96 patentes, modelos y diseños de AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY (pag. 3)

Sección de la CIP Electricidad

(16/03/1993). Inventor/es: ECKBERG, ADRIAN EMMANUEL, JR., LUAN, DANIEL TA-DUAN, LUCANTONI, DAVID MICHAEL, SCHONFELD, TIBOR JOSEPH. Clasificación: H04L12/54.

UN METODO PARA CONTROLAR LA CONGESTION EN UNA RED DE CONMUTACION DE PAQUETES, USA PAQUETES MARCADOS Y UN ALGORITMO DE SUPRESION DE PAQUETE PARA DETERMINAR CUANDO SUPRIMIR LOS PAQUETES MARCADOS POR DONDE QUIERA QUE LA RED ESTE CONGESTIONADA EN CUALQUIER PUNTO A LO LARGO DE LA LINEA QUE ATRAVIESAN LOS PAQUETES MARCADOS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/03/1993). Inventor/es: ECKBERG, ADRIAN EMMANUEL, JR., LUAN, DANIEL TA-DUAN, LUCANTONI, DAVID MICHAEL, SCHONFELD, TIBOR JOSEPH. Clasificación: H04L12/54.

EN UNA RED DE CONMUTACION DE PAQUETE, SE USA LA VIGILANCIA DEL PAQUETE Y LOS ALGORISMOS DE MARCADO PARA DETERMINAR QUE PAQUETES DE DATOS, RECIBIDOS DE UN USUARIO MEDIANTE UN NUDO DE ACCESO, ESTAN SIENDO TRANSMITIDOS EN UNA CANTIDAD DE TRANSMISION EXCESIVA Y DE ACUERDO CON ELLO SE MARCAN. ADICIONALMENTE CADA PAQUETE DE UN USUARIO ESPECIAL PUEDE MARCARSE. A TODO LO LARGO DE LA RED, LOS PAQUETES MARCADOS SE SUPRIMEN DONDE LA RED ESTA CONGESTIONADA A LO LARGO DEL CAMINO QUE ES ATRAVESADO POR LOS PAQUETES DE DATOS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1992). Inventor/es: HASKELL, BARRY GEOFFRY. Clasificación: H04N1/417, H04N7/12.

UNA TRANSFORMACION APROXIMA EL CODIGO IMAGEN DONDE LOS PIXELS ESTAN CODIFICADOS EN EL ORDEN PREESTABLECIDO POR UNA LISTA PREDETERMINADA. EL CODIGO PARA CADA PIXEL SE DESARROLLA COMPUTANDO UNA PREDICCION PARA EL PIXEL BASADA EN LOS VALORES PIXEL CONOCIDOS EN LAS PROXIMIDADES DEL MISMO Y SUSTRAYENDO A ESTA PREDICCION EL VALOR VERDADERO DEL PIXEL. SE OBTIENE COMO RESULTADO UNA SECUENCIA DE ERRORES DE PREDICCION DE VALORES DE PIXEL DISTINTOS DE CERO, PREDOMINANTEMENTE AL PRINCIPIO DEL PROCESO DE DECODIFICACION DE CADA BLOQUE, Y ERRORES DE PREDICCION DE VALORES PIXEL IGUALES A CERO PREDOMINANTEMENTE HACIA EL FINAL DEL PROCESO DE CODIFICACION. UNA AMPLIACION DE ESTA APROXIMACION INCLUYE LA CODIFICACION ADAPTATIVA, DONDE LAS SECUENCIAS PIXEL CON ERRORES DE PREDICCION CERO NO SE CODIFICAN Y CODIFICACION DE LONGITUD DE LAS SEÑALES A TRANSMITIR O A ALMACENAR PARA AUMENTAR EL PROCESO DE DECODIFICACION.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1992). Inventor/es: FRAIDLIN, SIMON. Clasificación: H02M3/335.

UNA BATERIA DE AIRE/METAL TIENE SERIES DE CELULAS CONECTADAS, INCLUYE UN TANQUE ELECTROLITICO Y UN ARMAZON AISLANTE CON CATODOS DE AIRE ENCARANDO UNA CAMARA DE AIRE Y ANODO YUXTAPUESTO A LOS CATODOS. EL ARMAZON ES EXTRAIBLE Y SE ENGANCHA A LA PARED DEL TANQUE DIVIDIENDOLE EN ZONAS SEPARADAS Y ELECTRICAMENTE AISLADOS. LOS ANODOS PRESENTAN RANURAS VERTICALES PARA FACILITAR EL PASO DE LOS PRODUCTOS DE REACCION. SE PUEDE INCORPORAR LA BATERIA EN UNA LAMPARA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/11/1992). Inventor/es: TSANG, WON-TIEN, CUNNINGHAM, JOHN EDWARD, SCHUBERT, ERDMANN F. Clasificación: H01L21/28, H01L21/308, H01L21/78.

