CIP-2021 : H01L 21/762 : Regiones dieléctricas.

CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 21/00 › H01L 21/762^[4] › Regiones dieléctricas.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/762 · · · · Regiones dieléctricas.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento para transferir una capa desde un sustrato monocristalino.

(04/03/2020). Solicitante/s: Soitec. Inventor/es: ECARNOT,LUDOVIC, DAVAL,NICOLAS, BEN MOHAMED,NADIA, BOEDT,FRANÇOIS, DAVID,CAROLE, GUERIN,ISABELLE.

Procedimiento para transferir una capa desde un sustrato monocristalino, denominado sustrato donador , sobre un sustrato receptor , que comprende: - suministrar dicho sustrato donador monocristalino , presentando dicho sustrato una muesca orientada en una primera dirección del cristal y una zona de fragilidad que limita la capa que se va a transferir, - unir el sustrato donador monocristalino sobre el sustrato receptor , estando la superficie principal del sustrato donador opuesta a la zona de fragilidad con respecto a la capa que se va a transferir en la interfaz de unión, - separar el sustrato donador a lo largo de la zona de fragilidad , estando dicho procedimiento caracterizado por que el sustrato donador presenta, sobre la superficie principal unida al sustrato receptor , un conjunto de escalones atómicos que se extienden esencialmente en una segunda dirección del cristal diferente de dicha primera dirección.

PDF original: ES-2788148_T3.pdf

Punta de catéter.

(31/05/2017). Solicitante/s: BOSTON SCIENTIFIC LIMITED. Inventor/es: WEBER,JAN, MCHALE,THOMAS.

Un catéter que comprende: -un cilindro de catéter que presenta un extremo proximal y un extremo distal; -un globo de inflado que presenta una porción entallada proximal y una porción entallada distal ; -y una punta de catéter que presenta un extremo proximal, un extremo distal, una porción de cilindro principal y una porción de cilindro distal, en el que dicho extremo proximal de la punta de catéter está acoplado a dicho extremo distal del cilindro de catéter, dicha porción entallada distal del globo está unida a dicha porción de cilindro distal de la punta de catéter; -y dicha porción de cilindro principal de la punta de catéter presenta sustancialmente la misma extensión que dicho globo , caracterizado porque -dicha porción entallada proximal del globo está acoplada a un cilindro exterior del catéter.

PDF original: ES-2302071_T5.pdf

PDF original: ES-2302071_T3.pdf

Formación de capas finas de materiales semiconductores.

(08/06/2016). Solicitante/s: IQE Silicon Compounds Limited. Inventor/es: HARPER,ROBERT CAMERON.

Un método de formar una película fina de un material de germanio, incluyendo: hacer crecer epitaxialmente dicho material de germanio sobre una superficie de GaAs, soportándose dicha superficie por un sustrato donante; realizar transferencia de capa del material de germanio desde el sustrato donante a un sustrato receptor con GaAs residual procedente de junto a dicha superficie unida a dicho material de germanio transferido; y quitar el material residual unido dejando solamente el material de germanio sobre el sustrato receptor, caracterizado porque el material de germanio es germanio de silicio sustancialmente ajustado en red a GaAs, indicado como SixGe1-x de tal manera que x sea del rango de 0,01 a 0,03.

PDF original: ES-2590657_T3.pdf

PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR.

(16/09/2002). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SATO, NOBUHIKO, YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI, YAMAGATA, KENJI.

SE PROPORCIONA UN PROCESO PARA LA PRODUCCION DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR EN EL QUE SE PROPORCIONA UN PRIMER SUSTRATO HECHO DE SILICIO QUE TIENE UNA CAPA DE SILICIO POROSO FORMADA SOBRE EL MISMO, HACIENDO POROSO EL SILICIO DEL SUBSTRATO Y UNA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO, RECRECIDA DE MODO EPITAXIAL EN LA CAPA DE SILICIO POROSO, DESPUES SE LAMINA EL PRIMER SUSTRATO SOBRE UN SEGUNDO SUSTRATO EN UN ESTADO EN EL QUE AL MENOS UNA DE LAS CARAS DE LAMINACION DEL PRIMER Y DEL SEGUNDO SUSTRATO TENGA UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO Y LA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO SE INTERPONGA ENTRE LOS SUSTRATOS LAMINADOS, Y FINALMENTE SE ELIMINA LA CAPA DE SILICIO POROSO MEDIANTE DECAPADO EN EL QUE LA CAPA DE SILICIO POROSO SE ELIMINA MEDIANTE UNA SOLUCION DE ATAQUE QUE DECAPE LA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO Y LA CAPA DE OXIDO DE SILICIO A INDICES DE DECAPADO NO SUPERIORES A 10 ANGSTROMS POR MINUTO.

PROCEDIMIENTO PARA LA TRANSFERENCIA DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR UTILIZANDO TECNOLOGIA DE SILICIO SOBRE UN AISLANTE (SOI).

(01/09/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI.

SE DESVELA UN PROCESO NOVEL PARA PRODUCIR UN ARTICULO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE LAS ETAPAS DE PREPARAR UN PRIMER SUSTRATO CONSTITUIDO POR UN SUSTRATO DE SILICIO, UNA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA CONFORMADA SOBRE EL SUSTRATO DE SILICIO, Y UNA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES CONFORMADA EN AL MENOS UNO DE LOS SUSTRATOS DE SILICIO Y EN LA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA; LA UNION DEL PRIMER SUSTRATO AL SEGUNDO SUSTRATO PARA OBTENER UNA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES CON LA CAPA SEMICONDUCTORA POROSA SITUADA EN SU INTERIOR; LA SEPARACION DE LA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES POR LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES; Y LA RETIRADA DE LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES QUE PERMANECE SOBRE EL SEGUNDO SUSTRATO SEPARADO.