7 inventos, patentes y modelos de BOY, PHILIPPE

Procedimiento de preparación de una solución sol-gel que se puede usar para la preparación de una cerámica de titanato de bario dopado con hafnio y/o con al menos un elemento lantánido.

Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad

(27/11/2019). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Clasificación: C04B35/00, H01L41/00.

Procedimiento de preparación de una solución sol-gel, que se puede usar para la preparación de una cerámica de titanato de bario dopado con hafnio y/o con al menos un elemento lantánido, que comprende las etapas siguientes: a) una etapa de puesta en contacto de una primera mezcla, que comprende un carboxilato de bario y un disolvente diol con una segunda mezcla, que comprende un alcóxido de titanio y un alcóxido de hafnio y/o un alcóxido de un elemento lantánido en un disolvente monoalcohólico; b) una etapa de destilación de la mezcla resultante de la etapa a), a fin de eliminar al menos una parte del disolvente monoalcohólico; c) una etapa de adición, en caliente, de ácido acético a la mezcla destilada de la etapa b).

PDF original: ES-2774084_T3.pdf

Procedimiento de preparación de un material sobre un sustrato mediante un sol-gel.

(21/05/2019) Procedimiento de preparación de un material a base de óxido(s) de elemento(s) metálico(s) sobre un sustrato, estando compuesto dicho sustrato por polvo(s) de óxido(s) de elemento(s) metálico(s) no sinterizado(s), consistiendo este procedimiento en las etapas sucesivas siguientes: a) depositar, en medio líquido, sobre una cara de este sustrato, una capa de una solución sol-gel precursora del uno o más óxido(s) de elemento(s) metálico(s) constitutivo(s) de dicho material, sin que dicha solución sol-gel sea una solución de material compuesto; b) depositar, en medio líquido, sobre dicha capa depositada en a), una capa que comprende una dispersión que comprende un polvo de óxido(s) de elemento(s)…

Procedimiento de preparación de un sol estable de circono-titanato de plomo y procedimiento de preparación de películas a partir de dicho sol.

Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad

(17/02/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Clasificación: C01G25/00, C01G23/00, C04B35/622, C01G21/00, C04B35/624, C04B35/491, H01L21/8246, H01L27/105.

Procedimiento de preparación de un sol de circono-titanato de plomo, denominado PZT, de fórmula PbZrxTi(1-x)O3 en la que 0,45 ≤ x ≤0,7, que comprende sucesivamente las etapas siguientes: a) preparar un sol concentrado en un diol, comprendiendo dicho sol un precursor basado en titanio, un precursor basado en circonio y un precursor basado en plomo; b) colocar dicho sol concentrado a temperatura ambiente sin agitación durante un período de 1 a 5 semanas para obtener una estabilización de la viscosidad de dicho sol, es decir, hasta la obtención de un sol que presenta una viscosidad constante en función del tiempo; c) una vez que se observa la estabilización de la viscosidad del sol, diluir el sol obtenido en el apartado b) con un disolvente compatible con el diol utilizado en la etapa a), en que el disolvente compatible es igual al diol utilizado en la etapa a).

PDF original: ES-2560079_T3.pdf

Procedimiento de realización de un revestimiento a base de un óxido cerámico adaptado a la geometría de un sustrato que presenta unos motivos en relieve.

(15/08/2012) Procedimiento de realización de un revestimiento de óxido cerámico adaptado a la geometría de un sustrato quepresenta unos motivos en relieve, que comprende: - una etapa de depósito sobre dicho sustrato de una capa de solución sol-gel precursor de dicha cerámica medianteinmersión-retirada, - una etapa de tratamiento térmico de dicha capa para transformarla en dicha cerámica; repitiéndose dichas etapas eventualmente una o varias veces, que se caracteriza porque la solución sol-gelprecursor de dicha cerámica se prepara mediante un procedimiento que comprende de forma sucesiva las etapassiguientes: a) preparar una primera solución mediante la puesta en contacto del o de los precursores moleculares de losmetales y/o metaloides destinados a entrar en la composición de la cerámica con un medio que comprende undisolvente que comprende al menos…

Procedimiento de preparación de óxidos cerámicos a base de plomo, titanio, zirconio y lantánido y lantánido(s).

(02/05/2012) Procedimiento de preparación de un material de óxido cerámico que comprende plomo, titanio, zirconio y un metallantánido, comprendiendo dicho procedimiento un ciclo de etapas aplicado n veces, correspondiendo n al número derepeticiones del ciclo y siendo un entero que comprendido entre 2 y 50, cada ciclo comprende sucesivamente:d) una etapa de depósito de una capa de una solución sol-gel sobre al menos una de las caras de un sustrato,obteniéndose dicha solución sol-gel mediante el procedimiento que comprende sucesivamente las siguientes etapas: a) preparar una solución sol-gel, poniendo en contacto un precursor molecular de plomo, un precursor molecular detitanio, un precursor molecular de zirconio y un precursor molecular del metal lantánido…

PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE MATERIALES PIEZOELECTRICOS.

(16/03/2009) Procedimiento de preparación de un material a base de óxido u óxidos cerámicos piezoeléctricos que comprende sucesivamente las etapas siguientes: a) depositar, en forma líquida, sobre al menos una cara de un substrato, una capa de una dispersión que comprende un polvo de óxido cerámico y una solución sol-gel precursora de un óxido cerámico, siendo el polvo de óxido cerámico piezoeléctrico y/o siendo la solución sol-gel precursora de un óxido cerámico piezoeléctrico; b) repetir a), una o varias veces, para obtener un apilamiento de al menos dos capas; c) tratar térmicamente dichas capas con el fin de transformarlas en la o las cerámicas correspondientes; d) impregnar por recubrimiento por inmersión el apilamiento obtenido en c) mediante una solución sol-gel idéntica…

CONDUCTOR TRANSPARENTE Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.

Secciones de la CIP Química y metalurgia Técnicas industriales diversas y transportes

(16/12/2003). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE. Clasificación: C03C17/34, B29D11/00, C23C14/00, C03C17/245.

Sustrato de polímero recubierto, al menos en parte, por una película conductora transparente basada en óxido de indio, en óxido de estaño y en óxido de germanio, en el que la relación de las concentraciones en peso de SnO2 a GeO2 en la película es de aproximadamente 1 a aproximadamente 10 y en el que el óxido de estaño representa aproximadamente 0, 5 % a aproximadamente 10 % en peso en la película, y el óxido de germanio representa de aproximadamente 0, 1 a aproximadamente 5 % en peso en la película.

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