. ej. formados en o sobre un sustrato común, con una o varias fuentes de luz eléctricas, p. ej. con fuentes de luz electroluminiscentes, y eléctrica u ópticamente acoplados con dichas fuentes (fuentes de luz electroluminiscentes per se H05B 33/00).

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