Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada.
(30/11/2016) Un fotodiodo PIN que comprende:
una primera capa semiconductora tipo p;
una capa semiconductora tipo n;
una segunda capa semiconductora tipo p dispuesta entre la primera capa semiconductora tipo p y la capa semiconductora tipo n de tal manera que el segundo semiconductor tipo p está directamente adyacente a la capa semiconductora, teniendo la segunda capa semiconductora tipo p una concentración de dopaje graduada;
un sustrato , creciendo la capa semiconductora tipo n sobre el sustrato ;
una capa de ánodo para recolectar agujeros;
una capa de cátodo para recolectar electrones;
en el que la concentración de dopaje graduada define una primera concentración adyacente a la primera capa semiconductora…
Sistema para el cálculo de propiedades de material usando radiación de terahercios de reflexión y una estructura de referencia externa.
(08/06/2016) Un sistema para interpretar una radiación de terahercios, comprendiendo el sistema :
un transmisor de terahercios que está configurado para emitir un pulso de radiación de terahercios a través de un primer acceso ;
un receptor de terahercios que está configurado para recibir al menos una porción del pulso de radiación de terahercios a través del primer acceso , en el que el receptor de terahercios está configurado para emitir una señal en función de la radiación recibida por el receptor de terahercios ;
una primera interfase óptica que proporciona una interferencia óptica al pulso de radiación de terahercios, en el que la primera…
Sistema para medir la posición o posiciones temporales de tránsito de pulsos en datos en el dominio del tiempo.
(27/04/2016) Un sistema para interpretar una forma de onda de terahercios (THz), comprendiendo el sistema un transmisor de THz configurado para emitir un pulso de radiación de THz;
un receptor de THz configurado para recibir al menos una porción del pulso de radiación de THz; un interferómetro de Fabry Pérot de calibración interno configurado para recibir el pulso de radiación de THz que proviene del transmisor de THz y para reflejar una pequeña porción del pulso de THz hacia el receptor de THz y para dejar que la mayor parte de la energía del pulso de THz pase a su través, en el que el interferómetro de Fabry Pérot de calibración interno comprende una superficie frontal de interferómetro de Fabry Pérot y una…
(12/03/2014) Un fotodetector PIN que comprende:
una primera capa de contacto semiconductora configurada como una estructura de mini-mesa ;
una capa de absorción semiconductora , teniendo la estructura de mini-mesa un área más pequeña que la capa de absorción semiconductora ;
una capa de pasivación semiconductora colocada entre la estructura de mini-mesa y la capa de absorción semiconductora , en relación con la capa de pasivación y la capa de absorción , estando la estructura de mini-mesa en contacto físico directo solo con la capa de pasivación ; y
una segunda capa de contacto semiconductora , estando colocadas la capa de absorción semiconductora y la capa de pasivación entre la estructura de mini-mesa y la segunda capa de contacto semiconductora …
COMPENSADOR DE DISPERSIÓN Y NO LINEAL PARA FIBRA ÓPTICA DE DISTRIBUCIÓN.
(24/11/2011) Un sistema para compensar la dispersión en un sistema de terahercios, el sistema comprendiendo: una fibra óptica configurada para transmitir un impulso óptico; un compensador ópticamente acoplado a la fibra óptica, el compensador configurado para compensar una dispersión del impulso óptico causada cuando el impulso óptico se propaga a través de la fibra óptica; un dispositivo de terahercios ópticamente inducido provisto de una antena, el dispositivo de terahercios ópticamente inducido acoplado ópticamente al compensador, por lo que el dispositivo de terahercios está configurado para transmitir o recibir radiación de terahercios a través de la antena; en el que el dispositivo de terahercios ópticamente inducido es un receptor de terahercios, en el que…
DISPOSITIVO FOTOCONDUCTOR.
(28/04/2011) Estructura semiconductora fotodetectora que comprende: contactos metálicos ; un substrato de GaAs o InP ; una capa epitaxial con crecimiento a baja temperatura no estequiométrica y rica en arsénico de Inx Ga1-x As cuyo crecimiento se ha efectuado sobre el substrato , siendo x superior aproximadamente a 0,1 y menor aproximadamente de 0,53; y una capa semiconductora epitaxial con intersticio de banda más amplia con crecimiento en forma de capa de recubrimiento por encima de la capa epitaxial de Inx Ga1-x As, en la que la capa de recubrimiento epitaxial de intersticio de banda más amplia es colocada entre los contactos metálicos y la capa epitaxial de Inx Ga1-x As; en…
PRE-COMPENSADOR DISPERSIVO PARA UTILIZACIÓN EN UN SISTEMA DE GENERACIÓN Y DETECCIÓN DE RADIACIÓN ELECTROMAGNÉTICA.
(04/03/2011) Sistema de emisión y detección de radiación electromagnética en la región de los terahercios , que comprende - una fuente óptica de rayos láser de impulsos cortos que produce impulsos de salida de femtosegundos - medios pre-compensadores acoplados a la fuente de rayos láser , - un divisor de fibras acoplado al precompensador para dividir el impulso óptico precompensado para entrar en una primera fibra óptica y en una segunda fibra óptica que están acopladas al divisor - en el que los medios pre-compensadores añaden dispersión de signo opuesto a dichos impulsos ópticos para corregir el estiramiento de los impulsos ópticos al desplazarse…