CIP-2021 : C23C 14/00 : Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] de C23C 14/00: Revestimiento por evaporación en vacío, por pulverización catódica o implantación de iones
C23C 14/02 · Pretratamiento del material a revestir (C23C 14/04 tiene prioridad).
C23C 14/04 · Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.
C23C 14/06 · caracterizado por el material de revestimiento (C23C 14/04 tiene prioridad).
C23C 14/08 · · Oxidos (C23C 14/10 tiene prioridad).
C23C 14/10 · · Vidrio o sílice.
C23C 14/12 · · Compuesto orgánico.
C23C 14/14 · · Material metálico, boro o silicio.
C23C 14/16 · · · sobre sustratos metálicos, en boro o en silicio.
C23C 14/18 · · · sobre otros sustratos inorgánicos.
C23C 14/20 · · · sobre sustratos orgánicos.
C23C 14/22 · caracterizado por el proceso de revestimiento.
C23C 14/24 · · Evaporación en vacío.
C23C 14/26 · · · por calentamiento de la fuente por inducción o por resistencia.
C23C 14/28 · · · por energía electromagnética o por radiación corpuscular (C23C 14/32 - C23C 14/48 tienen prioridad).
C23C 14/30 · · · · por bombardeo de electrones.
C23C 14/32 · · · por explosión; por evaporación seguida de una ionización de vapores (C23C 14/34 - C23C 14/48 tienen prioridad).
C23C 14/34 · · Pulverización catódica.
C23C 14/35 · · · por aplicación de un campo magnético, p. ej. pulverización por medio de un magnetrón.
C23C 14/36 · · · Pulverización por medio de diodo (C23C 14/35 tiene prioridad).
C23C 14/38 · · · · por descarga luminiscente en corriente continua.
C23C 14/40 · · · · por descarga en corriente alterna, p. ej. por descarga en alta frecuencia.
C23C 14/42 · · · Pulverización por medio de triodo (C23C 14/35 tiene prioridad).
C23C 14/44 · · · · utilizando altas frecuencias y potenciales continuos adicionales.
C23C 14/46 · · · por un haz de iones producido por una fuente de iones externa (C23C 14/40 tiene prioridad).
C23C 14/48 · · Implantación de iones.
C23C 14/50 · · Portasustrato.
C23C 14/52 · · Dispositivos para observar los procesos de revestimiento.
C23C 14/54 · · Control o regulación de los procesos de revestimiento.
C23C 14/56 · · Aparatos especialmente adaptados al revestimiento en continuo; Dispositivos para mantener el vacío, p. ej. cierre estanco.
C23C 14/58 · Tratamiento posterior.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
SISTEMA DE CAPAS DE INTERFERENCIA.
(16/04/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: LEYBOLD SYSTEMS GMBH. Inventor/es: SZCZYRBOWSKI, JOACHIM, DR., BRAUER, GUNTER, DR.
UNAS CAPAS DIELECTRICAS QUE ACTUAN OPTICAMENTE, POR EJEMPLO DE SIO SUB,2}, AL SUB,2}O SUB,3}, ZRO SUB,2}, TIO SUB,2}, ZNO SUB,2}, SON SEPARADAS MEDIANTE UN PROCEDIMIENTO DE DESALOJO POR BOMBARDEO IONICO CON UN TIPO DE CRECIMIENTO DE LA CAPA 4 NM/S EN LOS SUBSTRATOS. ESTAS CAPAS DE OXIDO METALICO DESALOJADAS POR BOMBARDEO MUESTRAN UN INDICE DE ROTURA DE ENTRE 2,55 Y 2,60. LAS CAPAS DE TIO SUB,2} APLICADAS CON UN PLASMA DE BOMBARDEO ALIMENTADO CON TENSION ALTERNA, SE CRISTALIZAN COMO ESTRUCTURA DE RUTILO SOBRE LOS SUBSTRATOS, COMO POR EJEMPLO UN SI-WAVER 2, Y MUESTRAN UNA ELEVADA CONSISTENCIA FRENTE A LA ACCION DE SUSTANCIAS QUIMICAS REACTIVAS. LAS CAPAS DE OXIDO METALICO SON IDONEAS PARA LA FABRICACION DE SISTEMAS DE CAPAS LOW-E, ASI COMO PARA LA FABRICACION DE CAPAS DE CONTROL SOLAR. LA FRECUENCIA ALTERNA DE LA CORRIENTE ELECTRICA QUE ABASTECE EL PLASMA DE BOMBARDEO ES PREFERENTEMENTE DE ENTRE 10 KHZ Y 80 KHZ.
