CIP-2021 : H01L 31/062 : siendo las barreras de potencial únicamente del tipo metal-aislante-semiconductor.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/062 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo metal-aislante-semiconductor.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Célula solar con contactos de heterounión semiconductores dopados y procedimiento para su fabricación.
(15/05/2019). Solicitante/s: SunPower Corporation. Inventor/es: COUSINS,PETER JOHN.
Una célula solar que comprende:
un sustrato de silicio ; y
una capa de óxido con efecto túnel sobre una superficie trasera del sustrato ,
un primer contacto semiconductor dopado sobre la capa de óxido con efecto túnel, y
caracterizada por que
un segundo contacto semiconductor dopado formado sobre el primer contacto semiconductor dopado y en una abertura a través del primer contacto semiconductor dopado y en contacto con la capa de óxido con efecto túnel , donde, los contactos semiconductores dopados primero y segundo tienen tipos de conductividad opuestos y una capa aislante entre el primer contacto semiconductor dopado y el segundo contacto semiconductor dopado.
PDF original: ES-2729999_T3.pdf
Célula solar con contactos de heterounión semiconductores dopados.
(31/08/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: SunPower Corporation. Inventor/es: COUSINS,PETER JOHN.
Una célula solar que comprende:
a) un cuerpo semiconductor que tiene una primera y una segunda superficie principal opuesta,
b) una primera capa dieléctrica sobre la primera superficie y una segunda capa dieléctrica sobre la segunda superficie, comprendiendo la segunda capa dieléctrica un óxido con efecto túnel,
caracterizada por
c) un primer patrón de material semiconductor aceptor dopado sobre el óxido con efecto túnel en la segunda superficie, y un segundo patrón de material semiconductor dopado donador sobre el óxido con efecto túnel en la segunda superficie y sobre el primer patrón, de manera que el segundo patrón esté intercalado con el primer patrón , y
d) un primer patrón conductor que interconecta el material semiconductor dopado aceptor y un segundo patrón conductor que interconecta el material semiconductor dopado donador.
PDF original: ES-2591255_T3.pdf
(12/03/2014) Un fotodetector PIN que comprende:
una primera capa de contacto semiconductora configurada como una estructura de mini-mesa ;
una capa de absorción semiconductora , teniendo la estructura de mini-mesa un área más pequeña que la capa de absorción semiconductora ;
una capa de pasivación semiconductora colocada entre la estructura de mini-mesa y la capa de absorción semiconductora , en relación con la capa de pasivación y la capa de absorción , estando la estructura de mini-mesa en contacto físico directo solo con la capa de pasivación ; y
una segunda capa de contacto semiconductora , estando colocadas la capa de absorción semiconductora y la capa de pasivación entre la estructura de mini-mesa y la segunda capa de contacto semiconductora …
Célula solar con zonas de pasivación contiguas eléctricamente aislantes dotadas de una alta carga superficial de polaridad opuesta y procedimiento de fabricación.
(08/01/2014) Célula solar que comprende
- una capa de absorbedor semiconductora fotoactiva que sirve para generar portadores de carga excedentes de polaridad opuesta por efecto de luz incidente, en la situación de funcionamiento, sobre el lado delantero de la capa de absorbedor ,
- la formación de al menos un campo eléctrico en la capa de absorbedor , que sirve para la separación de los portadores de carga excedentes fotogenerados de polaridad opuesta, que pueden recorrer al menos una longitud de difusión efectiva mínima Lef,min en la capa de absorbedor ,
- unos primeros elementos de contacto que sirven para derivar los portadores de carga excedentes de una polaridad…
PROCESO PARA LA FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR ASI COMO DESCRIPCION DE ESTA CELULA SOLAR.
(01/08/1997). Solicitante/s: HEZEL, RUDOLF, DR. Inventor/es: HEZEL, RUDOLF.
SE PROPONE UNA CELULA SOLAR CON AL MENOS UNA SUPERFICIE DE SUBSTRATO SEMICONDUCTOR, QUE DISPONE DE ELEVACIONES , SOBRE CUYOS CONTACTOS CONDUCTORES ELECTRICOS SE CONFIGURAN SOPORTE DE CARGA Y DESCARGA Y QUE AL MENOS LOS CONTACTOS CONDUCTORES ELECTRICOS ESTAN RECUBIERTOS CON UN MATERIAL DE PASIVACION. PARA QUE PUEDAN SER FABRICADAS CELULAS SOLARES DE TECNOLOGIA MAS SENCILLA CON ALTO RENDIMIENTO, LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DESPUES DE LA CONFORMACION DE LAS ELEVACIONES SE CUBREN DE FORMA COMPLETAMENTE PLANA O AMPLIAMENTE PLANA CON MATERIAL DE PASIVACION. A CONTINUACION EL MATERIAL DE PASIVACION EXISTENTE EN LAS ELEVACIONES SE ELIMINA ASI COMO EVENTUALMENTE MATERIAL SEMICONDUCTOR. A CONTINUACION SE APLICA EL MATERIAL QUE FORMA EL CONTACTO DE CONDUCCION ELECTRICA SOBRE LA ZONA LIBRE DE LAS ELEVACIONES.
