CIP-2021 : H01L 29/732 : Transistores verticales.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 29/732 · · · · · · Transistores verticales.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada.

(30/11/2016) Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora tipo p dispuesta entre la primera capa semiconductora tipo p y la capa semiconductora tipo n de tal manera que el segundo semiconductor tipo p está directamente adyacente a la capa semiconductora, teniendo la segunda capa semiconductora tipo p una concentración de dopaje graduada; un sustrato , creciendo la capa semiconductora tipo n sobre el sustrato ; una capa de ánodo para recolectar agujeros; una capa de cátodo para recolectar electrones; en el que la concentración de dopaje graduada define una primera concentración adyacente a la primera capa semiconductora…

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS RB-IGBT.

(30/01/2013) Método de fabricación de dispositivos RB-IGBT. Se presenta un método de fabricación de dispositivos IGBT, con capacidad de bloqueo en inversa. Para ello, se ha utilizado la técnica de aislamiento por trinchera donde el proceso de impurificación de la misma se ha realizado utilizando una fuente sólida con obleas de boro, resultando en un abaratamiento tanto en material de partida como en una reducción del tiempo de proceso.

PROCEDIMIENTO DE UTILIZACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UN SUSTRATO QUE TIENE UN ISLOTE SEMICONDUCTOR DIELECTRICAMENTE AISLADO.

(16/02/2001) LA ZONA DE OCUPACION Y EL GROSOR DE ESTRUCTURAS DE TRANSISTOR EN ISLOTES AISLADOS DIELECTRICAMENTE, QUE EMPLEAN UN SUBCOLECTOR ENTERRADO PARA SUMINISTRAR UNA RESISTENCIA DE COLECTOR BAJA EN EL FONDO DEL ISLOTE, SE REDUCEN MEDIANTE LA CONFECCION DE LA CONCENTRACION DE LAS IMPUREZAS DE UNA ZONA DE ISLOTE DE GROSOR REDUCIDO PARA PROPORCIONAR UN PASO DE CORRIENTE DE RESISTENCIA BAJA DESDE LA LOCALIZACION DE UN ISLOTE , DIRECTAMENTE POR DEBAJO DE LA REGION BASE AL CONTACTO DE COLECTOR . EL SUSTRATO DE SOPORTE ES DESVIADO A UN VOLTAGE QUE ES MENOR QUE EL VOLTAGE DEL COLECTOR, DE TAL MANERA QUE LA PARTE DEL ISLOTE DE COLECTOR DIRECTAMENTE…