DISTRIBUIDOR DE GAS PARA UN APARATO DE DEPOSICION CATODICA EXTRAAXIAL.
(16/03/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Inventor/es: FACE, DEAN, WILLETT, MYERS, KIRSTEN, ELIZABETH.
SE EXPONE UN DISPOSITIVO MEJORADO PARA LA DEPOSICION DE COMPUESTOS DE OXIDOS INORGANICOS MEDIANTE UN PULVERIZADOR MAGNETRONICO DESCENTRADO, QUE CONSTA DE UNA PISTOLA DE BOMBARDEO IONICO, UN ANTICATODO , SUSTRATO , MEDIOS PARA EL FLUJO DE GAS Y UNA CAMARA DE CONFINAMIENTO. LA MEJORA CONSISTE EN UN DISTRIBUIDOR HUECO DE FLUJO DE GAS SITUADO ENTRE EL SUSTRATO Y EL ANTICATODO Y QUE TIENE AL MENOS UNA ENTRADA DE GAS Y AL MENOS UNA ABERTURA DE SALIDA EN EL DISTRIBUIDOR, ESTANDO DICHA ABERTURA DE SALIDA SITUADA DE MANERA QUE DIRIJA EL FLUJO DE GAS LEJOS DEL ANTICATODO Y EN LA DIRECCION DEL SUSTRATO. TAMBIEN SE EXPONE EL PROCESO PARA LA REFERIDA DEPOSICION.
METODO PARA PREPARAR UNA PANTALLA PARA REDUCIR PARTICULAS EN UNA CAMARA DE DEPOSICION DE VAPOR FISICO.
(01/02/1997) EN UN METODO PARA PREPARA UNA PANTALLA Y/O ANILLO DE APRIETE PREVIO AL USO EN UN PROCESO DE DEPOSICION DE VAPOR FISICO, LA PANTALLA Y/O ANILLO DE APRIETE SE INYECTA PRIMERO EN ESCORIA UTILIZANDO UN POLVO ABRASIVO, A CONTINUACION SE TRATA EN UNA CAMARA DE LIMPIEZA ULTRASONICA PARA ELIMINAR PARTICULAS SUELTAS Y DESPUES UN CHISPORROTEADO CON ACIDO O TRATATO CON UN PLASMA. EL CHISPORROTEO O EL TRATAMIENTO DE PLASMA SIRVE A SOLTAR CONTAMINACION QUE PUEDE FORMAR UNA BARRERA DE DIFUSION Y PREVENIR LOS DEPOSITOS A PARTIR DE EL ENLACE DE LA PANTALLA Y TAMBIEN SIRVE PARA HACER ASPERA LA SUPERFICIE DE LA PANTALLA Y/O EL ANILLO…
PROCESO PARA LA OBTENCION DE RECUBRIMIENTOS DE CARBONO Y CARBONO-METAL MEDIANTE DEPOSICION FISICA EN FASE VAPOR POR ARCO METALICO CON CATODO DE GRAFITO.
(16/06/1995). Solicitante/s: TEKNIKER. Inventor/es: LAUZARITA, JAVIER, ALBERDI, ALBERTO.
