CIP-2021 : C30B 15/24 : utilizando medios mecánicos, p. ej. guías de formación (matrices de formación para el crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie C30B 15/34).
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Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B 15/24 · · · utilizando medios mecánicos, p. ej. guías de formación (matrices de formación para el crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie C30B 15/34).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento de fabricación de placas de sicilio policristalino.
(03/04/2012) Procedimiento de fabricación de al menos una placa de silicio policristalino de la cual una de las dos caras tiene un relieve predeterminado, de acuerdo con el cual se deposita una capa de silicio policristalino sobre al menos una de las dos caras de un soporte , siendo el citado soporte una cinta de carbono, caracterizado porque:
- se imprime la citada cara del soporte para darla una forma complementaria del citado relieve,
- se recubre el citado soporte con un revestimiento protector de grafito pirolitico despues de la impresión de su superficie para darle la citada forma complementaria del relieve,
- se deposita la citada capa de silicio policristalino es depositada sobre la citada cara impresa del soporte , adaptandose entonces la superficie (64 o 66) de la citada capa de silicio policristalino…
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA FORMAR AL MENOS UNA CINTA DE MATERIAL MONOCRISTALINO DE UNA MASA FUNDIDA.
(01/11/1982). Solicitante/s: UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY.
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA FORMA AL MENOS UNA CINTA DE MATERIAL MONOCRISTALINO DE UNA MASA FUNDIDA. SE FORMA UNA MASA FUNDIDA DE MATERIAL EN UN RECIPIENTE ALREDEDOR DE TODA LA SUPERFICIE DE UN TROQUEL DE CONFORMACION CONECTABLE, QUE COMPRENDE AL MENOS DOS ELEMENTOS SEPARADOS QUE TIENEN CADA UNO UNA PARTE (15B, 17B) POR DEBAJO DEL NIVEL DEL MATERIAL FUNDIDO EN EL RECIPIENTE, Y OTRA PARTE (15A, 17A) SITUADA POR ENCIMA DEL MISMO EN UNA ALTURA SUFICIENTE PARA FORMAR UN MENISCO ELEVADO DE MASA FUNDIDA ALREDEDOR DEL ELEMENTO CORRESPONDIENTE. LA CINTA DE SIEMBRA SE COLOCA ENTRE LOS ELEMENTOS SEPARADOS Y SE HACE DESCENDER HASTA QUE UN EXTREMO SE PONE EN CONTACTO CON LA SUPERFICIE DE MASA FUNDIDA, RETIRANDOSE ENTONCES LENTAMENTE Y PRODUCIENDOSE UN CINTA MONOCRISTALINA DE MATERIAL FUNDIDO.
UN MÉTODO DE PREPARACIÓN DE UN CRISTAL DE MATERIAL MONOCRISTALINO.
(16/07/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Resumen no disponible.