SE REIVINDICA UN METODO DE FABRICACION DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DONDE SOLO SE USAN DOS PASOS DE ENMASCARAMIENTO EN EL DESARROLLO DEL DISPOSITIVO.EL SEMICONDUCTOR ENCAPSULADO USADO EN EL PROCESO TIENE EN LA CARA SUPERIOR UN CONTACTO,EL CUAL NO SOPORTA TEMPERATURAS SUPERIORES A 200 C. LA PRIMERA MASCARA SE USA PARA CREAR UNA ESTRUCTURA DE MESA CONVENCIONAL LA CUAL AISLA CADA TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LOS ADYACENTES.UNA SEGUNDA MASCARA ES USADA PARA DEFINIR LA FUENTE Y ELECTRODOS Y TAMBIEN PARA CREAR UNA DEPRESION A TRAVES DE LA CUAL SE RALIZA LA ESTRUCTURA DE ELECTRODO EN PUENTE. USANDO UNA MASCARA PARA CREAR LA FUENTE , LOS ELECTRODOS Y LA ESTRUCTURA EN PUENTE,UNA GRAN TOLERANCIA DE CIERRE SE OBTIENE ENTRE LA ESTRUCTURA DE PUENTE, LA FUENTE Y LAS REGIONES DE DRENAJE.FIG 4 Y FIG 7.

Sección de la CIP Electricidad

(01/11/1992). Inventor/es: MOYER, HAROLD WILLIAM, SCHOLZ, HARRY ROBERT. Clasificación: H01L23/48.

ES DESCRITO UN PAQUETE SEMICONDUCTOR CON UN ALTO GRADO DE AGARRE. LOS CONTACTOS EXTERNOS A LA ASTILLA ESTAN PROVISTO DE CONDUCTORES INTERDIGITADOS FORMADOS POR UNA PARTE SUPERIOR Y UNA INFERIOR DE UN CONDUCTOR ENDURECIDO. EL EXTREMO INFERIOR DEL CONDUCTOR ENDURECIDO INCLUYE UNA PALETA PARA MONTAR LA ASTILLA . EL EXTREMO SUPERIOR DEL CONDUCTOR ENDURECIDO TIENE INICIALMENTE SU UNION DE JUNTA Y UNA PORCION CENTRAL QUE ESTA TALADRADA HACIA FUERA PARA AJUSTAR EL TAMAÑO DE LA ASTILLA EN PARTICULAS. LOS DOS CONDUCTORES ENDURECIDOS SON COPLANARIOS PREFERENTEMENTE EN EL AREA ALREDEDOR DE LOS LIMITES DE LA CAPSULA DEL PAQUETE. EL COPOLIMERO DE ETILENO BUTENO-1 ESTA PREPARADO EN UNA COMBINACION DE 81 A 94 MOLES % DE ETILENO Y 19 A 6 MOLES % DE BUTENO-1.

Sección de la CIP Física

(16/07/1992). Inventor/es: ROE, DAVID BJORN, DAUTRICH, BRUCE ALLEN, GOEDDEL, THOMAS WILLIAM. Clasificación: G10L5/06.

DURANTE UNA SECUENCIA DE FORMACION, UN RECONOCEDOR DE VOZ ENTRENADO POR EL ORADOR, DETECTA Y SEÑALA AL ORADOR CUANTOS PARES DE PALABRAS DEL VOCABULARIO SON POTENCIALMENTE CONFUSAS AL RECONOCEDOR. CADA PALABRA DEL VOCABULARIO SE CONVIERTE EN PARAMETROS REPRESENTANDO UN MODELO DE REFERENCIA PRODETERMINADO DE CADA PALABRA. LA SEÑAL CARACTERISTICA DE UNA PALABARA POTENCIAL SE COMPARA CON EL MODELO DE REFERENCIA DE CADA PALABRA DEL VOCABULARIO PREVIAMENTE ALMACENADA EN LA MEMORIA DEL RECONOCEDOR . AL ORADOR SE LE SEÑALA CUANDO LA PALABRA DEL VOCABULARIO POTENCIAL ES CONFUSAMENTE SIMILAR A UNA DE LAS PALABRAS DEL VOCABULARIO EXISTENTE.

Sección de la CIP Electricidad

(01/11/1991). Inventor/es: LEE, KUO-HUA, POLANCO, SAMUEL EFRAIN. Clasificación: H01L21/316, H01L21/308.

