(12/03/2014) Un dispositivo de foco de LED , que incluye: un conjunto de LED que tiene un módulo de matriz de LED montado en un disipador de calor de LED que está abierto al flujo de aire/agua; y un receptáculo , estando fijado el conjunto de LED con respecto a dicho receptáculo , caracterizado porque el receptáculo incluye un espacio de ventilación que permite el flujo de aire/agua hacia, y desde el disipador de calor del LED del conjunto de LED .
(30/05/2013) Aparato de LED para una iluminación hacia un lado preferente en una dirección predeterminada que incluye una placa de montaje , un conjunto de LED sobre esta con una lente primaria que tiene un eje central , un elemento de lente secundaria sobre la lente primaria a lo largo del eje central y que establece una trayectoria de luz , en el que el elemento de lente secundaria es asimétrico que tiene un patrón de iluminación con un lado preferente y un lado no preferente e incluye una porción de lente asimétrica ; caracterizado por el hecho de que el elemento de lente secundaria tiene una porción de reborde alrededor de la porción de lente ; y dicho aparato de LED incluye un elemento de pantalla que comprende la forma de una capa posicionada…
(30/05/2013) Un aparato de LED que incluye (a) una placa de montaje , (b) una pluralidad de dispositivos LED sobre esta, (c) un elemento de lente sobre cada dispositivo de LED y (d) una barrera de seguridad posicionada sobre la placa de montaje y que incluye una capa de metal (30m), teniendo la barrera suficiente espesor para encerrar elementos eléctricos sobre la placa de montaje y que incluye una pluralidad de aberturas cada una dimensionada para permitir que luz de uno de los dispositivos LED las atraviesen y a través de una porción transmisora de luz del elemento de lente sobre un tal dispositivo de LED para impedir el contacto de dedos de elementos eléctricos sobre la placa de montaje cuando la porción transmisora de luz no está…
(27/05/2013) Método de fabricación de un dispositivo de carburo de silicio, que comprende: - formar una pluralidad de un mismo tipo de dispositivos de carburo de silicio sobre al menos una parte de una oblea de carburo de silicio con un diseño predefinido, teniendo los dispositivos de carburo de silicio contactos primeros correspondientes sobre una primera cara de la oblea de carburo de silicio, - probar eléctricamente la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio para identificar aquellos de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio que pasan una prueba eléctrica; e - interconectar selectivamente…
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/05/2007). Inventor/es: CARTER, CALVIN, H., JR., BRADY, MARK, TSVETKOV, VALERI F. Clasificación: C30B29/36, C30B23/00, C30B33/00.
Monocristal volumétrico semiaislante de carburo de silicio que tiene una resistividad de al menos 5.000 O-cm a temperatura ambiente, una concentración de elementos de captura de nivel profundo que se encuentra por debajo de la cantidad que afecta a las características eléctricas del cristal, y una concentración de átomos de nitrógeno que se encuentra por debajo de 1 x 1017 cm-3.
Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia
(16/10/2006). Inventor/es: PAISLEY, MICHAEL, JAMES, SUMAKERIS, JOSEPH, JOHN. Clasificación: H01L21/00, C23C16/458, C23C14/50, C30B25/12.
Aparato de rotación impulsado por gas para su uso con un flujo de gas impulsor, comprendiendo el aparato: a) un elemento de base que tiene una superficie (151A) superior; b) un plato principal que recubre la superficie superior del elemento de base; y c) un plato satélite que recubre el plato principal; d) en el que el aparato está adaptado para dirigir el flujo de gas impulsor entre la superficie (151A) superior del elemento de base y el plato principal, de tal manera que el plato principal se haga rotar con respecto al elemento de base mediante el flujo del gas impulsor; y dirigir al menos una parte del flujo de gas impulsor desde entre la superficie superior del elemento de base y el plato principal hasta entre el plato principal y el plato satélite, de tal manera que el plato satélite se haga rotar con respecto al plato principal mediante al menos una parte del flujo de gas impulsor.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/12/2005). Ver ilustración. Inventor/es: CARTER, CALVIN, H., JR., BRADY, MARK, TSVETKOV, VALERI F., MUELLER, STEPHAN, HOBGOOD, HUDSON, M. Clasificación: C30B1/00.
Monocristal de carburo de silicio semiaislante, que comprende: dopantes donadores, boro y defectos puntuales intrínsecos que actúan como aceptores en dicho monocristal de carburo de silicio; en el que el número de dopantes donadores es superior al número de átomos de boro; y el número de defectos puntuales intrínsecos en dicho cristal de carburo de silicio que actúan para compensar el dopante donador es superior a la diferencia numérica mediante la cual dicho dopante donador predomina sobre dicho boro; y la concentración de elementos de transición es inferior a 1 x 1016; teniendo dicho monocristal de carburo de silicio una resistividad de al menos 5000 ohm-cm a temperatura ambiente.