PROCESO PARA LA OBTENCION DE RECUBRIMIENTOS DE CARBONO Y CARBONO METAL MEDIANTE DEPOSICION FISICA EN FASE VAPOR POR ARCO ELECTRICO CON CATODO DE GRAFITO EN EL QUE LA DISPOSICION DEL ELECTRODO ES LA DE UNA BARRA ENMARCADA EN ANILLOS AISLANTES DE NITRURO DE BARO HEXAGONAL DE MODO QUE LA EVAPORACION POR ARCO ELECTRICO DEL ELECTRODO DE GRAFITO GENERA UN PLASMA DE CARBONO DENTRO DE UNA CAMARA DE VACIO PRODUCIENDO POR ESTA VIA RECUBRIMIENTOS DE CARBONO. EL PROCESO SE DIVIDE EN DOS ETAPAS EN CUANTO A LA POLARIZACION ELECTRICA NEGATIVA, UNA DE ALTA POLARIZACION DURANTE LA NUCLEACION DE LA CAPA, PARA MEJORAR LA ADHERENCIA Y OTRA DE BAJA POLARIZACION DURANTE SU CRECIMIENTO, PARA REDUCIR LAS TENSIONES INTERNAS. EN EL PROCESO SE UTILIZA SIMULTANEAMENTE CARBONO EVAPORADO POR ARCO ELECTRICO A PARTIR DE GRAFITO DE CARBONO Y UN METAL EVAPORADO POR PULVERIZACION CATODICA PARA SINTETIZAR RECUBRIMIENTOS DE CARBONO-METAL.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UNA ENDOPROTESIS.
(01/02/1995). Solicitante/s: JOHNSON & JOHNSON PROFESSIONAL PRODUCTS GMBH. Inventor/es: KRANZ, CURT.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UNA ENDOPROTESIS DE VASTAGO HUECO, EN ESPECIAL UNA ENDOPROTESIS DE LA ARTICULACION COXOFEMORAL, EN EL QUE SE PREVENLOS SIGUIENTES PASOS: FABRICACION POR FORJADO O PRENSADO DE DOS MITADES , QUE SE PUEDEN UNIR, A LO LARGO DE DOS COSTURAS ESENCIALMENTE LONGITUDINALES, PARA FORMAR EL VASTAGO DE LA PROTESIS Y SOLDADURA DE LAS DOS MITADES PRENSADAS O FORJADAS EN LA ZONA DE LAS COSTURAS.
DISPOSITIVO DE DEPOSICION BAJO VACIO POR PULVERIZACION CATODICA REACTIVADA SOBRE UNA HOJA DE VIDRIO.
(01/05/1992). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN VITRAGE INTERNATIONAL VEGLA VEREINIGTE GLASWERKE GMBH. Inventor/es: HEITZER, XAVER.
DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR BAJO VACIO, CAPAS SOBRE UNA HOJA DE VIDRIO, EN PARTICULAR POR PULVERIZACION CATODICA REACTIVA, LAS CAPAS DEPOSITADAS SON CAPAS NO METALICAS DE SEMICONDUCTORES, DE OXIDO METALICO O DE OTRO COMPUESTO METALICO. SEGUN LA INVENCION, LAS PARTES DEL DISPOSITIVO VECINAS A LA HOJA DE VIDRIO , EN EL INTERIOR DE LA CAMARA DE DEPOSICION, Y QUE ESTAN EXPUESTOS AL FLUJO DE PARTICULAS EMITIDAS POR EL CATODO , COMO POR EJEMPLO, FILTROS )10), LO ELECTRODOS Y/O CHAPAS DE PROTECCION , ESTAN PROVISTOS DE ARIETES (10') Y/O DE REBORDES CORTANTES, ES DECIR CUYAS CARAS ESTAN ORIENTADAS UNA HACIA LA OTRA FORMANDO UN ANGULO AGUDO.
UN METODO DE FORMAR UN CONJUNTO DE VENTANA ELECTRICAMENTE CALENTADO, Y CONJUNTO DE VENTANA CORRESPONDIENTE.
(01/09/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: LIBBEY-OWENS-FORD CO.. Inventor/es: GOODMAN, RONALD D, NIKODEM, ROBERT B., TAUSCH, PETER J., FELT, ROBERT M., GROGAN, MICHAEL J..
