Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor con una capa de pasivación y dispositivo semiconductor correspondiente.
Sección de la CIP Electricidad
(15/07/2020). Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Clasificación: H01L31/0236, H01L31/18, H01L21/56, H01L31/068, H01L31/0216, H01L21/268, H01L21/225.
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento:
- puesta a disposición de un sustrato semiconductor ;
- formación de una capa funcional en una superficie semiconductora del sustrato semiconductor ; y
- generación de al menos una zona dopada en la superficie semiconductora mediante introducción de una sustancia dopante de la capa funcional en el interior del sustrato semiconductor , formándose la capa funcional de tal modo que, al acabar el dispositivo semiconductor, pasiviza como capa de pasivación la superficie semiconductora , caracterizado por que la capa funcional está formada por óxido de aluminio (AlOx), óxido de titanio (TiOx), óxido de magnesio (MgOx) u óxido de cinc (ZnOx), actuando correspondientemente como sustancia dopante el titanio, magnesio o cinc del compuesto.
PDF original: ES-2819173_T3.pdf
Procedimiento para la fabricación de una célula solar.
(01/04/2020) Procedimiento para la fabricación de células solares que comprende las etapas de procedimiento:
- poner a disposición una oblea semiconductora con al menos una capa dieléctrica ,
- configurar una capa metálica sobre la capa dieléctrica y una estructura de contacto dispuesta en la capa dieléctrica , de modo que la estructura de contacto proporciona una conexión eléctrica entre la capa metálica y la oblea semiconductora , configurándose como estructura de contacto al menos una primera estructura (9a, 39a) con una dimensión mínima y al menos una segunda estructura (9b, 39b) con una dimensión máxima, de modo que la dimensión mínima de la primera estructura (9a, 39a) es superior a la dimensión máxima de la segunda estructura (9b, 39b), estando definidas la dimensión mínima y la dimensión máxima a lo largo de una superficie de la oblea semiconductora…
Dispositivo semiconductor y procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor.
Sección de la CIP Electricidad
(28/09/2018). Ver ilustración. Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Clasificación: H01L31/18, H01L31/0216.
Célula solar con una capa semiconductora y una capa de pasivación dispuesta sobre una superficie de la capa semiconductora para la pasivación de la superficie de la capa semiconductora , donde la capa de pasivación es una pasivación del lado posterior dispuesto en un lado posterior de la célula solar alejado de la luz configurada como capa de reflexión para la luz infrarroja y que comprende una capa parcial de pasivación química y una capa parcial de pasivación por efecto de campo dispuestas la una sobre la otra en la superficie de la capa semiconductora , donde la capa parcial de pasivación química está dispuesta entre la capa semiconductora y la capa parcial de pasivación por efecto de campo sobre la superficie de la capa semiconductora y donde se aplica una capa de recubrimiento de nitruro de silicio sobre la capa de pasivación.
PDF original: ES-2683911_T3.pdf
(18/06/2013) Célula solar que comprende una capa semiconductora con un primer dopado, una capa inductora dispuesta sobre la capa semiconductora y una capa de inversión o capa de acumulación ,inducida por la capa inductora en la capa semiconductora , por debajo de la capa inductora ,estando hecha la capa inductora esencialmente por completo con un material con una densidad decarga superficial de al menos 1012 cm-2, preferentemente de al menos 5·1012 cm-2, de forma especialmentepreferente de al menos 1013 cm-2, caracterizada porque la capa inductora está dispuesta directamentesobra la capa semiconductora .
(18/06/2013) Célula solar que comprende una capa semiconductora , una capa colectora para recoger portadoresde carga libres de la capa semiconductora y una capa tampón dispuesta entre la capasemiconductora y la capa colectora , capa tampón que está diseñada como un contacto túnel entre la capa semiconductora y la capa colectora , estando hecha la capa tampón esencialmentede un material con una densidad de carga superficial de al menos 1012 cm-2, preferentemente al menos5·1012 cm-2, de forma especialmente preferente de al menos 1013 cm-2, caracterizada porque la capasemiconductora adyacente a la capa tampón comprende una capa de dopado y/o una capa deinversión o capa de acumulación inducida mediante la capa tampón .
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR FOTOSENSIBLE POR AMBOS LADOS Y CELULA SOLAR FOTOSENSIBLE POR AMBOS LADOS.
(01/04/2009) Procedimiento para la fabricación de una célula solar que comprende un sustrato semiconductor en el que, mediante la energía de radiación incidente, se generan portadores de carga minoritarios y mayoritarios, y que por el lado trasero presenta primeras y segundas estructuras profundizadas en forma de línea o banda con, en cada caso, primeras y segundas paredes longitudinales, presentando las primeras paredes longitudinales de las primeras depresiones en forma de línea o banda una dirección igual o similar a la normal de la superficie y, con ello, una orientación similar o igual a las primeras paredes longitudinales de las segundas depresiones en forma de línea o banda, y las segundas paredes longitudinales de las primeras depresiones…
CELULA SOLAR DE CONTACTO EN LA CARA POSTERIOR Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.
Sección de la CIP Electricidad
(01/04/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: INSTITUT FUR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH. Clasificación: H01L31/0224, H01L31/18.
Procedimiento para la fabricación de una célula solar que comprende las siguientes etapas: - preparación de un substrato semiconductor con una cara anterior de substrato y una cara posterior de substrato; - realización de una primera y una segunda región en la cara posterior del substrato, extendiéndose las regiones respectivamente sustancialmente en paralelo a la cara anterior del substrato, y realización de un flanco inclinado, que separa la primera región de la segunda región ; - precipitación de una capa metálica al menos en regiones parciales de la cara posterior del substrato; - precipitación de una capa barrera al ácido al menos en regiones parciales de la primera capa metálica , siendo sustancialmente resistente la capa barrera al ácido a un ácido que ataca la capa metálica; - grabado al ácido de la capa metálica al menos en regiones parciales, eliminándose fundamentalmente la capa metálica en el flanco inclinado.
