Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor con una capa de pasivación y dispositivo semiconductor correspondiente.
Sección de la CIP Electricidad
(15/07/2020). Inventor/es: ENGELHART,PETER, SCHERFF,MAXIMILIAN, BORDIHN,STEFAN, KLÖTER,BERNHARD. Clasificación: H01L31/0236, H01L31/18, H01L21/56, H01L31/068, H01L31/0216, H01L21/268, H01L21/225.
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento:
- puesta a disposición de un sustrato semiconductor ;
- formación de una capa funcional en una superficie semiconductora del sustrato semiconductor ; y
- generación de al menos una zona dopada en la superficie semiconductora mediante introducción de una sustancia dopante de la capa funcional en el interior del sustrato semiconductor , formándose la capa funcional de tal modo que, al acabar el dispositivo semiconductor, pasiviza como capa de pasivación la superficie semiconductora , caracterizado por que la capa funcional está formada por óxido de aluminio (AlOx), óxido de titanio (TiOx), óxido de magnesio (MgOx) u óxido de cinc (ZnOx), actuando correspondientemente como sustancia dopante el titanio, magnesio o cinc del compuesto.
PDF original: ES-2819173_T3.pdf
Procedimiento para la fabricación de una célula solar.
(01/04/2020) Procedimiento para la fabricación de células solares que comprende las etapas de procedimiento:
- poner a disposición una oblea semiconductora con al menos una capa dieléctrica ,
- configurar una capa metálica sobre la capa dieléctrica y una estructura de contacto dispuesta en la capa dieléctrica , de modo que la estructura de contacto proporciona una conexión eléctrica entre la capa metálica y la oblea semiconductora , configurándose como estructura de contacto al menos una primera estructura (9a, 39a) con una dimensión mínima y al menos una segunda estructura (9b, 39b) con una dimensión máxima, de modo que la dimensión mínima de la primera estructura (9a, 39a) es superior a la dimensión máxima de la segunda estructura (9b, 39b), estando definidas la dimensión mínima y la dimensión máxima a lo largo de una superficie de la oblea semiconductora…
Módulo solar con dispositivo enchufable.
(18/09/2019) Módulo solar que tiene una superficie frontal y una superficie posterior, que comprende:
- un componente de encapsulación frontal que forma la superficie frontal del módulo solar,
- una pluralidad de células solares conectadas eléctricamente entre sí,
- un elemento de encapsulación posterior que forma la superficie posterior del módulo solar y que tiene una película plástica de polímero y
- al menos un dispositivo enchufable para la conexión a una estructura complementaria, en el que el dispositivo enchufable está laminado al menos parcialmente en la zona de una sección de superposición en el elemento de encapsulación posterior , en el que el elemento de encapsulación posterior…
Procedimiento de marcación de celdas solares y celda solar.
Sección de la CIP Electricidad
(22/05/2019). Inventor/es: MULLER, JORG, PATZLAFF,TORALF. Clasificación: H01L31/18, H01L23/544.
Procedimiento de marcación de celdas solares, con los pasos
- disposición de un sustrato con una superficie de sustrato para confeccionar una celda solar que presenta una zona activa , y
- producción de como mínimo un ahondamiento en la superficie de sustrato mediante el uso de radiación láser, donde el como mínimo un ahondamiento forma una marcación para marcar la celda solar , y la producción del ahondamiento se realiza antes de efectuar un proceso de confección de celdas solares o mientras se lleva a cabo un proceso de fabricación de celdas solares,
caracterizado porque el sustrato se conforma como plaquita semiconductora con una superficie de plaquita, y la marcación en la superficie de plaquita se posiciona de modo tal que la marcación se ubica en la zona activa de la celda solar formada por la plaquita semiconductora.
PDF original: ES-2335156_T3.pdf
PDF original: ES-2335156_T5.pdf
Dispositivo semiconductor y procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor.
Sección de la CIP Electricidad
(28/09/2018). Ver ilustración. Inventor/es: ENGELHART,PETER, DINGEMANS,GIJS, KESSELS,WILHELMUS MATHIJS MARIE, SEGUIN,ROBERT. Clasificación: H01L31/18, H01L31/0216.
Célula solar con una capa semiconductora y una capa de pasivación dispuesta sobre una superficie de la capa semiconductora para la pasivación de la superficie de la capa semiconductora , donde la capa de pasivación es una pasivación del lado posterior dispuesto en un lado posterior de la célula solar alejado de la luz configurada como capa de reflexión para la luz infrarroja y que comprende una capa parcial de pasivación química y una capa parcial de pasivación por efecto de campo dispuestas la una sobre la otra en la superficie de la capa semiconductora , donde la capa parcial de pasivación química está dispuesta entre la capa semiconductora y la capa parcial de pasivación por efecto de campo sobre la superficie de la capa semiconductora y donde se aplica una capa de recubrimiento de nitruro de silicio sobre la capa de pasivación.
PDF original: ES-2683911_T3.pdf
(18/06/2013) Célula solar que comprende una capa semiconductora , una capa colectora para recoger portadoresde carga libres de la capa semiconductora y una capa tampón dispuesta entre la capasemiconductora y la capa colectora , capa tampón que está diseñada como un contacto túnel entre la capa semiconductora y la capa colectora , estando hecha la capa tampón esencialmentede un material con una densidad de carga superficial de al menos 1012 cm-2, preferentemente al menos5·1012 cm-2, de forma especialmente preferente de al menos 1013 cm-2, caracterizada porque la capasemiconductora adyacente a la capa tampón comprende una capa de dopado y/o una capa deinversión o capa de acumulación inducida mediante la capa tampón .
(18/06/2013) Célula solar que comprende una capa semiconductora con un primer dopado, una capa inductora dispuesta sobre la capa semiconductora y una capa de inversión o capa de acumulación ,inducida por la capa inductora en la capa semiconductora , por debajo de la capa inductora ,estando hecha la capa inductora esencialmente por completo con un material con una densidad decarga superficial de al menos 1012 cm-2, preferentemente de al menos 5·1012 cm-2, de forma especialmentepreferente de al menos 1013 cm-2, caracterizada porque la capa inductora está dispuesta directamentesobra la capa semiconductora .
