7 patentes, modelos y diseños de SOVONICS SOLAR SYSTEMS

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/12/1988). Clasificación: C23C16/22.

CONSISTE EN DEPOSITAR SOBRE UN SUSTRATO, CALENTADO A UNA TEMPERATURA ENTRE 150-375GC, AL MENOS UNA CAPA DE UNA ELECCION SEMICONDUCTORA MICROCRISTALINA A BASE DE SILICIO, FLUORADA Y P-ADULTERADA, PARA LO QUE SE ESTABLECE UNA DESCARGA ELECTRICA DE EFLUVIOS EN UNA MEZCLA PRECURSORA GASEOSA MANTENIDA A UNA PRESION DE 0,01-3 TORR Y QUE INCLUYE MENOS DE 1 POR CIENTO DE UN GAS PRECURSOR DE SEMICONDUCTOR, QUE CONTIENE SILICIO, MENOS DE 1 POR CIENTO DE UN GAS PRECURSOR ADULTERANTE QUE CONTIENE BORO, Y MAS DE 90 POR CIENTO DE GAS DILUYENTE, EN PARTICULAR HIDROGENO, DE CUYOS GASES AL MENOS UNO CINTIENE FLUOR, LLEVANDOSE DICHA DESCARGA ELECTRICA A CABO MEDIANTE APLICACION DE ENERGIA DE RADIOFRECUENCIA DE 13, 56 MHZ, A UNA POTENCIA DE 5-50 VATIOS, AL CATODO DEL APARATO DE DESCARGA EMPLEADO; COMBINANDO LA CAPA O CAPAS ASI FORMADAS CON OTRAS CAPAS DE MATERIAL DE ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA, HASTA LA OBTENCION DE LA ESTRUCTURA FOTOVOLTAICA DESEADA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/10/1987). Clasificación: H01L31/0392.

MODULO FOTOVOLTAICO SEMICONDUCTOR AMORFO DE GRAN SUPERFICIE. INCLUYE: UNA PLURALIDAD DE CELULAS FOTOVOLTAICAS (92A, 92B, 92C, 92D) DE MENOR AREA, QUE TIENE SUSTRATOS ELECTRICAMENTE CONDUCTORES FORMADOS POR MATERIAL METALICO ALUMINIO O TANTALO Y UNA PLURALIDAD DE BARRAS COLECTORAS (80A, 80B, 80C, 80D), CONECTADAS A UNA PLURALIDAD DE DEDOS DE REJILLA , FORMADAS POR DELGADAS TIRAS DE COBRE Y UTILIZADAS PARA ESTABLECER CONTACTO ELECTRICO ENTRE CELDAS ADYACENTES Y UNA PLURALIDAD DE MIEMBROS DE INTERCONEXION QUE ESTABLECEN UNA CONEXION EN SERIE ENTRE CELDAS ADYACENTES Y SON TIRAS DELGADAS DE COBRE. SE UTILIZA EN SISTEMAS FOTOGENERADORES.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/09/1987). Clasificación: C23C16/54.

APARATO PARA LA DEPOSICION EN CONTINUO DE MATERIAL DE ALEACION SEMICONDUCTORA. CONSTA DE UNA PLURALIDAD DE CAMARAS DE DEPOSICION INTERCONECTADAS EN CADA UNA DE LAS CUALES PUEDE DEPOSITARSE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR; DE AL MENOS UNA CAMARA DE DEPOSICION QUE CONTIENE UNA PLACA DE CATODO , GENERALMENTE VERTICAL, QUE TIENE CARAS OPUESTAS PARA ESTABLECER UN PLASMA CON UN SUSTRATOI CONTINUO QUE PASA A TRAVES DE LA CAMARA DE MANERA CONTINUA PARA DEPOSITAR UN MATERIAL DE ALEACION SEMICONDUCTORA SOBRE EL SUSTRATO; DE MEDIOS PARA HACER AVANZAR DE MANERA CONTINUA EL SUSTRATO A TRAVES DE LAS CAMARAS; Y DE MODULOS DE AISLAMIENTO QUE INTERCONECTAN CAMARAS ADYACENTES PARA EL PASO DEL SUSTRATO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/08/1987). Clasificación: H01L21/302.

