CIP-2021 : H01L 43/08 : Resistencias controladas por un campo magnético.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 43/08 · Resistencias controladas por un campo magnético.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo de unión túnel magnética y su fabricación.
(06/01/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: QUALCOMM INCORPORATED. Inventor/es: KANG,Seung H, ZHU,XIAOCHUN, LI,XIA.
Un aparato que comprende:
un dispositivo de unión túnel magnética que comprende:
una capa libre ; y
una capa de realce de fuerza de par de giro , sensible a la capa libre ,
en el que
la capa de realce de fuerza de par de giro comprende una capa de nano-óxido y el dispositivo de unión túnel magnética comprende además una capa de culminación adyacente a la capa de realce de fuerza de par de giro , caracterizado porque la capa de nano-óxido incluye una capa de oxidación de una aleación metálica no magnética.
PDF original: ES-2567028_T3.pdf
Estructura de unión túnel magnética.
(01/04/2015) Una célula MTJ que comprende:
una zanja en un sustrato ;
una estructura MTJ dentro de la zanja, teniendo la zanja dimensiones que determinan la forma de estructura MTJ, incluyendo la estructura MTJ:
un electrodo inferior depositado dentro de la zanja para cubrir una superficie inferior y una superficie lateral de la zanja;
una pila MTJ depositada sobre el electrodo inferior dentro de la zanja, comprendiendo la pila MTJ una capa fija, una barrera de túnel, y una capa libre; y
un electrodo central dentro de la zanja acoplada a la pila MTJ;
caracterizada porque:
la pila MTJ dentro de la zanja forma al menos dos paredes laterales verticales…
Célula de unión túnel magnética que incluye múltiples dominios magnéticos.
(27/08/2014) Una estructura de unión túnel magnética, (MTJ), que comprende:
una célula MTJ que comprende múltiples paredes laterales que se extienden sustancialmente en perpendicular a una superficie de un sustrato , incluyendo cada una de las múltiple paredes laterales una capa libre para acarrear un dominio magnético único, estando cada uno de los dominios magnéticos únicos adaptado para almacenar un bit de datos, estando la célula MTJ caracterizada por comprender también,
una pared de fondo acoplada a cada una de las múltiples paredes laterales , extendiéndose la pared de fondo sustancialmente en paralelo con la superficie del sustrato…
Elemento magnético que utiliza pasivación de pared lateral protectora.
(11/03/2013) Un aparato que comprende:
un elemento de unión de túnel magnético (MTJ) que comprende:
una primera capa ferromagnética;
una segunda capa ferromagnética, y
una primera capa aislante dispuesta entre las capas ferromagnéticas primera y segunda;
una capa de pasivación de la MTJ que forma paredes laterales protectoras dispuestas adyacentes ala primera capa ferromagnética, a la segunda capa ferromagnética y a la primera capa aislante;
una segunda capa de aislamiento dispuesta adyacente a la capa de pasivación de la MTJ yrodeando al elemento de MTJ;
un dieléctrico entre niveles (ILD) que rodea al elemento de MTJ y a la segunda capa aislante ; y
una capa de pasivación global…
Celda de memoria y procedimiento de formación de una unión de túnel magnético (MTJ) de una celda de memoria.
(17/10/2012) Una memoria que comprende:
un sustrato en un primer plano;
una primera conexión metálica que se extiende en un segundo plano, siendo el segundo planosustancialmente perpendicular al primer plano;
una primera unión de túnel magnético MTJ que tiene una primera capa , una segunda capa y una tercera capa , estando acoplada la primera capa con la primera conexión metálica de tal modo que la primera capa de la MTJ esté orientada a lo largo del segundo plano,estando también orientadas las capas segunda y tercera a lo largo del segundo plano; y
caracterizada por
un primer agujero metalizado…
MATERIAL SOLIDO CON ESTRUCTURA DE ORBITALES ELECTRONICOS CUASICOMPLETAMENTE POLARIZADOS, SU PROCEDIMIENTO DE OBTENCION Y SU USO EN ELECTRONICA Y NANOELECTRONICA.
(01/06/2005). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: GARCIA GARCIA,NICOLAS.
Material sólido con estructura de orbitales electrónicos cuasi completamente polarizados su procedimiento de obtención y su uso en electrónica y nanoelectrónica. El objeto de la presente invención es un material sólido, en adelante material de la invención, caracterizado porque los electrones de la banda de conducción están cuasi completamente polarizados en el orbital seleccionado y su procedimiento de obtención. Esta invención permite construir conductores, nanocontactos y contactos a medida con una selección estricta de las propiedades de resistencia del material así constituido. Además, se describe el uso del material sólido de la invención en la elaboración, fabricación y producción de dispositivos, entre otros, de tipo conductores, uniones, nanocontactos o contactos para su aplicación en el campo de la electrónica y nanoelectrónica.
MAGNETORRESISTENCIA DE EFECTO TUNEL Y CAPTADOR MAGNETICO QUE UTILIZA DICHA MAGNETORRESISTENCIA.
(01/12/2002). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE. Inventor/es: DIENY, BERNARD, GIACOMONI, LAURENCE, VEDYAEV, ANATOLY.
Magnetorresistencia de efecto túnel que comprende, bajo la forma de un apilamiento: 5 - una primera capa de material magnético de imantación libre, - una capa , llamada de barrera, de un material aislante eléctrico, y - una segunda capa de material magnético de imantación atrapada, caracterizada porque la primera capa de material magnético presenta un espesor inferior o igual a 7 nm.
POTENCIOMETRO MODULADO MAGNETICAMENTE BASADO EN LAS PROPIEDADES MAGNETORESISTIVAS DE OXIDOS DE MANGANESO.
(16/11/2000). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: FONTCUBERTA,JOSEP, OBRADORS,XAVIER, CIFRE,JOAN.
Potenciómetro modulado magnéticamente basado en las propiedades magnetoresistivas de óxidos de manganeso. Esta invención consiste en el desarrollo de un potenciómetro, es decir un dispositivo de resistencia eléctrica variable, en el que se obtiene un cambio de resistencia en el elemento activo sin que exista contacto mecánico alguno con la parte móvil. El elemento activo del potenciómetro objeto de la presente invención, es un material magnetoresistivo. En él, la modulación de resistencia se obtiene al aplicarle un campo magnético variable. Mediante dichos materiales y un circuito magnético adecuado se fabrica el potenciómetro. Como propiedades características que lo diferencian de los potenciómetros convencionales hay que destacar la ausencia de contacto mecánico.
