UN METODO DE PRODUCIR UN CUERPO DE SILICIO FORMADO POR GRANOS DE SILICIO SEMICRISTALINO.

(01/12/1981). Solicitante/s: SEMIX INCORPORATED.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN CUERPO DE SILICIO FORMADO POR GRANOS DE SILICIO SEMICRISTALINO. CONSISTE EN A) PONER SILICIO DE TAMAÑO INDISCRIMINADO DE GRANO EN UN RECIPIENTE QUE PERMANECE INERTE A LA TEMPERATURA DE FUSION DEL SILICIO. B) DISPONER UNA ATMOSFERA NO OXIDANTE EN LA PROXIMIDAD DEL RECIPIENTE. C) CALENTAR POR ENCIMA DE LA TEMPERATURA DE FUSION DEL SILICIO. D) ENFRIAR GRADUALMENTE HASTA EL PUNTO DE SOLIDIFICACION Y EN EL PUNTO DE SOLIDIFICACION, 1412 A 1408C, EN PERIODOS QUE OSCILAN ENTRE CINCO A QUINCE MINUTOS, PARA EVITAR DISCONTINUIDADES EN EL MATERIAL Y MEJORAR EL TAMAÑO DE GRANO E) COMPLETAR EL ENFRIAMIENTO HASTA LA TEMPERATURA AMBIENTE PARA FORMAR EL CUERPO DE SILICIO SEMICRISTALINO. EL CALENTAMIENTO Y ENFRIAMIENTO SE CONTROLAN POR UN GENERADOR DE RADIO-FRECUENCIA. DE APLICACION PARA LA FABRICACION DE ELEMENTOS ACUMULADORES O CELULAS DE ENERGIA SOLAR.