EL DIOXIDO DE SILICIO DEPOSITADO SE PUEDE UTILIZAR COMO UNA CAPA DE OXIDO DE CAMPO O CON OTROS FINES DIELECTRICOS EN CIRCUITOS INTEGRADOS. SIN EMBARGO, LA GRABACION ELECTROLITICA DE UN MODELO EN LA CAPA, PRODUCE GENERALMENTE PAREDES LATERALES PRONUNCIADAS QUE IMPIDEN LA BUENA COBERTURA ESCALONADA DE LAS CAPAS CONDUCTORAS QUE SE DEPOSITAN DESPUES. CON LA PRESENTE TECNICA SE PUEDE FORMAR EL DIELECTRICO EN AL MENOS DOS CAPAS (EJ. 11,12) CON DENSIDADES DIFERENTES. UNA SECUENCIA DE GRABACION ELECTROLITICA ANISOTROPICA E ISOTROPICA DA COMO RESULTADO PAREDES LATERALES ESCALONADAS, LO QUE PROPORCIONA UN BUEN CONTROL DE LA ANCHURA DE LINEA Y UNA BUENA COBERTURA ESCALONADA DEL MATERIAL DEPOSITADO DESPUES.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/04/1991). Inventor/es: NARASIMHAM, PUNDI LAKSHMI. Clasificación: C03B37/014.

SE PREPARA UNA PREFORMA OPTICA, PRIMERO DEPOSITANDO HOLLIN SOBRE UNA BARRA DE SUSTRATO DE VIDRIO , PARA FORMAR UNA PIEDRA PIRIFORME. ASI LA PIEDRA PIRIFORME DE HOLLIN ES SINTERIZADA PARA CONSOLIDAR EL MATERIAL Y PROPORCIONAR UNA PREFORMA DE LA CUAL SE INDUCE LA FIBRA OPTICA. LA PIEDRA PIRIFORME ES RELATIVAMENTE GRANDE, Y POR ESO LA PREFORMA RESULTANTE ES CAPAZ DE PROPORCINAR MAS FIBRA OPTICA QUE LA UTILIZADA EN EL PASADO, CON EL FIN DE PODER SINTERIZAR CON EXITO LA PIEDRA PIRIFORME ALARGADA SE UNE LA ENERGIA DE MICROONDAS DE UN HORNO A LA BARRA DE VIDRIO, Y ASI LA SINTERIZACION PROCEDE DE LA BARRA RADIALMENTE DE TAL MODO QUE PERMITE FACILMENTE EL ESCAPE DE GASES Y UN RENDIMINETO DEL PROCESO ALTAMENTE EFICIENTE.

Sección de la CIP Electricidad

(01/11/1990). Inventor/es: SAARI, VEIKKO REYNOLD. Clasificación: H03F3/45.

UN COMPLETAMENTE DIFERENCIAL CMOS ACTUANDO COMO AMPLIFICADOR OPERACIONAL TIENE UNA ENTRADA DIFERENCIAL EN EL CIRCUITO Y UNA ETAPA DE TRANSMISION . LA IMPEDANCIA DE TRANSMISION EN LA ETAPA DE SALIDA SE REALIZA CON DOS IDENTICAS RAMAS DE SEÑAL POSITIVAS Y NEGATIVAS CONECTADAS EN PARALELO CADA UNA ALIMENTADA CON TENSIONES POSITIVAS Y NEGATIVAS. CADA RAMA INCLUYE UN TRANSISTOR DE CANAL P UN TRANSITOR CASCODO Y UN TRANSISTOR DE CANAL N Y UN CANAL N DE DRENAJE DE CORRIENTE TODO CONECTADO EN SERIE. EL DRENAJE DE LOS TRANSISTORES DE REALIMENTACION DE LAS DOS RAMAS ESTAN UNIDOS. UN SEGUNDO TRANSISTOR DE CASCODO TIENE SU FUENTE CONECTADA AL PRIMER TRANSISTOR CASCODO Y EL DRENAJE CONECTADO A LA FUENTE DEL PULL-DOWN PARA INCREMENTAR LA IMPEDANCIA DE SALIDA EN EL DRENAJE DEL PRIMER TRANSISTOR DE CASCODO SIN AFECTAR A LA SEÑAL.

Sección de la CIP Física

(01/04/1990). Inventor/es: CARELLI, JOHN ANTHONY, PRITCHETT, ROBERT LEONARD, PEDERSEN, RICHARD ALAN. Clasificación: G01R31/26.

UN CIRCUITO INTEGRADO INCLUYE PRIMER Y SEGUNDO TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO QUE TIENEN DIFERENTES LONGITUDES DE CANAL, Y UN CIRCUITO COMPARADOR PARA COMPARAR LAS CORRIENTES DE CANAL QUE FLUYEN A SU TRAVES. UNA EXCESIVA PROPORCION DE CORRIENTES INDICA EFECTOS DE CANAL CORTO, LOS CUALES DEGRADAN EL FUNCIONAMIENTO. UNA SEÑAL DE IDENTIFICACION QUE INDICA ESTA CONDICION DEBE SER PROPORCIONADA A UN TEST DE ALMOHADILLA EN EL CHIP UTILIZADA PARA INUTILIZAR LA OPERACION DEL CIRCUITO INTEGRADO O EN OTRO CASO UTILIZADA PARA PROPORCIONAR UNA INDICACION.

Sección de la CIP Electricidad

(01/05/1989). Ver ilustración. Inventor/es: LEVY, ROLAND ALBERT, GALLAGHER, PATRICK KENT, GREEN, MARTIN LAURENCE. Clasificación: H05K3/08.

SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO, V.GR., UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, QUE INCLUYE LA FASE DE HACER REACCIONAR POR LO MENOS DOS ENTIDADES REACTIVAS PARA FORMAR UN MATERIAL CON CONTENIDO METALICO SOBRE UNA REGION O REGIONES DE UN SUSTRATO ELABORADO O SIN ELABORAR. ES PROPIO DEL METODO EL RECONOCIMIENTO QUE UNA DE LAS ENTIDADES REACTIVAS REACCIONARA FRECUENTEMENTE CON MATERIAL DEL SUSTRATO PARA PRODUCIR RESULTADOS ANTERIORMENTE NO RECONOCIDOS Y MUY INCONVENIENTES, C.GR., LA EROSION CASI COMPLETA DE COMPONENTES DE DISPOSITIVOS FABRICADOS CON ANTERIORIDAD. POR LO TANTO, Y SEGUN EL PROCEDIMIENTO DE LA INVENCION, SE EMPLEA CUALQUIERA DE UNA VARIEDAD DE TECNICAS PARA REDUCIR EL REGIMEN DE REACCION ENTRE EL MATERIAL DEL SUSTRATO Y LA ENTIDAD QUE REACCIONA CON ESTE MATERIAL, EVITANDO AL MISMO TIEMPO UNA REDUCCION SUSTANCIAL EN EL REGIMEN DE REACCION ENTRE LAS DOS ENTIDADES.

Secciones de la CIP Física Técnicas industriales diversas y transportes

(16/03/1989). Inventor/es: MYERS,DARYL LESTER, WRIGHT, JAMES GLYNN. Clasificación: G02B6/00, B65H75/00.

METODOS Y APARATOS PARA ENRROLLAR FIBRA TAL COMO FIBRA OPTICA SOBRE CARRETES ALTERNOS Y PARA ALMACENAR Y PROTEGER DE DAÑOS PORCIONES EXTREMAS BOBINADAS DE LA FIBRA QUE HAN DE ENRROLLARSE SOBRE LOS CARRETES, EN DONDE LOS ARROLLAMIENTOS SE SUJETAN LATERALMENTE MEDIANTE FUERZAS APLICADAS PARALELAMENTE AL EJE DE LOS ARROLLAMIENTOS. LOS METODOS Y APARATOS DE LA INVENCION SE PUEDEN EMPLEAR PARA SOLICITAR PORCIONES DE LA FIBRA QUE ESTA SIENDO ALIMENTADA A LOS CARRETES Y DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y SUJECION DE FIBRA ASOCIADOS CONTRA LAS SUPERFICIES PERIFERICAS DE LOS MISMOS PARA FACILITAR LA TRANSFERENCIA DE LA DISTRIBUCION DE LA FIBRA DE UN CARRETE A OTRO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/01/1989). Ver ilustración. Inventor/es: KOZE, JEFFREY THOMAS. Clasificación: H01L21/322, H01L21/314, H01L21/318.

