CIRCUITO DE MEMORIA FERROELECTRICA Y METODO PARA SU FABRICACION.

Circuito (C) de memoria ferroeléctrica que comprende una célula (F) de memoria ferroeléctrica en la forma de una película delgada de polímero ferroeléctrico y un primero y segundo electrodos (E1;

E2) respectivamente, que entran en contacto con la célula (F) de memoria ferroeléctrica por unas superficies opuestas de la misma, por lo que un estado de polarización de la célula puede ser establecido, conmutado o detectado mediante la aplicación de unas tensiones apropiadas sobre los electrodos (E1;E2), caracterizado porque por lo menos uno de los electrodos (E1;E2) comprende por lo menos una capa de contacto (P1;P2), comprendiendo dicha por lo menos una capa de contacto (P1;P2) un polímero conductor en contacto con la célula (F) de memoria, y opcionalmente una segunda capa (M1;M2) de una película metálica en contacto con el polímero conductor (P1;P2), por lo que dicho por lo menos uno de los electrodos (E1;E2) comprende o bien únicamente una capa (P1;P2) de contacto de polímero conductor, o bien una combinación de una capa (P1;P2) de contacto de polímero conductor y una capa (M1;M2) de película metálica.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.

Nacionalidad solicitante: Noruega.

Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.

Inventor/es: JOHANSSON, NICKLAS, CHEN, LICHUN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 27 de Noviembre de 2001.

Fecha Concesión Europea: 9 de Marzo de 2005.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C11/22 FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos ferroeléctricos.
  • H01L21/768 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.
  • H01L23/532 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › caracterizadas por los materiales.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

CIRCUITO DE MEMORIA FERROELECTRICA Y METODO PARA SU FABRICACION.

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