17 patentes, modelos y diseños de AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH CO.
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA UNA DISTRIBUCION EFICAZ DE ASIGNACION DE RECURSOS ENTRE UNA PLURALIDAD DE USUARIOS.
Sección de la CIP Física
(01/06/1989). Clasificación: G06F15/20.
LA RESOLUCION DE MODELOS DE PROGRAMACION LINEAL PARA LA OPTIMIZACION EFICAZ DE LA ASIGNACION DE RECURSOS TECNOLOGICOS E INDUSTRIALES EN SE LLEVA A CABO ELIGIENDO UN PUNTO DE PARTIDA (VOLVER DE LAS VARIABLES) DENTRO DEL ESPACIO DEFINIDO POR LOS PLANOS DE LAS RESTRICCIONES. A CONTINUACION Y MEDIANTE UN CAMBIO LINEAL DE LAS VARIABLES DE ASIGNACION QUE CONSERVE LA LINEALIDAD Y CONVEXIDAD, SE TRANSFORMAN DICHAS VARIABLES PARA QUE EL PUNTO DE PARTIDA SE ENCUENTRE EN EL CENTRO DEL ESPACIO TRANSFORMADO. EL SIGUIENTE PUNTO DE ASIGNACION SE ELIGE MOVIENDOSE EN UNA DIRECCION A LO LARGO DEL NEGATIVO DEL GRADIENTE DE LA FUNCION OBJETIVO. SE REALIZA LA TRANSFORMACION INVERSA PARA VOLVER A LAS COORDENADAS ORIGINALES, REPITENDOSE TODO EL PROCESO CON EL NUEVO PUNTO DE ASIGNACION, Y ASI SUCESIVAMENTE HASTA QUE EL PUNTO ESTA SUFICIENTEMENTE PROXIMO AL PUNTO OPTIMO.
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA RECUPERAR, DE UN MEDIO DE ALMACENAMIENTO EN CARRETE UN BLOQUE DE DATOS ALMACENADOS LADO CON LADO.
Sección de la CIP Física
(16/05/1989). Clasificación: G11B20/18.
CONSISTE EN UN DISPOSITIVO QUE RECUPERA DEL MEDIO LOS DAOS DEL BLOQUE ALMACENADOS A UNO Y OTRO LADO DEL DATO AFECTADO, Y UN DISPOSITIVO QUE CONCATENA LOS DATOS RECUPERADOS, CON EL FIN DE DERIVAR DATOS UTILES QUE QUEDARAN ALMACENADOS LADO CON LADO. ESTE SISTEMA PERMITE LA RECUPERACION DEL MAXIMO POSIBLE DE DATOS, DE UN BLOQUE AFECTADO POR UN ERROR INCORREGIBLE, PERDIENDOSE AQUELLOS QUE QUEDAN DENTRO DE LOS LIMITES DE LA IMPERFECCION. APLICABLE PARA SUBSANAR IMPERFECCIONES EN CINTAS MAGNETICAS.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN ARTICULO A BASE DE CRISTAL CONTENIENDO SILICE.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/03/1989). Inventor/es: FLEMING, JAMES WILLIAM, JOHNSON, DAVID WILFRED, MAC CHESNEY, JOHN BURNETTE, PARDENEK, SANDRA ALENE. Clasificación: C01B33/14, C01B33/146, C01B33/157.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN ARTICULO A BASE DE CRISTAL CONTENIENDO SILICE, QUE COMPRENDE LAS ETAPAS DE FORMAR PARTICULAS DE GEL CONTENIENDO SILICE; FUNDIR DICHAS PARTICULAS DE GEL A UN CUERPO DE CRISTAL CONTENIENDO SILICE; Y COMPLETAR LA FABRICACION DE DICHO ARTICULO; CARACTERIZADO PORQUE LA ETAPA DE FORMACION DE PARTICULAS DE GEL CONTENIENDO SILICE COMPRENDE LA FASE DE SUBDIVIDIR MECANICAMENTE UN SOL SIN GELIFICAR O PARCIALMENTE GELIFICADO Y/O UN CUERPO DE GEL; Y PORQUE PRACTICAMENTE LA TOTALIDAD DE LAS PARTICULAS DE GEL PRODUCIDAS DURANTE DICHA ETAPA DE FORMACION SE ENCUENTRAN HUMEDAS Y SON DE UN TAMAÑO SUSTANCIALMENTE UNIFORME.
