CIP-2021 : C30B 25/20 : siendo el sustrato del mismo material que el lecho epitaxial.
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C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor.
C30B 25/20 · · · siendo el sustrato del mismo material que el lecho epitaxial.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Diamantes monocristalinos de grado de dispositivo electrónico y método de producción de los mismos.
(22/05/2019) Un método que utiliza un proceso de deposición de vapor químico por plasma de microondas (MPCVD) para producir diamante monocristalino de grado de dispositivo electrónico, que comprende:
(a) seleccionar un sustrato o una semilla de diamante que tengan una orientación predeterminada;
(b) limpiar y grabar fases que no son de diamante y otros daños superficiales inducidos por el sustrato o la semilla de diamante , con lo que esta etapa se realiza una o más veces, y en donde esta etapa comprende eliminar las fases que no son de diamante del sustrato limpiándolo en un baño de ácido hirviendo que tiene una temperatura…
Aparato de deposición química de vapor asistida por plasma de microondas.
(27/09/2017). Solicitante/s: IIA Technologies Pte. Ltd. Inventor/es: MISRA,DEVI SHANKER.
Un aparato para cultivar diamantes, comprendiendo el aparato:
una o más cámaras , estando cada cámara en conexión fluida con una o más otras cámaras , comprendiendo cada cámara uno o más conjuntos de plataforma de sustrato dentro de la cámara para soportar una plataforma de sustrato ,
en donde el conjunto de plataforma de sustrato comprende una placa , dicha plataforma de sustrato y un reflector periférico ; estando soportados la plataforma de sustrato y el reflector periférico en la parte superior de la placa ,
caracterizado por que
las cámaras están dispuestas en serie con tubos de flujo de gas entre cada cámara, o las cámaras están dispuestas en una red de manera que cada cámara está conectada a una cámara adyacente, para permitir el flujo de gas entre las cámaras.
PDF original: ES-2652129_T3.pdf
Método para fabricar un sustrato de SiC con película epitaxial de SiC.
(17/05/2017) Un método de fabricación de una oblea epitaxial de 4H-SiC que comprende una película epitaxial de SiC sobre un sustrato de 4H-SiC monocristalino, donde el método comprende:
a. cargar el sustrato de 4H-SiC monocristalino sobre un susceptor en una celda de reacción de un sistema de CVD de pared caliente;
b. calentar el sistema controlando la temperatura del susceptor en la celda de reacción hasta un intervalo de 1500°C a 1620°C; y
c. ejecutar un ciclo de fabricación para producir la oblea epitaxial de 4H-SiC, donde el ciclo de fabricación comprende suministrar un flujo de gas paralelo a una superficie del sustrato de 4H-SiC monocristalino, de tal manera que la velocidad total del gas se encuentra en un intervalo de 120 a 250 cm/s, y controlar una presión en el interior de la celda de reacción hasta un intervalo de 100…
CAPA GRUESA DE DIAMANTE MONOCRISTALINO, PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION Y GEMAS PRODUCIDAS A PARTIR DE LA CAPA.
(16/05/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: DE BEERS INDUSTRIAL DIAMOND DIVISION (PROPRIETARY) LIMITED. Inventor/es: SCARSBROOK, GEOFFREY ALAN, MARTINEAU, PHILIP MAURICE, DORN, BARBEL SUSANNE CHARLOTTE, COOPER, ANDREW MICHAEL, COLLINS, JOHN LLOYD, WHITEHEAD, ANDREW JOHN, TWITCHEN, DANIEL JAMES.
Una capa de diamante CVD monocristalino de alta calidad que tiene un espesor de al menos 2 mm y que tiene una o más de las siguientes características: 1) una gran distancia de recolección de carga a 300 K de al menos 100 ìm medida a un campo aplicado de 1 V/ìm; 2) un valor elevado para el producto de la movilidad media y duración de portadores ìô tal que supera 1, 0 x 10-6 cm2/V a 300 K; 3) una movilidad de electrones (ìe) medida a 300 K mayor de 2400cm2V-1s-1; 4) una movilidad de huecos (ìh) medida a 300 K mayor de 2100 cm2V-1s-1; y 5) en el estado desactivado, una resistividad a 300 K mayor de 1012 Ùcm a un campo aplicado de 50 V/ìm.
