CIP-2021 : C30B 1/06 : Recristalización en un gradiente de temperatura.
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Notas[g] desde C30B 1/00 hasta C30B 5/00: Crecimiento de monocristales a partir de sólidos o de geles
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 1/00 Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B 1/06 · · Recristalización en un gradiente de temperatura.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UN METODO DE PRODUCIR UN CUERPO DE SILICIO FORMADO POR GRANOS DE SILICIO SEMICRISTALINO.
(01/12/1981). Solicitante/s: SEMIX INCORPORATED.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN CUERPO DE SILICIO FORMADO POR GRANOS DE SILICIO SEMICRISTALINO. CONSISTE EN A) PONER SILICIO DE TAMAÑO INDISCRIMINADO DE GRANO EN UN RECIPIENTE QUE PERMANECE INERTE A LA TEMPERATURA DE FUSION DEL SILICIO. B) DISPONER UNA ATMOSFERA NO OXIDANTE EN LA PROXIMIDAD DEL RECIPIENTE. C) CALENTAR POR ENCIMA DE LA TEMPERATURA DE FUSION DEL SILICIO. D) ENFRIAR GRADUALMENTE HASTA EL PUNTO DE SOLIDIFICACION Y EN EL PUNTO DE SOLIDIFICACION, 1412 A 1408C, EN PERIODOS QUE OSCILAN ENTRE CINCO A QUINCE MINUTOS, PARA EVITAR DISCONTINUIDADES EN EL MATERIAL Y MEJORAR EL TAMAÑO DE GRANO E) COMPLETAR EL ENFRIAMIENTO HASTA LA TEMPERATURA AMBIENTE PARA FORMAR EL CUERPO DE SILICIO SEMICRISTALINO. EL CALENTAMIENTO Y ENFRIAMIENTO SE CONTROLAN POR UN GENERADOR DE RADIO-FRECUENCIA. DE APLICACION PARA LA FABRICACION DE ELEMENTOS ACUMULADORES O CELULAS DE ENERGIA SOLAR.