EL SELLADO DEL LADO POSTERIOR DE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA IMPIDE LA EVAPORACION DEL DOPANTE (NORMALMENTE BORO) CUANDO SE DESARROLLA UNA CAPA EPITAXIAL SOBRE EL LADO FRONTAL (ACTIVO), EVITANDO CON ELLO EL AUTODOPADO DE LA CAPA EPITAXIAL CON DOPANTE EN EXCESO. LA PRESENTE TECNICA DEPOSITA UNA CAPA DE OXIDO DURANTE EL PERIODO DE SUBIDA DE LA TEMPERATURA DEL HORNO, DURANTE EL CUAL SE DEPOSITA ASIMISMO LA CAPERUZA DE NITRURO, EVITANDO CON ELLO UNA ETAPA DE PROCESO EXTRA. IGUALMENTE, SE EVITAN LAS MAYORES TEMPERATURAS REQUERIDAS EN LAS TECNICAS CONOCIDAS DE DESARROLLO DE LA CAPA DE OXIDO, LO CUAL SE TRADUCE EN UNA MENOR PRECIPITACION DE OXIGENO DERIVADA DEL PROCESO DE FORMACION DE LA CAPERUZA Y EN UN MAYOR RENDIMIENTO DE LAMINAS UTILIZABLES.

Sección de la CIP Física

(16/10/1988). Clasificación: G02B6/10.

SE ESTABLECE UNA REGION POR DIFUSION, DE INDICE DE REFRACCION ELEVADO EN UN CUERPO DE MATERIAL OPTICAMENTE TRANSPARENTE, COMPRENDIENDO DICHA REGION UNA GUIAONDAS CON INDICE DE REFRACCION SUMA DE UN PRIMERO QUE CONSIGUE EL GUIADO DE UNA ONDA ELECTROMAGNETICA EN AUSENCIA DE CURVAS O CONICIDADES Y UN SEGUNDO EN EL QUE SE ECUALICEN LAS LONGITUDES DE RECORRIDO OPTICO ALREDEDOR DE UNA CURVA O A TRAVES DE CONICIDADES, REDUCIENDO AL MINIMO LA PERDIDA POR RADIACION. LA DIFUSION SE PRODUCE POR DEPOSITO DE UNA CAPA DE ESPESOR UNIFORME DE TI, SOBRE UN SUSTRATO DE NIOBATO DE LITIO (LINBO3) CON DEPOSITO SOBRE ESTE, DE OTRA CAPA DE TI, DIFUNDIENDOSE ENTRE 700 Y 1.200GC.

Sección de la CIP Física

(16/03/1988). Clasificación: G02B6/10.

DISPOSITIVO A BASE DE GUIAONDAS DE BAJA PERDIDA OPTICA, QUE COMPRENDE UN SUSTRATO Y UN GUIAONDAS. CONSTA DE UN SUSTRATO ; DE UN PRIMER GUIAONDAS ; DE UN SEGUNDO GUIAONDAS ; DE UN PRIMER ELECTRODO PARA EL PRIMER GUIAONDAS ; DE UN SEGUNDO ELECTRODO PARA EL SEGUNDO GUIAONDAS ; Y DE DISPOSITIVOS OPTICOS QUE ESTAN CONECTADOS A LOS EXTREMOS DE LOS GUIAONDAS. EL PRIMER GUIAONDAS SE CURVA PARA LLEGAR A ESTAR MAS CERCA DEL SEGUNDO GUIAONDAS PARA LA TRANSFERENCIA DE ENERGIA ENTRE LOS GUIAONDAS, TRAS LO CUAL SE CURVA DE NUEVO PARA SEPARARSE DE DICHO SEGUNDO GUIAONDAS . DE APLICACION EN EL GUIADO DE LA LUZ ENTRE DOS DISPOSITIVOS OPTICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/01/1988). Clasificación: H04M3.

PROCEDIMIENTO Y SISTEMA DE TELECOMUNICACION PARA ESTABLECER UNA LLAMADA EN UN SISTEMA DE TELECOMUNICACION. EL PROCEDIMIENTO COMPRENDE LAS OPERACIONES DE RECIBIR SEÑALES DE COMUNICACION DE LA ESTACION DEL CLIENTE; DE RESPONDER A DICHAS SEÑALES DE COMUNICACION, ESTABLECIENDO UNA VIA VOCAL ENTRE LA ESTACION DEL CLIENTE Y LA POSICION DEL AGENTE, QUE COMPRENDE UNA CONEXION VOCAL EN DICHOS MEDIOS DE RED DE COMUNICACION Y EL CANAL B DE UNA VIA INTEGRADA VOCAL Y DE DATOS, TENIENDO ASOCIADOS CANALES D; DE RECIBIR UN MENSAJE DE CONTROL DE LA POSICION DE AGENTE POR EL CANAL D ASOCIADO AL CANAL B; DE RESPONDER A LA RECEPCION DE DICHO MENSAJE DE CONTROL ESTABLECIENDO UNA VIA DE DATOS.

Sección de la CIP Necesidades corrientes de la vida

(16/12/1987). Clasificación: A61B5/024.