UN PROCESADOR DE TRANSFORMADAS ORTOGONAL.
Sección de la CIP Física
(16/02/1989). Inventor/es: LIGTENBERG, ADRIANUS, O\'NEILL, JAY HENRY. Clasificación: G06G7/19.
UN PROCESADOR DE TRANSFORMADA ORTOGONAL, CARACTERIZADO PORQUE COMPRENDE: UN ROTADOR SENSIBLE A UNA PRIMERA SEÑAL DE ENTRADA DE ROTATOR X0, UNA SEGUNDA SEÑAL DE ENTRADA DE ROTATOR X1, UNA PRIMERA SEÑAL DE COEFICIENTE C0 Y UNA SEGUNDA SEÑAL DE COEFICIENTE C1, PARA DESARROLLAR UNA PRIMERA SEÑAL DE SALIDA DEL ROTATOR IGUAL A C0X0+C1X1 Y UNA SEGUNDA SEÑAL DE SALIDA DEL ROTATOR IGUAL A -C1X0+C0X1; UN CIRCUITO DE COMUNICACION, SENSIBLE A LAS SEÑALES DE ENTRADA DEL PROCESADOR APLICADAS, PARA APLICAR A DICHO ROTATOR LAS REFERIDAS PRIMERA Y SEGUNDA SEÑALES DE ENTRADA DEL ROTATOR, PARA ACEPTAR LAS CITADAS PRIMERA Y SEGUNDA SEÑALES DE SALIDA DEL ROTATOR Y PARA SUMINISTRAR SEÑALES DE SALIDA TRANSFORMADAS DE DICHO PROCESADOR DE TRANSFORMADA ORTOGONAL; Y MEDIOS, SENSIBLES A UNA SEÑAL DE CONTROL DE LA INICIACION, PARA PROPORCIONAR SEÑALES DE CONTROL A DICHO CIRCUITO DE COMUNICACION Y DICHAS PRIMERA Y SEGUNDA SEÑALES DE COEFICIENTES A DICHO ROTATOR.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE DISPOSITIVOS TRANSISTORES EN AREAS SELECCIONADAS DE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA.
(16/01/1989) UN PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR TRANSISTORES BIPOLARES Y CMOS SOBRE UN SUSTRATO DE SILICIO DEL TIPO P-. EL SUSTRATO DE SILICIO TIENE LOS POZOS ENTERRADOS N+ HABITUALES Y REGIONES DE OXIDO DE CAMPO PARA AISLAR LOS DISPOSITIVOS TRANSISTORES INDIVIDUALES. DE ACUERDO CON EL PROCEDIMIENTO, SE CREAN PILAS DE MATERIAL SOBRE LOS ELEMENTOS DE PUERTA DE LOS DISPOSITIVOS CMOS Y SOBRE LOS ELEMENTOS EMISORES DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES. LAS PILAS DE MATERIAL SOBRE LOS ELEMENTOS DE PUERTA TIENEN UNA CAPA DE PUERTA DE DIOXIDO DE SILICIO EN CONTACTO CON LA CAPA EPITAXIAL DEL SUSTRATO Y LAS PILAS DE MATERIAL, SOBRE LOS ELEMENTOS EMISORES, TIENEN UNA CAPA DE SILICIO POLICRISTALINO EN CONTACTO CON LA CAPA EPITAXIAL. SE CREAN PAREDES…
Sección de la CIP Física
(01/01/1989). Inventor/es: GREENE, BENJAMIN IRVIN, MILLARD, REBECCA RUTH, ORENSTEIN, JOSEPH, TAI, KUOCHOU, THAKUR, MRINAL, WILLIAMS, LEAH RUBY. Clasificación: G08C19/36.