METODO PARA FORMAR UN CONJUNTO DE VENTANA ELECTRICAMENTE CALENTADO, Y CONJUNTO DE VENTANA CORRESPONDIENTE, EN DONDE SE DISPONEN DOS BARRAS COLECTORAS EN LOS BORDES SUPERIOR E INFERIOR DE UNA SUPERFICIE DE UNA HOJA DE VIDRIO, APLICANDOSE UNA PELICULA ELECTRICAMENTE CONDUCTORA A DICHA SUPERFICIE Y CONECTANDOSE A LAS BARRAS COLECTORAS. LA HOJA DE VIDRIO SE ESTRATIFICA CON UNA HOJA DE PLASTICO QUE CUBRE LA PELICULA CONDUCTORA Y QUE SE ESTRATIFICA CON UNA SEGUNDA HOJA DE VIDRIO QUE HA SIDO CURVADA PARA ADAPTARLA A LA PRIMERA HOJA. SE FIJAN TERMINALES ELECTRICOS A LAS BARRAS COLECTORAS, COMPLETANDO EL CONJUNTO DE VENTANA. LA COMPOSICION Y ESPESOR DE LA PELICULA CONDUCTORA Y LAS HOJAS DE VIDRIO SE ELIGE DE MODO QUE EL CONJUNTO DE VENTANA TENGA CARACTERISTICAS OPTIMAS DE RESISTENCIA ELECTRICA, TRANSMISION, REFLEXION Y COLOR. EL INVENTO ES APLICABLE A VEHICULOS AUTOMOVILES.
UN APARATO PARA DEPOSITAR UNA PELICULA TRANSMISORA DE LUZ Y ELECTRICAMENTE CONDUCTORA EN UN SUSTRATO.
(16/11/1986). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
MODIFICACIONES EN UN APARATO PARA DEPOSITAR UNA PELICULA TRANSMISORA DE LUZ Y ELECTRICAMENTE CONDUCTORA EN UN SUSTRATO. CONSISTENTES EN LA COMBINACION DE: UN MEDIO PARA INTRODUCIR GAS DE OXIGENO EN LA ZONA DE VAPOR; Y UN CATODO ENERGIZADO CON RADIOFRECUENCIA COLOCADO ADYACENTE A LA FUENTE DE MATERIAL METALICO PARA DESARROLLAR UN PLASMA IONIZADO DE LOS ATOMOS DE GAS DE OXIGENO Y METALICOS EN LA ZONA DE VAPOR MEDIANTE LO CUAL EL APARATO ESTA ADAPTADO PARA DEPOSITAR UNA PELICULA DE OXIDO DE METAL SOBRE EL SUSTRATO. TIENE APLICACION PARA LA PRODUCCION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS.
UN PROCEDIMIENTO DE DESINTEGRACION CATODICA PARA DEPOSITAR UNA PELICULA SEMICONDUCTORA AMORFA SOBRE UN SUSTRATO.
(16/05/1986). Solicitante/s: THE STANDARD OIL CO..
APARATO DE PULVERIZACION CATODICO PARA DEPOSITAR PELICULAS SEMICONDUCTORAS COMPUESTAS AMORFAS. CONSTA DE: UN RECIPIENTE DE VACIO EQUIPADO CON UNA FUENTE DE IONES SUMINISTRADA CON UN GAS DE PULVERIZACION CATODICA COMO ARGON Y CON UNA FUENTE DE IONES SUMINISTRADA CON UN GAS PASIVANTE COMO HIDROGENO O HALOGENO, CUYOS HACES SE DIRIGEN HACIA UN SOLO OBJETO DE PULVERIZACION CATODICA DE NATURALEZA CRISTALINO O POLICRISTALINO Y COMPUESTO DE ALEACION DE SILICIO Y GERMANIO; UN SUSTRATO QUE RECOGE AL MATERIAL PULVERIZADO POR VIA CATODICA Y ESTA COMPUESTO DE VIDRIO, UN SEMICONDUCTOR O ACERO INOXIDABLE. SE UTILIZA EN EL SECTOR ELECTRONICO.
PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UN APARATO PARA DEPOSITAR CONTINUAMENTE SOBRE UN SUSTRATO UNA PELICULA TRANSMISORA DE LA LUZ Y ELECTRICAMENTE CONDUCTORA.
(16/04/1986). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
MODIFICACIONES EN UN APARATO PARA DEPOSITAR CONTINUAMENTE SOBRE UN SUSTRATO UNA PELICULA TRANSMISORA DE LA LUZ Y ELECTRICAMENTE CONDUCTORA. CONSISTENTES EN: DISPOSITIVOS PARA HACER AVANZAR AL SUSTRATO O BOVEDA ALARGADA DE MADERA O BANDA ALARGADA DE MADERA A TRAVES DEL APARATO, FORMADOS POR RODILLOS Y ACCIONADORES ; UNOS DISPOSITIVOS PARA CALENTAR EL SUSTRATO; UNA PLURALIDAD DE FUENTES DE MATERIAL METALICO DESTINADO A SER EVAPORADO POR LOS DISPOSITIVOS DE CALENTAMIENTO; UNAS TOLVAS DE ALIMENTACION PARA REPONER CONTINUAMENTE EL MATERIAL METALICO A MEDIDA QUE ESTE SE EVAPORA; UNOS DISPOSITIVOS PARA REPONER CONTINUAMENTE EL OXIGENO A MEDIDA QUE REACCIONA CON EL MATERIAL METALICO.
MEJORAS Y PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE FLEJES DE ACERO TRATADOS EN SU SUPERFICIE, RESISTENTES A LA CORROSION.
(01/04/1986). Solicitante/s: KAWASAKI STEEL CORPORATION.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE FLEJES DE ACERO TRATADOS EN SU SUPERFICIE, RESISTENTES A LA CORROSION. CONSISTE EN ELECTRODEPOSITAR, EN UN BAÑO PLAQUEADOR QUE CONTIENE IONES FE2B DE 0,3 MOLES/LITRO HASTA EL LIMITE DE SOLUBILIDAD Y ACIDO HIPOFOSFOROSO Y/O UN HIPOFOSFITO DE 0,001 A 25 G/LITRO, A UN PH DE 1 A 5, A TEMPERATURA ENTRE 30-60JC, UNA CAPA DE UN SISTEMA FE-P CON UN CONTENIDO EN FOSFORO DE 0,0003 AL 15% DE PESO SOBRE UNA SUPERFICIE DE FLEJE DE ACERO PARA LA FORMACION DE POR LO MENOS 0,01 G/M. OPCIONALMENTE PUEDE ELECTRODEPOSITARSE UNA CAPA, SOBRE DICHA CAPA FE-P, DE UN ELEMENTO SELECCIONADO DEL GRUPO NI, ZN, MN Y TI PARA FORMAR DE 5 A 50 MG/M, Y OPCIONALMENTE TAMBIEN UNA CAPA DE ZN, INFERIORMENTE A DICHA CAPA FE-P, PARA FORMAR POR LO MENOS 0,5 G/M.
UN METODO DE DEPOSITAR CONTINUAMENTE UNA PELICULA ELECTRICAMENTE CONDUCTORA, DELGADA Y TRANSMISORA DE LA LUZ.
