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Dispositivo y método para recocer objetos en una cámara de tratamiento.
(22/04/2020) Dispositivo para recocer por lo menos un objeto, en especial un cuerpo multicapas con dos capas por lo menos, con una cámara de tratamiento con un espacio de cámara, por lo menos una fuente de energía y una capota de procesado, que define un espacio de procesado, en el que se dispone por lo menos parcialmente el objeto , donde la capota de procesado reduce el volumen del espacio de procesado, en el que se recuece por lo menos una parte del objeto , con respecto al volumen del espacio de la cámara, caracterizado por que la capota de procesado se ha diseñado por lo menos como tapa dispuesta estacionariamente en la cámara de tratamiento y la tapa…
Disposición, sistema y procedimiento para el procesamiento de cuerpos multicapa.
Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia
(04/12/2019). Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Clasificación: H01L31/18, H01L31/032, C23C16/458, H01L21/67, H01L21/673.
Disposición de cuerpos multicapa (28a a 28e), que comprende
- al menos dos cuerpos multicapa , cada uno de los cuales tiene al menos una superficie a procesar,
- al menos un dispositivo (30a a 30g) para el posicionamiento de los cuerpos multicapa , donde el dispositivo (30a a 30g) está diseñado de tal manera que las superficies a procesar en cada caso se encuentren opuestas entre sí, caracterizada por que forman así un espacio de procesamiento casi cerrado (21') dispuesto entre las superficies , en el que tiene lugar el procesamiento, donde casi cerrado describe un espacio de procesamiento que está abierto en el borde y en el que, durante el período del procesamiento de los cuerpos multicapa no se produce prácticamente ningún intercambio de gases entre el espacio de procesamiento y sus alrededores, de modo que no se produce ningún cambio significativo en las condiciones del proceso en el espacio de procesamiento.
PDF original: ES-2774920_T3.pdf
Sistema de capas para células solares de película delgada con una capa de amortiguación de naxinisyclz.
Sección de la CIP Electricidad
(13/11/2019). Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Clasificación: H01L31/18, H01L31/032, H01L31/0392.
Sistema de capas para células solares de película delgada , que comprende:
- una capa de absorción que contiene un semiconductor compuesto de calcogenuro,
- una capa de amortiguación , que está dispuesta sobre la capa de absorción , en el que la capa de amortiguación contiene NaxIn1SyClz con
0,05 ≤ x < 0,2 o 0,2 < x ≤0,5,
0,6 ≤ x/z ≤ 1,4
y
1 ≤ y ≤ 2
en el que la capa de amortiguación contiene una proporción de oxígeno ≤ 10 % atómico y/o una proporción de cobre ≤ 10 % atómico,
en el que la capa de amortiguación contiene proporciones de otros elementos además del sodio, cloro, indio, azufre, oxígeno y cobre de ≤ 1% atómico.
PDF original: ES-2772449_T3.pdf
Sistema de capas para células solares de película delgada.
Sección de la CIP Electricidad
(09/10/2019). Solicitante/s: Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry. Clasificación: H01L31/0749.
Sistema de capas para células solares de película delgada, que comprende:
- una capa absorbente , que contiene un semiconductor compuesto de calcogenuro,
- una capa tampón , que está dispuesta sobre la capa absorbente , en donde la capa tampón tiene un material semiconductor de fórmula AxInySz, donde A es potasio (K) y/o cesio (Cs), con
0,015 ≤ x/(x+y+z) ≤ 0,25,
y
0,30 ≤ y/(y+z) ≤ 0,45.
PDF original: ES-2765496_T3.pdf
Sistemas de capas para células solares.
Sección de la CIP Electricidad
(25/09/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Clasificación: H01L31/032, H01L31/0749.
Sistema de capas para células solares de película delgada, que comprende una capa absorbente y una primera capa amortiguadora , estando formada la capa absorbente basándose en un material semiconductor compuesto de Cu(In,Ga)(S1-y,Sey)2, siendo 0 ≤ y ≤ 1, siendo la primera capa amortiguadora amorfa y comprendiendo la primera capa amortiguadora In2(S1-x,Sex)3+δ, siendo 0 ≤ x ≤ 1, caracterizado por que el desvío δ de la estequiometría se encuentra entre -0,2 y 0, y la relación de las concentraciones molares [S]/([Se]+[S]) en la superficie de la capa absorbente dirigida hacia la primera capa amortiguadora es de 20 % a 60 % y disminuye a valores de 5 % a 10 % en el interior de la capa absorbente.
PDF original: ES-2763159_T3.pdf
Método para producir un sistema de capas para células solares de película delgada que tienen una capa tampón de sulfuro de indio y de sodio.
Sección de la CIP Electricidad
(31/07/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry. Clasificación: H01L31/18.
Método para producir un sistema de capas para células solares de película delgada, donde
a) se produce una capa de absorbedor , donde la capa de absorbedor contiene un semiconductor compuesto de calcopirita, y
b) se produce una capa tampón en la capa de absorbedor , donde la capa tampón contiene sulfuro de sodio e indio de acuerdo con la fórmula NaxIny-x/3S donde 0,063 ≤ x ≤ 0,625 y 0,681 ≤ y ≤ 1,50, donde la fracción de porcentaje atómico de sulfuro de sodio e indio en la capa tampón es al menos 75%, y donde la capa tampón se produce sin deposición de sulfuro de indio, usándose al menos un compuesto de tioindato de sodio ternario como material fuente de partida para producir dicha capa tampón.
PDF original: ES-2753449_T3.pdf
Substrato conductor para celda fotovoltaica.
Sección de la CIP Electricidad
(17/01/2018). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Clasificación: H01L31/0224, H01L31/18, H01L31/032, H01L31/0216, H01L31/0392.
Substrato conductor para celda fotovoltaica, que comprende un substrato portador y un revestimiento de electrodo formado sobre el substrato portador , en el que el revestimiento de electrodo comprende:
- una capa principal a base de molibdeno formada sobre el substrato portador ;
- una capa barrera contra la selenización formada sobre la capa principal a base de molibdeno, teniendo la capa barrera contra la selenización un espesor inferior a 50 nm, preferentemente inferior o igual a 30 nm, preferentemente todavía inferior o igual a 20 nm; y
- sobre la capa barrera contra la selenización , una capa superior a base de un metal M apto para formar, después de sufuración y/o selenización, una capa de contacto óhmico con un material semiconductor fotoactivo.
PDF original: ES-2661862_T3.pdf