SISTEMA OPTICO QUE COMPRENDE: AL MENOS UNA PRIMERA FUENTE DE RADIACION ELECTROMAGNETICA, MEDIOS DE COMUNICACION OPTICA CON DICHA FUENTE Y UN DETECTOR DE RADIACION EN COMUNICACION OPTICA CON DICHOS MEDIOS, INCLUYENDO LOS REFERIDOS MEDIOS UNA REGION DE MATERIAL CON LA QUE SE COMUNICA OPTICAMENTE AL MENOS UNA SEGUNDA FUENTE DE RADIACION ELECTROMAGNETICA, DE FORMA QUE MEDIANTE LA ELECCION DE LA LONGITUD DE ONDA, DURACION E INTENSIDAD DE LA RADIACION DE LA SEGUNDA FUENTE, LA CITADA REGION DE MATERIAL PRESENTA UNA RESPUESTA OPTICA ALINEAL, AL MENOS, A UN LONGITUD DE ONDA RESONANTE Y/O UNA RESPUESTA OPTICA ALINEAL AL MENOS A UNA LONGITUD DE ONDA NO RESONANTE, Y LA CORRESPONDIENTE ABSORCION INDUCIDA, SIN COMPONENTES RELATIVAMENTE LENTOS EN LA CITADA REGION Y CON UNA CADENCIA DE REPETICION MAYOR.
PROCEDIMIENTO DE TRANSFERENCIA DE MODELOS PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
Sección de la CIP Física
(16/12/1988). Ver ilustración. Inventor/es: MANSFIELD, WILLIAN MICHAEL, VAIDYA, SHEILA. Clasificación: G03F7/02.
LOS MATERIALES PROTECTORES DE ALTA RESOLUCION, SENSIBLES A LOS HACES DE ELECTRONES, ACTUALMENTE DISPONIBLES, TALES COMO PBS, SE CARACTERIZAN POR UNA POBRE RESISTENCIA AL MORDENTADO EN SECO. POR TANTO, DICHOS MATERIALES PROTECTORES NO SON ADECUADOS PARA UTILIZARSE EN LOS PROCESOS CON MATERIALES PROTECTORES DE TRES NIVELES, CONVENCIONALES, ESENCIALES PARA LITOGRAFIA SUBMICROMETRICA. TAL Y COMO AQUI SE DESCRIBE, SE EMPLEA UNA CAPA MUY FINA DE UN METAL MORDENTABLE EN HUMEDO EN LUGAR DEL DIOXIDO DE SILICIO DE LA ESTRUCTURA DE TRES NIVELES CONVENCIONAL. DADO QUE EL PBS EXHIBE UNA BUENA RESISTENCIA AL MORDENTADO EN HUMEDO, LOS MODELOS EN PBS PUEDEN SER TRANSFERIDOS A LA CAPA METALICA MUY FINA SIN DEGRADAR DE MANERA IMPORTANTE LA CALIDAD DE LOS REBORDES DE LAS LINEAS. LA CAPA METALICA SIRVE ENTONCES COMO UNA MASCARA RESISTENTE PARA MORDENTAR EN SECO EL MODELO HACIA LA CAPA PLANARIZANTE SUBYACENTE.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCIR QUE INCLUYE UNA CAPA EPITAXIAL SOBRE UN SUSTRATO MONOCRISTALINO DE RED DESEQUILIBRADA.
Sección de la CIP Electricidad
(16/12/1988). Ver ilustración. Inventor/es: LURYI, SERGEY. Clasificación: H01L21/20.
SE PUEDEN DESARROLLAR CAPAS EPITAXIALES LIBRES DE DISLOCACION SOBRE LAS SUPERFICIES DE SUSTRATOS MONOCRISTALINOS DE RED CRISTALINA DESEQUILIBRADA , TAL COMO GERMANIO O ARSENURO DE GALIO SOBRE SILICIO, CON LA CONDICION DE QUE LAS SUPERFICIES SE ENCUENTREN ADECUADAMENTE MODELADAS, TAL COMO ALMENADAS O POROSAS (FIGURA 4).
