46 patentes, modelos y diseños de Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon (pag. 2)
Revestimiento transparente al radar.
Sección de la CIP Electricidad
(29/11/2017). Inventor/es: SCHULER, PETER, RIBEIRO,CARLOS, KECKES,ANTAL. Clasificación: H01Q1/32, H01Q1/44, H01Q1/42.
Componente transparente al radar que comprende un cuerpo de materia plástica transparente al radar, en el cual por lo menos unas partes de la superficie presentan una capa pulverizada por magnetrón y que contiene esencialmente silicio, el cuerpo de materia plástica transparente al radar consiste de un plástico negro, el espesor de la capa pulverizada por magnetrón que contiene esencialmente silicio es de entre 10 y 100 nm, y entre el cuerpo de materia plástica transparente al radar y una capa pulverizada por magnetrón que contiene esencialmente silicio, una capa intermedia está aplicada, que comprende una capa de polímero que consiste de un barniz acrílico sometido a un curado por UV y que alisa la estructura de la superficie, y sobre la capa pulverizada por magnetrón y que contiene esencialmente silicio una capa de polímero está aplicada que se obtura con respecto al entorno y que consiste de un barniz acrílico sometido a un curado por UV.
PDF original: ES-2656001_T3.pdf
Herramientas de corte con recubrimiento multicapa de AL-Cr-B-N / Ti-Al-N.
(22/11/2017) Sistema de recubrimiento multicapa depositado sobre al menos una parte de una superficie sólida del cuerpo y que contiene en las arquitectura multicapa, capas individuales de Al-Cr-BN depositadas por medio de un método físico de deposición de vapor caracterizado porque en al menos una parte del espesor total del sistema de recubrimiento multicapa, las capas individuales de Al-Cr-BN se combinan con capas individuales de Ti-Al-N, en el que las capas individuales de Al-Cr-BN y Ti-Al-N se depositan alternativamente una sobre otra, y en el que el espesor de las capas individuales de Al-Cr-BN son más gruesas que el espesor de las capas individuales de Ti-Al-N, y por lo tanto la tensión residual del sistema de recubrimiento multicapa es considerablemente menor en comparación con la tensión…
Configuración magnética modificable para fuentes de evaporación por arco.
(11/10/2017) Fuente de evaporación por arco con una disposición de campo magnético prevista en un blanco a partir de un material de revestimiento para la generación de campos magnéticos en y por encima de la superficie de blanco, comprendiendo la disposición de campo magnético imanes permanentes centrales (5a), imanes permanentes marginales y al menos una bobina anular dispuesta detrás del blanco, cuyo diámetro interior limitado por los devanados es preferentemente menor o igual, en todo caso no considerablemente mayor que el diámetro del blanco, caracterizada por que los imanes permanentes marginales y los imanes permanentes centrales (5a) pueden desplazarse esencialmente en perpendicular a la superficie del blanco de manera que se alejan del blanco y la proyección de los imanes…
Recubrimiento decorativo de color negro intenso.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(13/09/2017). Inventor/es: GUIMOND,SEBASTIEN, WURZER,MANFRED, WIDOWITZ,FRANZ. Clasificación: C23C16/02, C23C16/00, C23C16/455, C23C16/26.
Capa de materia dura sobre un componente, comprendiendo la capa de materia dura una capa DLC con una dureza de al menos 10 GPa y un índice de refracción nDLC de nDLC>2,1, caracterizada por que sobre la capa de carbono como diamante está prevista una capa en gradiente con un grosor de al menos 300 nm que presenta un gradiente de índice de refracción, no quedando el índice de refracción de la capa en gradiente, promediado sobre 30 nm, en la zona de la capa límite respecto a la capa DLC por debajo del valor de 2,0 y no superando el índice de refracción de la capa en gradiente, promediado sobre 30 nm, en la zona de la transición respecto al aire el valor de 1,85 y situándose preferiblemente en n≥1,7.
PDF original: ES-2650401_T3.pdf
Recubrimiento DCL con una capa de entrada.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(13/09/2017). Inventor/es: GUIMOND,SEBASTIEN, WURZER,MANFRED, WIDOWITZ,FRANZ. Clasificación: C23C16/02, C23C16/00, C23C16/455, C23C16/50, C23C16/26.