SISTEMA DE DETECCION DEL RITMO CARDIACO. INCLUYE: UN EKG CON ELECTRODOS PARA GENERAR UNA SEÑAL EKG ANALOGICA QUE CONTIENE EL COMPLEJO QRS; UN CONVERTIDOR ANALOGICO-DIGITAL PARA DIGITALIZAR LA SEÑAL ANALOGICA; UN ORDENADOR QUE FILTRA Y PROCESA LAS SEÑALES EKG DIGITALIZADAS Y REPRESENTA VISUALMENTE EL RITMO CARDIACO; UNA PANTALLA DE VIDEO PARA REPRESENTAR VISUALMENTE EL REGIMEN DE REPETICION DE ONDA Y UN DISPOSITIVO DE ALMACENAMIENTO EN DISCO . SE UTILIZA EN MEDICINA.

Sección de la CIP Física

(01/12/1987). Clasificación: G06F11/00.

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA VERIFICAR EL FUNCIONAMIENTO DE UN ORDENADOR EN UN DISPOSITIVO DE TRATAMIENTO DE DATOS. EL PROCEDIMIENTO COMPRENDE LAS ETAPAS DE ALMACENAR MENSAJES DE DATOS RECIBIDOS EN UN ACCESO DE ENTRADA, EN UNA PRIMERA COLA DE DATOS ASOCIADOS CON EL ACCESO; DE TRANSFERIR MENSAJES DE DATOS DESDE LA PRIMERA COLA DE DATOS HASTA LA SEGUNDA COLA DE DATOS Y AÑADIR A CADA MENSAJE TRANSFERIDO UN CODIGO DE IDENTIFICACION QUE DEFINE EL TIPO DE MENSAJE DE CONFORMIDAD CON CRITERIOS DE IDENTIFICACION PREVIAMENTE DEFINIDOS; Y DE TRANSFERIR, DE UNA MANERA SELECTIVA, MENSAJES DE DATOS DE DIFERENTES TIPOS DESDE LA SEGUNDA COLA DE DATOS A FICHEROS DE DATOS DIFERENTES, SEGUN DEFINAN LOS CODIGOS DE IDENTIFICACION ALMACENADOS EN LA SEGUNDA COLA DE DATOS.

Sección de la CIP Física

(16/11/1987). Clasificación: G11C11/406.

MEMORIA DINAMICA PARA CIRCUITO INTEGRADO. CONSTA DE CELULAS DE MEMORIA DISPUESTAS EN FILAS Y COLUMNAS; DE MEDIOS DE DECODIFICACION DE FILAS PARA ELEGIR UNA FILA DE CELULAS ALIMENTANDO UN VOLTAJE A UN CONDUCTOR DE FILA, EN DONDE LAS CELULAS COMPRENDEN UN TRANSISTOR DE ACCESO QUE TIENE UN ELECTRODO DE CONTROL CONECTADO A UN CONDUCTOR DE FILA; DE UN PRIMER ELECTRODO CONTROLADO QUE ESTA CONECTADO A UN CAPACITOR DE ALMACENAMIENTO DE INFORMACION, DE UN SEGUNDO ELECTRODO CONTROLADO QUE ESTA CONECTADO A UN CONDUCTOR DE COLUMNA; DE MEDOS PARA ENGANCHAR UN CONDUCTOR DE COLUMNA EN UN ESTADO DE VOLTAJE BAJO, EN RESPUESTA A UN NIVEL DE VOLTAJE BAJO DETECTADO EN UN CELULA DE MEMORIA CONECTADA AL CONDUCTOR; Y DE MEDIOS PARA MANTENER EL VOLTAJE EN UN CONDUCTOR DE COLUMNA, QUE SE HAYA ENGANCHADO EN EL ESTADO DE VOLTAJE BAJO, A UN NIVEL POR ENCIMA DE CERO VOLTIOS, AL MENOS DURANTE UNA PORCION DE CICLO DE MEMORIA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/11/1987). Clasificación: H01L21/306.

PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. CONSTA DE LAS SIGUIENTES OPERACIONES PARA FORMAR UNA MASCARA PROTECTORA DE SUSTRATO: MORDENTAR EL SUSTRATO PARA FORMAR CAVIDADES QUE DEFINAN ELEMENTOS UNDIENDO LA REACCION DEL SUSTRATO CON UN REACTIVO ENERGETICO, Y DAR POR TERMINADO EL PROCESO PRODUCIENDOSE LA REDEPOSICION DE MATERIAL SOBRE LAS PAREDES LATERALES DE LA CAVIDAD DURANTE EL MORDENTADO, CARACTERIZADO POR COMPRENDER UNA FASE ELEGIDA ENTRE COMPENSAR LOCALMENTE EL EFECTO DE LA REDEPOSICION SOBRE LA CONFORMACION DE LA PARED LATERAL.