FUENTE DE ALIMENTACION DEL TIPO DE CONMUTACION.
Sección de la CIP Electricidad
(01/11/1988). Ver ilustración. Inventor/es: TAYLOR, ROBERT LAWSON. Clasificación: H02J1/02.
UNA FUENTE DE ALIMENTACION DEL TIPO DE CONMUTACION COMPRENDE CIRCUITERIA DE NEUTRALIZACION PARA CONTRARRESTAR EL FLUJO DE CORRIENTE A LA MASA DEL EQUIPO COMO CONSECUENCIA DE CORRIENTES RF GENERADAS. ESTA CIRCUITERIA DE NEUTRALIZACION INCLUYE UN ARROLLAMIENTO DE TRANSFORMADOR INCORPORADO Y UN CONDENSADOR DE NEUTRALIZACION PARA CONTRARRESTAR Y CANCELAR CORRIENTES DE FUGA ESPECIFICAS. ESTA DISPOSICION PERMITE EL USO DE CONDENSADORES DE FILTRO MAS PEQUEÑOS Y, POR TANTO, REDUCE EL FLUJO DE CORRIENTES DE FUGA DE FRECUENCIA DE LINEA A LA MASA DEL EQUIPO.
CIRCUITO INTEGRADO PARA LA PROTECCION CONTRA SOBREVOLTAJES EN LINEAS DE ABONADOS TELEFONICOS.
Sección de la CIP Electricidad
(01/11/1988). Ver ilustración. Inventor/es: ROBE, THOMAS JOSEPH. Clasificación: H02H9/04, H04M3/18.
SE DESCRIBE UN CIRCUITO PROTECTOR DE SOBREVOLTAJES PARA SISTEMAS DE COMUNICACIONES PARA PROTEGER INSTALACIONES CONTRA CRUCES DE ENERGIA EN LAS LINEAS DE LAS COMPAÑIAS ELECTRICAS. SE UTILIZA UN CIRCUITO DE ENCLAVAMIENTO TEMPORIZADO PARA ACTIVAR UNA PLURALIDAD DE SCR DE DIRECCION QUE EL SOBREVOLTAJE. EL EMPLEO DE UN CIRCUITO DE ENCLAVAMIENTO PARA ACTIVAR EL DISPOSITIVO DE DIRECCION, EN LUGAR DE LA TECNICA TRADICIONAL DE UTILIZAR LA CORRIENTE REAL DE LA LINEA DE SOBREVOLTAJE, PERMITE UTILIZAR DISPOSITIVOS MAS PEQUEÑOS, REDUCIENDO ASI TANTO EL TAMAÑO DEL CIRCUITO COMO LA DISIPACION DE ENERGIA DEL CIRCUITO.
CIRCUITO INTEGRADO PROTECTOR.
Sección de la CIP Electricidad
(01/10/1988). Ver ilustración. Inventor/es: STRAUSS, MARK STEVEN. Clasificación: H01L27/02, H01L29/06.
LOS CIRCUITOS INTEGRADOS REALIZADOS CON LA TECNOLOGIA DE PUERTA AISLADA (V.G., CMOS) SE HAN PROTEGIDO CONTRA LA DESCARGA ELECTROSTATICA (ESD) MEDIANTE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE PUERTA METALICA. SORPRENDENTEMENTE, SE OBTIENE UNA PROTECCION SUPERIOR OMITIENDO LA PUERTA METALICA, BASANDOSE DE ESTE MODO TAN SOLO EN LA DESCARGA EN ALUD DEL DISPOSITIVO BIPOLAR PARA LA PROTECCION DE POLARIDAD OPUESTA. SE POSTULA QUE EL EFECTO DE CAMPO DEL DISPOSITIVO DE PUERTA METALICA RESTRINGE INDESEABLEMENTE EL FLUJO DE CORRIENTE EN EL DISPOSITIVO DE LA TECNOLOGIA ANTERIOR. LA TECNICA DE LA INVENCION SE PUEDE REALIZAR CONVENIENTEMENTE EMPLEANDO UN DIODO EN LUGAR DE UN TRANSISTOR COMO ELEMENTO PROTECTOR.