Capa de materia dura sobre un componente, comprendiendo la capa de materia dura una capa DLC con una dureza de al menos 10 GPa, caracterizada por que sobre la capa de carbono como diamante está prevista una capa en gradiente DLC con un grosor de al menos 300 nm, estando implementada la capa en gradiente DLC con una densidad decreciente y por tanto con una dureza decreciente, y no diferenciándose la capa en gradiente DLC de la capa DLC con respecto a los elementos químicos que comprenden.
PDF original: ES-2650379_T3.pdf
Fuente de evaporación por arco voltaico al vacío, así como una cámara de evaporación por arco voltaico con una fuente de evaporación por arco voltaico al vacío.
(23/08/2017) Fuente de evaporación por arco voltaico al vacío que comprende una fuente de campo magnético con forma de anillo y un cuerpo de cátodo con un material de evaporación como cátodo para la generación de una descarga por arco voltaico sobre una superficie de evaporación del cátodo , en cuyo caso el cuerpo de cátodo se limita en una primera dirección axial de una base de cátodo y en una segunda dirección axial de la superficie de evaporación en dirección axial, y la fuente de campo magnético con forma de anillo se polariza en paralelo o antiparalelo hacia una normal superficial de la superficie de evaporación y se dispone de modo concéntrico hacia la normal…
Soporte para revestimiento de cabezal de taladro.
(08/03/2017) Soporte para sustentar taladros en una instalación de revestimiento, con una primera pared perforada con primeros orificios y una segunda pared perforada, separada con respecto a la primera pared, con segundos orificios o hendiduras, que están armonizados con respecto a los primeros orificios, de manera tal que los taladros pueden introducirse de manera correspondiente en los primeros orificios y los mismos taladros puedan introducirse simultáneamente en los segundos orificios o hendiduras comprendiendo el soporte por lo menos una tercera pared separada con respecto a la segunda pared, que es adecuada para…
(15/02/2017) Dispositivo de generación de plasma, comprendiendo
una fuente de plasma con cuerpo hueco fuente de plasma y una unidad de emisión de electrones que hace posible emitir electrones libres en el cuerpo hueco fuente de plasma , en donde el cuerpo hueco fuente de plasma presenta una primera entrada de gas (7a) y una abertura de fuente de plasma que forma una abertura que lleva a una cámara de vacío,
así como un ánodo con cuerpo hueco de ánodo , en donde el cuerpo hueco de ánodo presenta una segunda entrada de gas (7b) y una abertura de ánodo ,
y una fuente de tensión cuyo polo negativo está unido con la unidad de emisión de electrones y cuyo polo positivo está unido con el cuerpo hueco de ánodo , en donde el polo positivo…
Recubrimiento para aplicaciones con alta temperatura y carga tribológica.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(04/01/2017). Inventor/es: Ramm,Juergen,Dr, SOEBISCH,MATHIAS LUKAS. Clasificación: C10N40/20, C10N40/36, C10M103/06, C01G39/00, C10N30/06, C10N30/08, C10N10/12, C10N10/02, C10N10/08, C10N10/10.
Recubrimiento con sistema de capas multiestratos y capa lubricante final, conteniendo el sistema de capas multiestratos al menos una capa HT y poseyendo la capa lubricante final una composición según Moa-Xb-Yc , siendo a, b y c la concentración atómica del correspondiente componente y siendo a+b+c ≥ 1 y 0 ≤ b < a y 0 ≤ c < a, con X como componente metálico variable: B, Si, V, W, Zr, Cu y Ag o una combinación de ellos y con Y como componente no metálico variable: C, O y N o una combinación de ellos, comprendiendo el sistema de capas multiestrato al menos una capa con actividad lubricante, caracterizado por que la al menos una capa con actividad lubricante es una capa Ti-Al-Mo-N que contiene un contenido promediado en Mo, medido con preferencia con EDX y kV, del 20 a 60 %at, con preferencia del 25 a 35 %at, con especial preferencia del 30 %at.
PDF original: ES-2621234_T3.pdf
Fuente de revestimiento con un objetivo adaptado en un dispositivo de refrigeración indirecta.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(30/11/2016). Inventor/es: KRASSNITZER,SIEGFRIED, HAGMANN,JUERG. Clasificación: C23C14/34.