(01/11/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR CONTINUAMENTE UNA PELICULA ELECTRICAMENTE CONDUCTORA, DELGADA Y TRANSMISORA DE LA LUZ, SOBRE UN SUSTRATO MOVIL. COMPRENDE LAS SIGUIENTES FASES: PRIMERA, SE HACE EL VACIO EN UNA CAMARA Y SE HACE AVANZAR CONTINUAMENTE UNA BANDA CONTINUA DE MATERIAL DE SUSTRATO A TRAVES DE DICHA CAMARA; SEGUNDA, SE PROPORCIONA UNA FUENTE DE MATERIAL METALICO Y SE EVAPORA DICHO MATERIAL METALICO EN LA CAMARA EN LA QUE SE HA HECHO EL VACIO, DE MODO QUE SE PRODUZCA UN VAPOR METALICO EN UNA ZONA DEFINIDA ENTRE EL SUSTRATO Y LA FUENTE DE MATERIAL METALICO; TERCERA, SE REPONE EL MATERIAL METALICO A MEDIDA QUE ESTE SE EVAPORA; CUARTA, SE INTRODUCE OXIGENO EN LA ZONA EN ESTADO GASEOSO; Y POR ULTIMO, SE INTRODUCE ENERGIA ELECTROMAGNETICA EN LA ZONA PARA DESARROLLAR UN PLASMA IONIZADO A PARTIR DE LOS ATOMOS DE OXIGENO GASEOSO Y DE LOS ATOMOS METALICOS EVAPORADOS EN LA ZONA.
UN METODO PERFECCIONADO DE DEPOSITAR UNA PELICULA ELECTRICAMENTE CONDUCTORA, DELGADA Y TRANSMISORA DE LA LUZ.
(16/06/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR UNA PELICULA ELECTRICAMENTE CONDUCTORA, DELGADA Y TRANSMISORA DE LA LUZ.INCLUYE LOS SIGUIENTES PASOS: VACUODESHIDRATAR UNA CAMARA ; SOSTENER UN SUSTRATO EN LA CAMARA; PROPORCIONAR UNA FUENTE DE MATERIAL METALICO ; EVAPORAR EL MATERIAL METALICO EN LA CAMARA VACUODESHIDRATADA PARA PRODUCIR UN VAPOR METALICO EN LA ZONA FORMADA ENTRE EL SUSTRATO Y LA FUENTE DE MATERIAL METALICO; INTRODUCIR GAS DE OXIGENO EN LA ZONA; COLOCAR UNA FUENTE DE CATODO ENERGIZADO DE RADIOFRECUENCIA ADYACENTE A LA FUENTE DEL MATERIAL METALICO; Y ENERGIZAR EL CATODO PARA DESARROLAR UN PLASMA IONIZADO.
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA PRODUCIR UNA CAPA DEPOSITADA POR SUBLIMACION CATODICA SOBRE UN SUBSTRATO TUBULAR ALARGADO.
(01/05/1978). Solicitante/s: UNIVERSITY OF SYDNEY.
Resumen no disponible.
UN METODO Y SU CORRESPONDIENTE APARATO PARA DEPOSITAR UNA PELICULA DE OXIDO METALICO TRANSPARENTE.
(16/04/1976). Solicitante/s: TRIPLEX SAFETY GLASS COMPANY LIMITED.
Resumen no disponible.
DISPOSITIVO ELECTRICO Y METODO PARA LA FORMACION DEL MISMO.
(01/12/1975). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC CO. INC..
Dispositivo eléctrico , que comprende un substrato y una película delgada de tantalio beta, caracterizado porque dicho tantalio beta está impurificado con nitrógeno a una concentración de desde un mínimo de un 0,1 de porcentaje atómico de nitrógeno hasta un máximo en que la película de tantalio beta impurificado con nitrógeno posee todavía la estructura cristalina de tantalio beta.
UN METODO PARA DEPOSITAR UN REVESTIMIENTO TRANSPARENTE Y ELECTRICAMENTE CONDUCTOR, DE OXIDO METALICO, POR SUBLIMACION REACTIVA O DESINTEGRACION CATODICA.
(16/05/1975). Solicitante/s: TRIPLEX SAFETY GLASS CO. LTD..
Resumen no disponible.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACIÓN DE CONDENSADORES ELÉCTRICOS CON UN ELECTRODO FORMADO POR UNA PELÍCULA DE METAL.
(16/01/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.
Procedimiento para la fabricación de condensadores eléctricos con un electrodo formado por una película de metal, caracterizado por las fases de depositar por condensación sobre un substrato, una capa de metal que forma una película, anodizar electrolíticamente parte de esta capa metálica y aplicar sobre la parte anodizada una capa o película electro-conductiva.