METODO PARA SEPARAR UN DISPOSITIVO CONDUCTOR DE MENOR AREA A PARTIR DE UN AREA MAYOR DE UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA, SIN CREAR CORTOCIRCUITOS. CONSISTE EN SOPORTAR EL REVESTIMIENTO CONDUCTOR DE LA MAYOR AREA Y APLICAR UNA FUERZA DE CIZALLAMIENTO AL SUSTRATO CERCA DEL SOPORTE, PARA SEPARAR UNA MENOR AREA DE LA ESTRUCTURA A PARTIR DE DICHA ESTRUCTURA DE MAYOR AREA. ANTES DE SOPORTAR EL REVESTIMIENTO SE DEBE DISPONER UN MIEMBRO PROTECTOR DEL MISMO, EL CUAL SE SELECCIONA ENTRE CARTON, PAPEL, POLIMEROS Y COMBINACIONES DE LOS MISMOS. DE APLICACION EN LA PREPARACION POR DESCARGA INCANDESCENTE O POR DEPOSICION EN FASE VAPOR, DE ALEACIONES DE SILICIO O GERMANIO AMORFAS EN PELICULA DELGADA, CON CALIDAD PARA DISPOSITIVOS EN GRANDES AREAS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/05/1987). Clasificación: H01L21/205.

METODO PARA FABRICAR UNA ALEACION SEMICONDUCTORA. CONSISTE EN ESTABLECER UNA DESCARGA INCANDESCENTE EN UNA MEZCLA GASEOSA QUE CONTIENE UN COMPUESTO CON CONTENIDO DE SILICIO Y UN COMPUESTO CON CONTENIDO DE GERMANIO, QUE SE DESCOMPONEN A REGIMENES SUSTANCIALMENTE SIMILARES, INCLUYENDO LA MEZCLA GASEOSA DISILANO Y GERMANO Y UNA FUENTE GASEOSA DE ATOMOS DE FLUOR, TENIENDO LA MEZCLA LAS SIGUIENTES PROPORCIONES EN VOLUMEN: DE 0,3 A 3 PARTES DE DISILANO, DE 0,3 A 3 PARTES DE GERMANO, Y DE 0 A 3 PARTES DE TETRAFLUORURO SILICICO. TIENE UTILIDAD PARA FABRICAR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS TALES COMO PILAS FOTOVOLTAICAS.

Sección de la CIP Física

(16/01/1987). Clasificación: G03G5/082.

METODO DE DEPOSITAR UNA ALEACION SEMICONDUCTORE, AMORFA, DEL TIPO P. CONSISTE EN HABILITAR CAMARAS DE VACIO ; SOMETER A VACIO A LAS CAMARAS HASTA UNA PRESION DE 10C2 TORR; HABILITAR UN SUSTRATO ; CALENTAR EL SUSTRATO HASTA UNA TEMPERATURA DE DEPOSICION DE 150 A 300JC; APLICAR UN CAMPO ELECTROMAGNETICO UTILIZANDO UNA RADIOFRECUENCIA DE 13,56 MHZ A FIN DE ESTABLECER UNA DESCARGA LUMINOSA DE EFLUVIOS EN UNA MEZCLA GASEOSA QUE INCLUYE AL MENOS UN GAS PRECURSOR DE SEMICONDUCTOR; E INTRODUCIR UNA FUENTE GASEOSA DE BORO COMINADA CON UNA FUENTE DE UN HALOGENO Y UN PSEUDOHALOGENO, INCORPORANDOSE MONOATOMICAMENTE UN 1,9% ATOMICO DE BORO EN LA ALEACION SEMICONDUCTORA A MEDIDA QUE SE VA DEPOSITANDO DICHA ALEACION.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/12/1986). Clasificación: C23C16/22.

PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE ALEACIONES MICROCRISTALINAS SEMICONDUCTORAS FLUORADAS, P-ADULTERADAS; BASADA EN SILICIO. CONSISTE EN DEPOSITAR UNA PELICULA DE LA ALEACION SEMICONDUCTORA, EN UNA MEZCLA GASEOSA CONTENIENDO MENOS DEL 1% DE GAS PRECURSOR SEMICONDUCTOR QUE INCLUYE SILICIO, MENOS DEL 1% DE GAS PRECURSOR ADULTERANTE QUE INCLUYE BORO, Y MAS DEL 90% DE GAS DILUYENTE, INCLUYENDO ALGUNO DE ELLOS FLUOR. SE USA EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.