Sección de la CIP Física

(16/10/1987). Clasificación: G10L5/06.

APARATO PARA RECONOCER A LAS PERSONAS SEGUN SUS PATRONES DE LENGUAJE. SE COMPONE DE: UN TRANSDUCTOR ELECTROACUSTICO QUE RECIBE UNA SEÑAL DE UN PATRON DE LENGUAJE SIN IDENTIFICAR; UN GENERADOR DE SEÑALES DE PECULIARIDADES DE LENGUAJE RELACIONADO CON UNA INTERFASE Y UN BUS ; UN ALMACEN DE LENGUAJE DE ENTRADA ; UN ALMACEN DE INSTRUCCIONES PROGRAMA ; UN DISPOSITIVO DE UTILIZACION CONECTADO A LA INTERFASE QUE RECOGE UNA SEÑAL DE PERMISO ENVIADA POR EL PROCESADOR DE SEÑALES ; UN ALMACEN DE CODIGOS DE PARLANTES Y UN DISPOSITIVO DE TECLADO Y PANTALLA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/08/1987). Clasificación: H04Q3/545.

SISTEMA DE COMUNICACIONES CON VARIOS TERMINALES ASOCIADOS CON EL. CADA TERMINAL FUNCIONA PARA ESTABLECER O PARA RECIBIR CONEXIONES DE COMUNICACIONES, COMO RESULTADO DE ESTIMULOS GENERADOS POR LOS TERMINALES, CONSTA DE ETAPAS DE RECEPCION DE DICHOS ESTIMULOS, ASOCIANDO CADA UNO DE ELLOS CON EL TERMINAL DE ENVIO CORRESPONDIENTE, ESTABLECIENDO UNA COLA DE ESPERA DE LOS ESTIMULOS RECIBIDOS SEGUN EL CRITERIO DEL ORDEN DE LLEGADA. SE PROCESAN ESTOS EN EL MISMO ORDEN Y SE ENTREMEZCLA EL PROCESO DE LOS ESTIMULOS ASOCIADOS CON TERMINALES DIFERENTES.

Sección de la CIP Física

(16/07/1987). Clasificación: G05F3/30.

CIRCUITO DE REFERENCIA DE VOLTAJE. COMPRENDE: DOS TRANSISTORES MOS , CONECTADOS EN SERIE ENTRE EL RESISTOR Y (VSS), CONECTANDOSE EL DRENADOR DEL TRANSISTOR AL RESISTOR ; UNA FUENTE DEL TRANSISTOR QUE SE CONECTA AL DRENADOR DEL TRANSISTOR , Y LA PUERTA DEL TRANSISTOR SE ACOPLA A LA SALIDA DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL , ACOPLANDOSE LA PUERTA DEL TRANSISTOR A SU DRENADOR, Y CONECTANDOSE LA FUENTE DEL TRANSISTOR A (VSS); Y DOS TRANSISTORES MOS , CONECTADOS DE IGUAL MANERA ENTRE EL RESISTOR Y (VSS), EN DONDE LA PUERTA DEL TRANSISTOR SE CONECTA A LA PUERTA DEL TRANSISTOR Y LA DEL TRANSISTOR A LA DEL TRANSISTOR . TIENE APLICACION EN EL CAMPO DE LA ELECTRONICA.

Sección de la CIP Física

(16/07/1987). Clasificación: G02F1/133.

APARATO DE REPRESENTACION VISUAL MULTIPLEXADO. COMPRENDE UNA MATRIZ DE PELS DE LC CADA UNO DE LOS CUALES LLEVA CONECTADO, EN SERIE, UN DISPOSITIVO ELECTRICO LINEAL , TAL COMO UN DISPOSITIVO MIM, INCLUYENDO UN PAR DE PLACAS DE VIDRIO PARALELAS QUE CONTIENEN ENTRE MEDIAS UN MATERIAL DE LC , TAL COMO UN CRISTAL LIQUIDO NEMATICO; DEPOSITANDOSE EL ELECTRODO DE COLUMNA TRANSPARENTE SOBRE LA SUPERFICIE INTERIOR DE LA PLACA DE VIDRIO , Y UNA BARRA COLECTORA DE FILA QUE SE DEPOSITA SOBRE LA SUPERFICIE INTERIOR DE LA PLACA DE VIDRIO , Y UN ELECTRODO TRANSPARENTE , EN LA PLACA DE VIDRIO INFERIOR QUE SE UTILIZA PARA DEFINIR UN PEL. TIENE APLICACION EN EL CAMPO DE LA ELECTRONICA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/07/1987). Clasificación: H03K19.