Fuente de revestimiento compuesta de un objetivo con parte delantera y trasera, cuya parte trasera está dispuesta en una pared del soporte de fuente , en el que está integrada una refrigeración indirecta con canal de refrigeración , en donde el objetivo está fijado al soporte de fuente a través de las medidas apropiadas y la pared del soporte de fuente en la que está dispuesto el objetivo , está configurada en forma de membrana flexible , la cual separa el canal de refrigeración de la parte trasera del objetivo , caracterizada por que en la parte posterior del objetivo y/o en aquella pared del soporte de fuentes, en la que está dispuesto el objetivo, se ha pegado una hoja de carbono autoadhesiva.
PDF original: ES-2617518_T3.pdf
Instalación de barnizado.
(05/10/2016) Instalación de barnizado , que comprende por lo menos los siguientes medios:
a) medios para la limpieza de los sustratos que deben barnizarse;
b) medios para el barnizado de los sustratos;
c) medios para endurecer los sustratos barnizados,
estando configurada la instalación de barnizado en una modalidad constructiva modular y para cada uno de los medios a) a c) se ha previsto un módulo propio y cada módulo comprende un dispositivo de transporte autónomo, de manera tal durante la operación conjunta de los módulos , se realiza un transporte continuo en línea a un transporte en línea continuo en la dirección del movimiento a través de los módulos , en donde cada uno de estos módulos comprende una…
Fuente de evaporación en vacío de arco voltaico, así como una cámara de evaporación en vacío de arco voltaico con una fuente de evaporación en vacío de arco voltaico.
(18/05/2016) Fuente de evaporación en vacío de arco voltaico, que comprende una fuente de campo magnético en forma de anillo y un cuerpo de cátodo con un material de evaporación como cátodo para la generación de una descarga de arco voltaico sobre una superficie de evaporación del cátodo , en la que el cuerpo del cátodo está limitado en una primera dirección axial por un fondo del cátodo y en una segunda dirección axial por la superficie de evaporación en dirección axial, y la fuente de campo magnético en forma de anillo está polarizada paralela o antiparalela a una normal superficial de la superficie de evaporación y está dispuesta concéntricamente a la normal superficial de la superficie de evaporación , en la que un anillo de amplificación del campo magnético…
Procedimiento para la producción de capas de TIXSI1-xN.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(11/05/2016). Inventor/es: KRASSNITZER,SIEGFRIED, KURAPOV,DENIS. Clasificación: C23C14/34, C23C14/02, C23C14/06, C23C14/35.
Método para recubrir una pieza de trabajo con un recubrimiento que comprende por lo menos una capa de TixSi1-x N, en la cual x es ≤ 0,85 y en cuyo caso las capas de TixSi1-xN contienen nanocristales y los nanocristales contenidos tienen un tamaño medio de grano de no más de 15 nm, en donde x es la concentración Ti, que se expresa en % atómico, si sólo se toman los elementos metálicos en consideración, caracterizado por que, para la preparación de la capa de TixSi1-xN, se utiliza un método de pulverización catódica en el que por lo menos un objetivo de TixSi1-xN se utiliza como un objetivo de pulverización catódica; x ≤ 0,85 en % atómico; en la superficie del objetivo del objetivo de pulverización catódica, llega a densidades de corriente de por lo menos 0,2 A / cm2, preferiblemente superiores a 0,2 A/ cm210.
PDF original: ES-2630316_T3.pdf
Procedimiento para la fabricación de capas decorativas de material duro por HIPIMS.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(04/05/2016). Inventor/es: KRASSNITZER,SIEGFRIED. Clasificación: C23C14/34, C23C14/06, C23C14/35, C23C14/00.
Procedimiento para el revestimiento al menos de zonas parciales de la superficie de un sustrato o para la fabricación de sustratos con una zona de superficie con una capa decorativa de material duro en una cámara de revestimiento, en el que para la fabricación de la capa de material duro se aplica un proceso reactivo HIPIMS, en el que se utiliza al menos un gas reactivo, y se usa al menos un objetivo de un material que puede reaccionar con el gas reactivo durante la realización del proceso HIPIMS, de manera que de este modo se produce un color de capa predeterminado, en el que el proceso HIPIMS se realiza usando pulsos de potencia y/o secuencias de pulsos de potencia con un contenido energético referido a la superficie objetivo de al menos 0,2 Joule/cm2 por pulso de potencia y/o por secuencia de pulsos de potencia , caracterizado por que el objetivo comprende titanio o titanio y aluminio o zirconio.
PDF original: ES-2636867_T3.pdf