CIP-2021 : C23C 16/01 : sobre sustratos temporales, p. ej., sobre sustratos que posteriormente se eliminan por ataque químico.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/01 · sobre sustratos temporales, p. ej., sobre sustratos que posteriormente se eliminan por ataque químico.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento para la producción de silicio policristalino.
(11/09/2018) Procedimiento para la producción de silicio policristalino, en el que se precipita silicio policristalino sobre cuerpos soporte calentados mediante paso de corriente directo, con lo cual se generan varas de silicio policristalinas, manteniéndose los cuerpos soporte en una placa de fondo de un reactor y abasteciéndose éstos de corriente a través de electrodos, concluyéndose la precipitación de silicio policristalino cuando las varas de silicio policristalinas han alcanzado un diámetro final deseado, eliminándose a continuación las varas de silicio policristalinas del reactor y equipándose el reactor con nuevos cuerpos soporte para generar otras varas de silicio policristalinas, limpiándose la placa de fondo del…
Procedimiento para la producción de silicio policristalino.
(30/05/2018). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: PECH,REINER, KERSCHER,MICHAEL, SANDNER,ARMIN.
Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende precipitación de silicio policristalino en cuerpos soporte que se encuentran en al menos un reactor, mediante lo cual se obtienen varas de silicio policristalinas, desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, caracterizado por que, tras el desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, y antes del desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, el silicio policristalino presente en forma de vara se clasifica en al menos dos clases de calidad por medio de al menos una característica, alimentándose éstas clases de calidad, al menos dos, a pasos de desmenuzado separados.
PDF original: ES-2677489_T3.pdf
Proceso para deposición asistida por plasma con eliminación del tubo de substrato.
(11/05/2016) Procedimiento para fabricar un precursor para una preforma primaria para fibras ópticas por medio de un proceso de deposición de plasma interno, cuyo procedimiento comprende las etapas de:
i) proporcionar un tubo de substrato hueco;
ii) crear en el interior de dicho tubo de substrato hueco una primera zona de reacción de plasma que tiene primeras condiciones de reacción por medio de radiación electromagnética para efectuar la deposición de capas de sílice sin vitrificar sobre la superficie interna de dicho tubo de substrato hueco, y posteriormente;
iii) crear en el interior de dicho tubo de substrato hueco una segunda zona de reacción de plasma que tiene segundas condiciones de reacción por medio de radiación electromagnética para…