CIP-2021 : H01L 21/363 : utilizando un depósito físico, p. ej. depósito bajo vacío, pulverización.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/363 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito bajo vacío, pulverización.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
METODO DE OBTENCION CONTROLADA POR EVAPORACION EN VACIO DE PUNTOS ORGANICOS DE TAMAÑO NANOSCOPICO DE PERILENO-TETRACARBOXIICO-DIANHIDRIDO (PTCDA), Y SUS APLICACIONES.
(01/06/2008) Método de obtención controlada por evaporación en vacío de puntos orgánicos de tamaño nanoscópico de perileno-tetracarboxílico-dianhídrido (PTCDA), y sus aplicaciones. Esta patente consiste en un método de formación de los comúnmente denominados "puntos orgánicos", agregados de moléculas de perileno-tetracarboxílico-dianhidrido (más conocido por las siglas, PTCDA) en tamaños de pocos nanómetros. Para ello utilizamos átomos metálicos fijados en zonas específicas de un substrato que presente una red de dislocaciones o centros de nucleación. En concreto hemos obtenido islas de moléculas orgánicas de PTCDA de menos de seis nanómetros de tamaño, usando átomos de hierro como anclaje y un substrato de oro reconstruido Au como superficie con puntos de nucleación.…
DIODO DE LASER AZUL-VERDE.
(16/10/1997). Solicitante/s: MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY. Inventor/es: HAASE, MICHAEL, A., CHENG, HWA, DEPUYDT, JAMES, M., QIU, JUN.
UN DIODO DE LASER SEMICONDUCTOR DE COMPUESTO II-VI ESTA FORMADO SOBRE CAPAS SUPERPUESTAS DE MATERIAL QUE COMPRENDE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR DE CRISTAL UNICO DE TIPO N ADYACENTE A LASERES GUIA DE TIPO N, Y TIPO P (14, Y DE SEMICONDUCTOR II-VI QUE FORMA UNA UNION PN, UNA CAPA ACTIVA DE PARED CUANTICA DE SEMICONDUCTOR II-VI ENTRE LAS CAPAS GUIA Y , EL PRIMER ELECTRODO OPUESTOS AL SUSTRATO DE LA CAPA GUIA DE TIPO N , Y UN SEGUNDO ELECTRO OPUESTO A LA CAPA GUIA DE TIPO P DE LA CAPA DE PARED CUANTICA . LA CAPA DE ELECTRODO (309 SE CARACTERIZA PR UNA ENERGIA FERMI. UNA CAPA DE CONTACTO OHMICO DE TIPO P ESTA IMPURIFICADA, CON ACEPTADORES POCO PROFUNDOS QUE TIENEN UNA ENERGIA DE ACEPTADOR POCO PROFUNDO, PARA UNA CONCENTRACION DE ACEPTADOR DE RED DE AL MENOS 1 X 1017 CM-3, Y COMPRENDE ESTADOS DE ENERGIA SUFICIENTE ENTRE LA ENERGIA DE ACEPTADOR POCO PROFUNDA Y LA ENERGIA FERMI DE CAPA DE ELECTRODO PARA PERMITIR LA PERFORACION DE TUNEL EN CASCADA POR PORTADORES DE CARGA.
ELEMENTO FOTOVOLTAICO CON UNA CAPA SEMICONDUCTORA QUE CONTIENE MATERIAL CRISTALINO NO SIMPLE, QUE TIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN CANTIDAD DE 1-40 % EN ATOMOS.
(01/07/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, MURAKAMI, TSUTOMU, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.
UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE GENERA FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ MEDIANTE LA CONEXION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO-P Y OTRA TIPO-N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS ESTA HECHA DE UNA PELICULA DEPOSITADA, COMPUESTA DE ATOMOS DE ZN, SE, OPCIONALMENTE TE, Y POR LO MENOS H, CONTENIENDO DICHA PELICULA DEPOSITADA UN AGENTE DOPANTE TIPO-P O TIPO-N, QUE CONTIENE 1-4 % EN ATOMOS DE ATOMOS DE H, QUE CONTIENEN ATOMOS DE SE Y DE TE EN LA RELACION 1:9-3:7 (EN TERMINOS DE NUMERO DE ATOMOS), Y QUE TAMBIEN TIENE GRANOS EN UNA RELACION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN.