CIP-2021 : H01L 31/117 : del tipo detectores de radiación con efecto de volumen, p.
ej. detectores PIN en Ge compensados al Li para rayos gamma.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/117 · · · · del tipo detectores de radiación con efecto de volumen, p. ej. detectores PIN en Ge compensados al Li para rayos gamma.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PERFECCIONAMIENTOS EN LA FABRICACION DE DETECTORES DE PARTICULAS DE SEMI-CONDUCTOR DE ESTRUCTURAS NIP.
(16/04/1975). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE.
Perfeccionamientos en la fabricación de detectores de partículas de semi-conductor de estructuras NIP, caracterizados porque se frota la zona N de un detector NIP difundido y migrado al litio clásico, porque se deposita por evaporación en vacío sobre la muestra IP restante una capa metálica únicamente sobre la zona intrínseca I, y porque se implanta iones litio, en dicha zona intrínseca a través de dicha capa metálica.