CIP-2021 : C01G 21/21 : Sulfuros.
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Notas[t] desde C01 hasta C14: QUIMICA
C QUIMICA; METALURGIA.
C01 QUIMICA INORGANICA.
C01G COMPUESTOS QUE CONTIENEN METALES NO CUBIERTOS POR LAS SUBCLASES C01D O C01F (hidruros metálicos C01B 6/00; sales de oxácidos de halógenos C01B 11/00; peróxidos, sales de los perácidos C01B 15/00; tiosulfatos, ditionitos, politionatos C01B 17/64; compuestos que contienen selenio o teluro C01B 19/00; compuestos binarios del nitrógeno con metales C01B 21/06; azidas C01B 21/08; amidas metálicas C01B 21/092; nitritos C01B 21/50; fosfuros C01B 25/08; sales de los oxácidos del fósforo C01B 25/16; carburos C01B 32/90; compuestos que contienen silicio C01B 33/00; compuestos que contienen boro C01B 35/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares pero que no tienen propiedades de cambiadores de base C01B 37/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares y de cambiadores de base, p. ej. zeolitas cristalinas, C01B 39/00; cianuros C01C 3/08; sales del ácido ciánico C01C 3/14; sales de cianamida C01C 3/16; tiocianatos C01C 3/20; procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; obtención a partir de mezclas, p. ej. a partir de minerales, de compuestos metálicos que son los compuestos intermedios de un proceso metalúrgico para la obtención de un metal libre C21B, C22B; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B).
C01G 21/00 Compuestos de plomo.
C01G 21/21 · Sulfuros.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método de producir nanopartículas semiconductoras estables terminadas con oxígeno.
(28/02/2018) Un método de producir nanopartículas semiconductoras inorgánicas que tienen una superficie estable, comprendiendo el método:
proporcionar un material semiconductor a granel inorgánico; y
moler el material semiconductor a granel a una temperatura entre 100ºC y 200ºC en presencia de un agente reductor seleccionado, actuando el agente reductor para reducir químicamente óxidos de uno o más elementos componentes del material semiconductor formado durante el molido, o prevenir la formación de tales óxidos siendo oxidado preferentemente,
para producir mediante ello nanopartículas semiconductoras del material semiconductor a granel inorgánico, teniendo dichas nanopartículas una superficie estable que permite el contacto eléctrico entre las partículas en donde el medio de molido y/o uno o más componentes…
FABRICACION DE PARTICULAS QUE PRESENTAN UNA DIMENSION UNIFORME DE PUNTOS CUANTICOS.
(01/10/1998). Solicitante/s: ISIS INNOVATION LIMITED. Inventor/es: DOBSON, PETER JAMES, SALATA, OLEG VIKTOROVICH, SMARTS COTTAGE, HULL, PETER JAMES, HUTCHISON, JOHN LAIRD, 56 COVERLEY ROAD.
PARTICULAS DE TAMAÑO DESEADO CRISTALITOS CERO-DIMENSIONALES DE UN METAL O COMPUESTO DE METAL QUE SE FABRICAN MEDIANTE UN METODO QUE PROPORCIONA UNA SOLUCION EN UN SOLVENTE EVAPORABLE EN UNA CONCENTRACION PREDETERMINADA DE UN METAL ELEGIDO, Y QUE FORMA GOTAS DE LA SOLUCION CON UN TAMAÑO PREDETERMINADO SUSTANCIALMENTE UNIFORME. LAS GOTAS SE PONEN ENTONCES EN CONTACTO CON UN REAGENTE DE FASE GASEOSA FORMANDO ASI LAS PARTICULAS DE COMPUESTO DE METAL DESEADAS. EL SOLVENTE PUEDE EXTRAERSE ANTES, DURANTE O DESPUES DEL CONTACTO DE LAS GOTAS CON EL REAGENTE DE FASE GASEOSA. LAS PARTICULAS DE TAMAÑO DESEADO DEL COMPUESTO DE METAL ASI FORMADAS SE DEPOSITAN SOBRE UN SUSTRATO. ESTAS PUEDEN CONTENERSE DENTRO DE UN POLIMERO COMO UNA PELICULA. MEDIANTE EL CONTROL DE LA CONCENTRACION DE LA SOLUCION Y DEL TAMAÑO DE LAS GOTAS, EL TAMAÑO DE LAS PARTICULAS PUEDE CONTROLARSE ESTRECHAMENTE.