ESTACION DE TRABAJO DE GRAFICOS EN MAPAS DE BITIOS.
Sección de la CIP Física
(16/03/1988). Inventor/es: NTRLAL KAPUR, RAJAN. Clasificación: G01G1/02.
ESTACION DE TRABAJO DE GRAFICOS EN MAPAS DE BITIOS QUE COMPRENDE UN PROCESADOR PRINCIPAL, UN DISPOSITIVO DE VISUALIZACION DE GRAFICOS CON BARRIDO DE TRAMA Y MEDIOS PARA DEFINIR Y CONTROLAR LA PRESENTACION VISUAL DE DATOS EN VENTANAS DEFINIDAS CON INDEPENDENCIA EN LA PANTALLA DEL DISPOSITIVO DE PRESENTACION VISUAL. SE PROPORCIONA UNA MEMORIA DE MAPA DE BITIOS INDIVIDUALES PARA CADA VENTANA SUSCEPTIBLE DE DEFINICION. OTRA MEMORIA SE SUMINISTRA PARA ALMACENAR LOS LIMITES DE CADA VENTANA EN LA PANTALLA. LOS MEDIOS DE DEFINICION Y CONTROL IDENTIFICAN CONTINUAMENTE QUE VENTANA, SI LA HUBIERE, SE ESTA REGENERANDO EN LA PANTALLA EN ESE MOMENTO.
GENERACION DE BORDES DE VENTANAS EN UNA ESTACION DE TRABAJO DE GRAFICOS EN MAPAS DE BITS.
(01/03/1988) LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A CIRCUITOS DE GENERACION DE BORDES DE VENTANAS EN UNA ESTACION DE TRABAJO DE GRAFICOS EN MAPAS DE BITIOS. LA ESTACION DE TRABAJO INCLUYE UN PROCESADOR PRINCIPAL, UN DISPOSITIVO DE PRESENTACION VISUAL DE GRAFICOS CON BARRIDO DE TRAMA Y MEDIOS PARA CONTROLAR LA PRESENTACION DE DATOS EN UNA O MAS VENTANAS DE LA PANTALLA DEL DISPOSITIVO DE PRESENTACION VISUAL. SE PROPORCIONA UN MAPA DE BITIOS INDIVIDUAL PARA CADA VENTANA. EN CUALQUIER MOMENTO DADO, LOS DATOS DE PRESENTACION VISUAL SE PUEDEN RECUPERAR A PARTIR DE UNO DE LOS MAPAS DE BITIOS ASOCIADOS CON UNA VENTANA OBJETO DE REGENERACION EN ESE PRECISO MOMENTO. LOS CIRCUITOS INCLUIDOS EN LA ESTACION DE TRABAJO DETECTAN CUANDO LA TRAMA DE LA PANTALLA ESTA SITUADA EN UNA POSICION EN LA QUE HA DE…
SISTEMA DE ASISTENCIA POR OPERADORA.
Sección de la CIP Electricidad
(01/12/1987). Clasificación: H04M3/60.
SISTEMA DE ASISTENCIA POR OPERADORA. CONSTA DE: UN PROCESADOR DE CONTROL CON UNA UNIDAD DE PROCESO CENTRAL Y UNA MEMORIA , UNA RED DE CONMUTACION DIGITAL DE CIRCUITOS ; UNA RED DE CONMUTACION DE PAQUETES Y UNA POSICION DE OPERADORA CON UN PROCESADOR TERMINAL , UNA PANTALLA UN TECLADO , UN CONTROLADOR DE VOZ , UN CONVERTIDOR A/D Y UN MULTIPLEXOR.
PERFECCIONAMIENTOS EN UN DISPOSITIVO TRANSISTOR MOS.
Sección de la CIP Electricidad
(01/12/1987). Clasificación: H01L21/28.
