8 inventos, patentes y modelos de ARAUJO GAY,DANIEL

Sección de la CIP Electricidad

(04/06/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Clasificación: H01L21/205, H01L29/94, H01L29/16.

Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo (MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo. La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más compleja.

Sección de la CIP Electricidad

(29/05/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Clasificación: H01L21/205, H01L29/94, H01L29/16.

Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo(MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo. La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más complejas.

PDF original: ES-2763702_B2.pdf

PDF original: ES-2763702_A1.pdf

Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Física

(18/11/2016). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Clasificación: B29C33/00, G01N1/28, B29C39/00.

Molde y procedimiento para la fabricación de probetas rectangulares de ancho variable de resinas epoxi RTM. La invención permite producir al mismo tiempo diferentes tipos de probetas rectangulares de anchos variables. Está compuesto de un pack de piezas metálicas y dos tapas de vidrio, que confieren al molde un armado intuitivo, estabilidad y facilidad de limpieza. Por su configuración y naturaleza de sus componentes, este molde produce probetas de resina epoxi exentas de burbujas y de un buen acabado. El principal interés de este aparato no reside solo en la fabricación de probetas rectangulares sin burbujas y de buen acabado, si no también, en la posibilidad de variar fácilmente la configuración interna del molde para producir otro tipo de probetas.

PDF original: ES-2590233_B2.pdf

PDF original: ES-2590233_A1.pdf

Secciones de la CIP Necesidades corrientes de la vida Química y metalurgia

(22/04/2016). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Clasificación: A61K31/352, A61K36/74, C07D311/86, A61K36/38, A61K36/60, A61K36/22, A61K36/51, A61K36/69, A61K36/83.

Procedimiento de concentración de xantonas a alta presión a escala semi-industrial a partir extractos de las familias Gentianaceae, Anacardiaceae, Rubiaceae, Moraceae, Clusiaceae, Polygalaceae y Thymelaeaceae, especialmente de la especie Mangifera indica L, a escala semi-industrial combina el uso de una fase estacionaria apolar o hidrofóbica y una fase móvil compuesta por CO₂ puro o una mezcla de CO₂ y un codisolvente polar como metanol o etanol en modo isocrático o modo gradiente. Consta de una etapa de lavado que utiliza un mínimo porcentaje de codisolvente para eluir inicialmente compuestos polares con poca afinidad por la fase móvil y/o solubles en CO₂, y una etapa de concentración de xantonas en la cual se incrementa el porcentaje de codisolvente a una concentración que permita eluir este tipo de moléculas las cuales presentan una afinidad media por la fase estacionaria y son escasamente solubles en el CO₂.

PDF original: ES-2567530_A1.pdf

PDF original: ES-2567530_B1.pdf

Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes

(08/05/2009). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Clasificación: B23K26/40, B23K26/04.

Método de mecanizado láser de materiales compuestos de resina epoxi reforzada con fibras de carbono.#Consigue el corte lineal y circular del material con una extensión reducida de zona afectada térmicamente por la acción del láser, con lo que se reducen los daños y por tanto se puede aplicar el método industrialmente.#La fuente láser usada es un generador láser de Nd:YAG, operando únicamente a la longitud de onda fundamental del mismo, 1064 nm, con lo que se elimina la problemática de la utilización de una longitud de onda para las fibras y una segunda longitud de onda para la resina.#Mediante la aplicación del láser a estos procesos se consigue acelerarlos y reducir las posibles emisiones contaminantes de partículas micrométricas, aumentando el nivel de precisión del proceso y unos niveles elevados de calidad en el resultado final.

Secciones de la CIP Física Electricidad

(16/02/2007). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Clasificación: G01N23/22, H01J37/244.

Sistema de catodoluminiscencia para microscopio electrónico de barrido. Permite la colección y análisis parcial de la señal de catodoluminiscencia emitida por ciertas muestras cuando interaccionan con un haz de electrones en el interior de un microscopio electrónico de barrido. Consta de un espejo parabólico de revolución y una gula de onda para la extracción de la señal del microscopio. Una lente de vacío , un soporte que permite su movimiento y un monocromador adaptable a dos distancias focales constituyen el subsistema dedicado al análisis parcial de la señal. Permite retirar parcialmente el sistema de recogida de fotones sin necesidad de romper el vacío de la cámara del microscopio. El sistema de colección y el de análisis están optimizados para que la relación entre los fotones que emite la muestra y los que finalmente lleguen al detector sea máxima, permitiendo analizar muestras con baja intensidad de emisión.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(01/11/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ, Y EN SU NOMBRE Y REPRESENTACION EL RECTOR D. GUILLERMO MARTINEZ MASSANET. Clasificación: H01L21/205, C23C16/36, H01L21/20, C30B25/02.

Sistema de carburización de silicio que permite producir, mediante un proceso de carburización, capas de SiC epitaxial, sobre sustratos comerciales como obleas de Si, de SOI, de Si delgado, de Si sobre cuarzo (SIQ), de Si sobre vidrio (SIG) y otros productos de Si crecido epitaxialmente en superficies. El sistema queda integrado por tres partes principales, el reactor de carburización, el sistema de bombeo y el de distribución de gases. El diseño del sistema permite su construcción a un coste notablemente inferior al de los construidos hasta ahora para el mismo fin. El proceso de carburización se lleva a cabo a temperaturas máximas comprendidas entre 1100ºC y 1300ºC haciendo pasar un flujo de una mezcla gaseosa de un hidrocarburo e hidrógeno sobre el sustrato de Si a carburizar, calentado por un horno. El sistema utiliza argón, nitrógeno y vacío, para los ciclos de purga o limpieza.