Sección de la CIP Electricidad
(01/07/2005). Ver ilustración. Inventor/es: RYU, SEI-HYUNG, AGARWAL, ANANT, CAPELL, CRAIG, PALMOUR, JOHN, W. Clasificación: H01L25/07, H01L21/66, H01L21/98.
Método de fabricación de un dispositivo de carburo de silicio, que comprende: - formar una pluralidad de un mismo tipo de dispositivos de carburo de silicio sobre al menos una parte de una oblea de carburo de silicio con un diseño predefinido, teniendo los dispositivos de carburo de silicio contactos primeros correspondientes sobre una primera cara de la oblea de carburo de silicio, - probar eléctricamente la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio para identificar aquellos de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio que pasan una prueba eléctrica; e - interconectar selectivamente el primer contacto de los identificados de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio, aplicando selectivamente un fotorrepetidor de modo que se proporcione interconexión entre los identificados de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio.
(16/06/2005) Método de control y potenciación del crecimiento de cristales únicos de SiC de alta calidad en un sistema de crecimiento de cristales de SiC, comprendiendo el método dirigir y mantener un flujo de un gas fuente de carbono y un gas fuente de silicio a un área de reacción mientras se calienta el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono hasta aproximadamente la temperatura de reacción; hacer reaccionar el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono en el área de reacción para formar especies evaporadas que contienen carbono y silicio; y dirigir y mantener un flujo de especies evaporadas que contengan carbono…
Sección de la CIP Electricidad
(16/03/2005). Ver ilustración. Inventor/es: NEGLEY, GERALD, H., SLATER, DAVID, B., JR., EDMOND, JOHN, ADAM. Clasificación: H01L33/00.
Diodo emisor de luz de alta fiabilidad que resistirá condiciones de temperatura elevada y humedad elevada, comprendiendo dicho diodo: un sustrato de carburo de silicio; una estructura amortiguadora sobre dicho sustrato; un diodo de heterounión de nitruro del grupo III con una capa de contacto de nitruro del grupo III de tipo p sobre dicha estructura amortiguadora; un contacto óhmico a dicho sustrato; caracterizado por un contacto óhmico de platino a dicha capa de contacto de tipo p; y una capa de pasivación de nitruro de silicio sobre dicho contacto óhmico de platino.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/11/2003). Inventor/es: HUNTER, CHARLES, ERIC. Clasificación: C30B1/00.
Un método para producir SiC monocristalino a granel, que comprende: vaporizar Si para producir vapor como fuente de Si; introducir el vapor como fuente de Si en un recinto de crecimiento de cristales que contiene una interfase de crecimiento del cristal; proporcionar un gas que contiene CN como una fuente de especies en estado de vapor de carbono en el recinto de crecimiento de cristales; y depositar las especies en estado de vapor de Si y C en la interfase de crecimiento del cristal en condiciones que establecen el crecimiento de SiC monocristalino a granel en ella.
Secciones de la CIP Física Electricidad
(16/10/2003). Inventor/es: VAN DE VEN, ANTHONY P., SWOBODA, CHARLES M. Clasificación: G09F9/33, G09G3/32, H01L25/075.
Visualizador de matriz de diodo emisor de luz, que comprende: un visualizador de diodo emisor de luz (LED) dotado de una matriz de LEDs de diferentes colores, en el que LEDs de diferentes colores de la matriz están conectados de forma común de modo que una tensión aplicada a uno de los LEDs que están conectados de forma común, se aplica a todos los LEDs conectados de forma común; y medios de excitación para suministrar tensiones diferentes a los LEDs de diferentes colores conectados de forma común de dicha matriz de LEDs.
(01/04/2003) Método de deposición química en fase de vapor que aumenta la uniformidad del espesor de las capas epitaxiales de carburo de silicio, comprendiendo el método: calentar un reactor a una temperatura de al menos 1500ºC, suficientemente alta para el crecimiento epitaxial de carburo de silicio, pero inferior a la temperatura a la que un gas portador de hidrógeno tendería a mordentar el carburo de silicio; y dirigir el flujo de los gases fuente, incluyendo silano, y los gases portadores, a través del reactor calentado, para formar una capa epitaxial de carburo de silicio en el substrato, estando el flujo de gas dirigido a través …