MODIFICACIONES EN UN DISPOSITIVO TRANSISTOR MOS. CONSISTENTES EN: INCLUIR, EN EL TRANSISTOR UNA CAPA DILECTRICA DE LA PUERTA QUE CUBRE EL SEGUNDO PARA DE PAREDES LATERALES, Y UN ELECTRODO PUERTA DEL TRANSISTOR MOS QUE SE EXTIENDE A LO LARGO DEL SEGUNDO PAR DE PAREDES AL BORDE DE LA REGION DE LA FUENTE Y SUPERPONIENDOSE EL OTRO BORDE DEL ELECTRODO PUERTA AL BORDE DE LA REGION DEL DRENADOR; QUE EL SEMICONDUCTOR ES SILICIO; QUE EL ELECTRODO PUERTA ES POLISILICIO.
PROCEDIMIENTO PARA INFUNDIR Y MANTENER UNA FIBRA DE GAS DE VIDRIO.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/07/1987). Clasificación: C03C25/00.
METODO PARA INFUNDIR Y MANTENER UNA FIBRA DE . CONSISTE EN: A) SITUAR UNA LONGITUD PREDETERMINADA DE UNA FIBRA OPTICA DENTRO DE UN RECIPIENTE DE PRESION , SOBRESALIENDO SUS EXTREMOS A TRAVES DE JUNTAS SITUADAS EN UNA PARED DEL RECIPIENTE ; B) DEPOSITAR UN RECIPIENTE EN EL RECIPIENTE QUE COMPRNEDE UN GAS QUE SE HA DE INFUNDIR EN LA FIBRA, QUE ESTA A UNA PRESION ELEVADA, Y UN DISCO DE RUPTURA EN UNA DE SUS PAREDES; C) CERRAR HERMETICAMENTE EL RECIPIENTE ; Y D) PRESIONIZAR EL RECIPIENTE PARA HACER QUE IMPLOSIONES EL DISCO EN LA PARED DEL RECIPIENTE DE GAS Y SE LIBERE EL GAS PARA INFUNDIRSE EN LA FIBRA. TIENE APLICACION EN TECNICAS DE LASER.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN ARTICULO ELASTOMERICO CONTENEDOR DE UN AGENTE BIOLOGICA O NO BIOLOGICAMENTE ACTIVO.
Sección de la CIP Necesidades corrientes de la vida
(01/07/1987). Clasificación: A01N25/10.
PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN ARTICULO ELASTOMERICO ALMACENADOR DE UN AGENTE BIOLOGICO. CONSISTE EN HACER REACCIONAR A UN POLIOL CON UN ISOCIANATO, PARA FORMAR UNA MATRIZ DE POLIURETANO QUE TIENE UN MODULO ENTRE 10 ELEVADO A 4 Y 10 ELEVADO A 8 PA A 23GC Y UNA TEMPERATURA DE TRANSICION VITREA TG INFERIOR A 0GC Y RETIENE AGENTE BIOLOGICO ACTIVO. EL POLIOL TIENE UN COMPONENTE PRINCIPAL SELECCIONADO ENTRE POLIBUTADIENO TERMINADO EN HIDROXILO Y COPOLIMEROS TERMINADOS EN HIDROXIDO DE BUTADIENO CON ESTIRENO Y UN COMPONENTE SECUNDARIO SELECCIONADO ENTRE POLIBUTADIENO TERMINADO EN CARBOXILO Y COPOLIMEROS TERMINADOS EN CARBOXILO DE ISOPRENO CON ACRILONITRILO, EL ISOCIANATO TIENE UN PESO MOLECULAR PROMEDIO ENTRE 80 Y 1.000, UNA FUNCIONALIDAD MEDIA DE 2 A 3 Y SE SELECCIONA ENTRE ISOCIANATOS ALIFATICOS E ISOCIANATOS HETEROCICLICOS. LAS SUSTANCIAS ACTIVAS SE SELECCIONAN ENTRE DESODORANTES, PERFUMES Y FUNGICIDAS. 6.