CIRCUITO INTERMEDIO DE ENTRADA DE TTL A CMOS. CONSTA DE: UN PRIMER INVERSOR CMOS QUE RESPONDE A LA SEÑAL LOGICA DE ENTRADA TTL PARA PRODUCIR UNA SEÑAL LOGICA CMOS; UN SEGUNDO INVERSOR CMOS QUE RESPONDE A LA PRIMERA SEÑAL LOGICA CMOS PRODUCIDA POR EL PRIMER INVERSOR CMOS PARA PROPORCIONAR UNA SEGUNDA SEÑAL LOGICA CMOS DE ESTADOS LOGICOS COMO LOS DE LA SEÑAL LOGICA DE ENTRADA TTL Y QUE COMPRENDE UN DETECTOR DE TRANSICION QUE RESPONDE A LA SEÑAL LOGICA DE ENTRADA TTL Y A LA SEGUNDA SEÑAL LOGICA CMOS PARA GENERAR UNA SEÑAL DE CONTROL DE SALIDA DE TRANSICION; ELEMENTOS ELEVADORES DE VOLTAJE QUE RESPONDEN A LA SEGUNDA SEÑAL LOGICA CMOS.

Sección de la CIP Física

(01/07/1987). Clasificación: G03F7/09.

METODO DE FABRICAR DISPOSITIVOS SEMI-CONDUCTORES. CONSISTE EN MODELAR UN SUSTRATO CON UNA SUPERFICIE ESCALONADA MEDIANTE EL EMPLEO DE UNA CAPA PROTECTORA DE TRES NIVELES QUE INCLUYE UNA REGION DE PLANARIZACION QUE RESIDE POR ENCIMA DE LA SUPERFICIE , LA REGION DE SUSTITUTO DE DIOXIDO DE SILICIO QUE RESIDE POR ENCIMA DE LA REGION Y UNA REGION DE MATERIAL SENSIBLE A LA ENERGIA QUE RESIDE POR ENCIMA DE LA REGION ; INCLUYENDO: LA REGION UNA RESINA DE NOVOLACA QUE PUEDE DEPOSITARSE POR MEDIOS ROTATIVOS; Y LA REGION UNA CAPA PROTECTORA DE POLIMERO ORGANICO CONVENCIONAL. TIENE APLICACIONES EN EL CAMPO DE LA ELECTRONICA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/02/1987). Clasificación: H01J37/32.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES UTILIZANDO MORDENTADO IONICO REACTIVO. COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PRIMERA, SE ESTABLECE UN PLASMA EN UNA ATMOSFERA GASEOSA QUE SE PONE EN CONTACTO CON UN PRIMER ELECTRODO SITUADO DENTRO DE UNA CAMARA; SEGUNDA, SE ESTABLECE UNA POLARIZACION DE CORRIENTE CONTINUA EN EL ELECTRODO CON RELACION A UN PUNTO DE POTENCIAL DE REFERENCIA; TERCERA, SE MORDENTA UN SUSTRATO CON ENTIDADES EN EL PLASMA; Y POR ULTIMO, SE DESCARGA EL ELECTRODO EN RESPUESTA A UN CRITERIO PREVIAMENTE ELEGIDO. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES TALES COMO DIODOS ZENER.

Sección de la CIP Física

(16/10/1986). Clasificación: G05F3/28.

CIRCUITO INTEGRADO QUE COMPRENDE UNA FUENTE DE CORRIENTE ADAPTADA PARA PROPORCIONAR UNA CORRIENTE CONTROLADA A UN DISPOSITIVO. CONSTA DE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE METAL-OXIDO-SILICIO, QUE TIENE UN ELECTRODO PUERTA CONECTADO A UN ELECTRODO FUENTE DEL MISMO POR MEDIO DE UN RESISTOR DE REFERENCIA (R1); DE MEDIOS PARA HACER QUE LA CORRIENTE DE REFERENCIA FLUYA A TRAVES DEL RESISTOR DE REFERENCIA EN LA DIRECCION QUE TIENDE A PROMOVER EL FLUJO DE LA CORRIENTE DEL CANAL EN EL TRANSISTOR DE REFERENCIA; DE MEDIOS PARA HACER QUE LA CORRIENTE DEL CANAL Y LA CORRIENTE DE REFERENCIA SEAN PROPORCIONALES; Y DE MEDIOS CAPACES DE HACER QUE LA CORRIENTE CONTROLADA SEA PROPORCIONAL A LA CORRIENTE DE REFERENCIA.