Procedimiento para la producción de nanoestructuras de silicio periódicas cristalinas.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Física
(13/01/2016). Solicitante/s: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH. Clasificación: B81C1/00, G02B6/122, G02B1/00, G02B6/13, B82Y20/00.
Procedimiento para la producción de nanoestructuras de silicio periódicas cristalinas, que presenta al menos las etapas de procedimiento creación de un sustrato periódicamente estructurado con una constante de red a entre 100 nm y 2 μm, y subsiguiente deposición de silicio mediante un procedimiento de deposición orientado al sustrato periódicamente estructurado, utilizando como sustrato un material estable hasta al menos 570ºC y creando la estructura con zonas/flancos planos y empinados periódicamente recurrentes,
en donde el silicio es depositado sobre el sustrato periódicamente estructurado con un espesor en el intervalo de 0,2 a 3 veces la constante de la red a a una temperatura del sustrato de hasta 400ºC, caracterizado por que después la capa de silicio depositada, con el fin de una cristalización en fase sólida, es tratada térmicamente a temperaturas entre 570 ºC y 1.400 ºC a lo largo de unos pocos minutos hasta varios días.
PDF original: ES-2566182_T3.pdf
Célula solar con zonas de pasivación contiguas eléctricamente aislantes dotadas de una alta carga superficial de polaridad opuesta y procedimiento de fabricación.
(08/01/2014) Célula solar que comprende
- una capa de absorbedor semiconductora fotoactiva que sirve para generar portadores de carga excedentes de polaridad opuesta por efecto de luz incidente, en la situación de funcionamiento, sobre el lado delantero de la capa de absorbedor ,
- la formación de al menos un campo eléctrico en la capa de absorbedor , que sirve para la separación de los portadores de carga excedentes fotogenerados de polaridad opuesta, que pueden recorrer al menos una longitud de difusión efectiva mínima Lef,min en la capa de absorbedor ,
- unos primeros elementos de contacto que sirven para derivar los portadores de carga excedentes de una polaridad…
Procedimiento para la producción de una capa de óxido transparente y conductora.
(21/08/2013) Procedimiento para la producción de una capa de óxido de zinc conductora y transparente sobre un sustratomediante bombardeo iónico en fase gaseosa reactivo, en donde el proceso presenta una zona de histéresis y,
- el calentador para el sustrato se ajusta de manera se ajusta una temperatura del sustrato por encima de200ºC, y
- se ajusta una tasa de deposición dinámica mayor que 50 nm*m/min, la cual corresponde a una tasa dedeposición estática mayor que 190 nm/min,
caracterizado por las etapas:
- se utiliza un objetivo de Zn metálico con una sustancia dopante, ascendiendo el contenido en la sustanciadopante del…
Módulo solar de capas delgadas contactado en un solo lado y provisto de una capa de contacto interior.
(07/03/2012) Módulo solar de capas delgadas contactado en un solo lado que comprende una capa de soporte, una capa absorbedora fotoactiva y al menos una capa dopante depositada sobre toda la superficie de un lado de la capa absorbedora, así como otras capas funcionales, en donde el paquete de capas delgadas formado por dichas capas está subdividido en zonas de célula solar por medio de zanjas de separación aislantes, y que comprende también un primer sistema de contacto, que presenta elementos de contactado y una capa de contacto que une estos elementos, y un segundo sistema de contacto que presenta una capa de contacto, en el lado de la capa absorbedora alejado de la capa de soporte para la derivación…
PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE CÉLULAS SOLARES EN TÁNDEM QUE COMPRENDEN CAPAS DE SILICIO MICROCRISTALINO.
(17/02/2012) Procedimiento para la fabricación de células solares en tándem de silicio amorfo (α-Si:H) y silicio microcristalino (μc-Si:H), que comprenden dos secuencias de capas p-i-n con la ayuda de un procedimiento PE-CVD, caracterizado porque - todas las capas de las secuencias de capas p-i-n son separadas en un proceso de una cámara y también en la deposición de la capa-i microcristalina; - la distancia entre los electrodos está entre 5 y 15 mm; - la distribución del gas se realiza a través de una entrada de gas de cabezal de ducha, que garantiza una distribución homogénea del gas sobre el sustrato; - se ajusta un flujo de gas SiH4 entre 0,01 y 3 sccm/cm 2…
PROCEDIMIENTO PARA LIMPIAR Y CORROER UN SUSTRATO CON UNA CAPA DE OXIDO CONDUCTIVA TRANSPARENTE, Y DISPOSITIVO PARA LA PUESTA EN PRACTICA DEL PROCEDIMIENTO.
(25/10/2010) Dispositivo para el tratamiento de sustratos que presentan capas de óxido de cinc preestructuradas dispuestas sobre soportes rígidos o flexibles, con un primer medio para tratar el sustrato con un líquido corrosivo, un segundo medio para tratar el sustrato con líquido de limpieza y un medio adicional para transportar el sustrato del primero al segundo medios, así como un medio para secar el sustrato después del tratamiento de limpieza, caracterizado porque el dispositivo consiste en una instalación de circulación que presenta materiales resistentes en función del agente corrosivo seleccionado
PROCEDIMIENTO PARA LA DEPOSICION DE SILICIO.
(16/02/2009) Procedimiento para la deposición de silicio microcristalino sobre un sustrato en una cámara de plasma, en el que a) la cámara de plasma presenta antes del inicio del plasma un gas reactivo que contiene silicio e hidrógeno, b) se inicia al pasma c) se alimenta a la cámara después del inicio del plasma de una manera continua exclusivamente gas reactivo que contiene silicio o se alimenta a la cámara después del inicio del plasma de forma continua una mezcla de un gas reactivo que contiene silicio e hidrógeno, de manera que se ajusta la concentración de gas reactivo que contiene silicio durante la alimentación a la cámara mayor que 3%, y d) al mismo tiempo se descarga la…