CIP-2021 : H01L 21/331 : Transistores.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/331 · · · · · · Transistores.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Unidad de grifo para un dosificador de bebida.
(14/03/2018) Una parte de dispensación de bebida para su uso con una unidad de cartucho que tiene un canal interior para la dispensación de una bebida, comprendiendo la unidad de cartucho una primera parte , que está fabricada con un material inflexible y, una segunda parte , que está fabricada con un material flexible, cuya parte de dispensación de bebida , además, se puede conectar a un recipiente en el cual la bebida está almacenada y que está adaptado para tener un extremo de la unidad de cartucho insertado en este para la dispensación de bebida, mediante el cual se puede dispensar bebida a partir del recipiente a través de la unidad de cartucho y comprendiendo además la parte de dispensación de bebida…
Método para la producción de un dispositivo semiconductor que usa el recocido láser para activar selectivamente los adulterantes implantados.
(28/03/2012) Un método para producir un dispositivo semiconductor con una superficie modelada que comprende almenos una zona parcial adulterada con un adulterante de un primer tipo de conductividad y al menos una zona adulterada con un adulterante de un segundo tipo de conductividad en el mismo lateral de un sustrato semiconductor, comprendiendo el método:
- implantar el adulterante del primer tipo de conductividad e implantar el adulterante del segundo tipo deconductividad en la superficie a modelar;
- activar localmente el adulterante del primer tipo de conductividad mediante el calentamiento local de almenos la zona parcial de la superficie para que se modele a una primera temperatura con el uso de unrayo láser;
- activar el adulterante del segundo tipo de conductividad…
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE COMPONENTES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
(16/04/2006). Solicitante/s: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH. Inventor/es: HERZER, REINHARD, DR. HABIL., NETZEL, MARIO, DR.
Fabricación de componentes semiconductores de potencia por ejemplo, transistor bipolar de puerta aislada de alta tensión (IGBT). La barrera o capa intermedia con una primera conductividad tiene un grosor superior que es esencial desde el punto de vista eléctrico. Se introduce en esta forma, mediante la difusión dentro de la oblea homogénea monocristalina en la zona de base , antes de introducir otras estructuras en la parte superior de la oblea. Una vez que se han formado, el exceso es puesto a tierra o se elimina.
FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/08/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: TOTEM SEMICONDUCTOR LTD. Inventor/es: EVANS, JONATHAN LESLIE.
UN METODO PARA FORMAR UN FOSO DOPADO COMO PARTE DE LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TAL COMO UN DISPOSITIVO DE POTENCIA CON PUERTA DE FOSO, TRANSISTOR LOGICO O CELDA DE MEMORIA. SE FORMA UN FOSO EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR USANDO UNA MASCARA . EL FOSO ESTA PARCIALMENTE RELLENO CON UN MATERIAL DE ELECTRODO Y SE DOPAN LAS PAREDES DEL FOSO CON LA MASCARA TODAVIA PUESTA.
CAPA DE SILICIO EPITAXIAL Y METODO PARA DEPOSITARLA.
(01/05/1996). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: MEYERSON, BERNARD S.
SE PROPORCIONA UNA CAPA DE SILICONA DE TIPO-N IMPURIFICADA IN-SITU MEDIANTE UN PROCESO DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO A BAJA TEMPERATURA Y BAJA PRESION, EMPLEANDO UN GAS CONTENIENDO GERMANIO EN COMBINACION CON EL GAS CONTENIENDO IMPUREZAS DE TIPO-N PARA ASI REALZAR LA INCORPORACION IN-SITU DEL IMPURIFICADOR DE TIPO-N EN LA CAPA DE SILICONA COMO UN IMPURIFICADOR ELECTRONIALMENTE ACTIVO. TAMBIEN SE SUMINISTRA UNA CAPA DE SILICONA INCLUYENDO UNA UNION P-N DONDE LA CAPA CONTIENE UN IMPURIFICADOR TIPO-N Y GERMANIO, Y DISPOSITIVOS TALES COMO TRANSISTORES INCORPORANDO UNA CAPA DE SILICONA IMPURIFICADA-N IN-SITU.
