CIP-2021 : H01L 21/74 : Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas,
p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/74 · · · Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UNA ESTRUCTURA ESTRATIFICADA CON UNA CAPA DE SILICIURO.
(16/12/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH. Inventor/es: MANTL, SIEGFRIED.
LA INVENCION SE REFIERE A UNA ESTRUCTURA DE CAPAS CON UNA CAPA DE SILICIUROS QUE SE FORMA SOBRE UNA SUPERFICIE QUE CONTIENE SILICIO. LA FINALIDAD DE LA INVENCION ES REALIZAR UNA ESTRUCTURA DE CAPAS DE ESTA CLASE QUE ADMITA UNA APLICACION PARA FABRICAR COMPONENTES SIN LOS INCONVENIENTES RESULTANTES DEL ESTADO ACTUAL DE LA TECNICA. PARA CONSEGUIRLO, ES PRECISO QUE UNA PARTE COMO MINIMO DE LA CAPA DE SILICIUROS SE DISPONGA DESPLAZADA EN SENTIDO PERPENDICULAR FRENTE A LA PARTE RESTANTE DE LA CAPA DE SILICIUROS. DE ESTA MANERA PUEDEN REALIZARSE DIFERENTES COMPONENTES ELECTRONICOS CON UNA ESTRUCTURA DE CAPAS DE ESTA CLASE.
ELECTRODO PARA DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y METODO PARA LA PRODUCCION DEL MISMO.
(16/10/1997). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: OHZU, HAYAO, CANON KABUSHIKI KAISHA, KOCHI, TETSUNOBU, CANON KABUSHIKI KAISHA.
SE PRESENTA UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON ELEMENTOS FUNCIONALES MUY PEQUEÑOS, QUE SE PUEDE CONSTRUIR UTILIZANDO LOS COMPONENTES MINIMOS NECESARIOS SIN NINGUN AREA DE SUPERFICIE INNECESARIA, SIENDO ASI CAPAZ DE REDUCIR SIGNIFICATIVAMENTE EL AREA DE DISTRIBUCION Y ADAPTADA PARA LOGRAR UNA GEOMETRIA FINA Y UN ALTO NIVEL DE INTEGRACION. EL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TIENE UNA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA DE UN PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN POZO P) Y UNA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA COLOCADA ENCIMA O DEBAJO DE LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA Y QUE TIENE UN SEGUNDO TIPO CONDUCTIVO DIFERENTE DEL PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN AREA GENERADORA O DE CONSUMO DE ENERGIA) EN QUE SE FORMA UN ELECTRODO CONECTADO A LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA A TRAVES DE LA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA Y LA PRIMERA Y LA SEGUNDA AREAS SEMICONDUCTORAS SON CORTOCIRCUITEADAS POR EL ELECTRODO ARRIBA MENCIONADO.
METODO PARA LA OBTENCION DE UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA Y UNA CONEXION EN UNA CAPA EPITAXIAL, Y ESTRUCTURAS EN LAS QUE SE UTILIZA EL METODO.
(01/12/1992). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: LU, NICKY CHAU-CHUN, MACHESNEY, BRIAN JOHN.
PROCESO PARA COLOCAR UNA CAPA EPITAXIAL EN UN SUBSTRATO DE SILICIO Y SOBRE ISLETAS PREDEFINIDAS CORONADAS POR UN AISLANTE, QUE FORMA UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA EN LA CAPA EPITAXIAL. SE DESCRIBE LA APLICACION DEL METODO A UNA ESTRUCTURA DE MEMORIA RAM DINAMICA, CON UN TRANSISTOR DE ACCESO EN SILICIO MONOCRISTALINO COLOCADO ENCIMA DE UN CAPACITOR DE CANAL. SE DESCRIBE UN METODO DE FABRICACION SEGUN EL CUAL LA VENTANA DE CONTACTO PARA LA CONEXION FUENTE-CANAL ESTA FORMADA POR CRECIMIENTO LATERAL EPITAXIAL AUTOALINEADO, SEGUIDO DE LA FORMACION DE UNA CONEXION DE CONTACTO UTILIZANDO UN SEGUNDO CRECIMIENTO EPITAXIAL O UN PROCESO (CVD) DE LLENADO Y ZUNCHAMIENTO. EL INVENTO PUEDE APLICARSE TAMBIEN A OTRAS ESTRUCTURAS QUE UTILIZAN LOS PRINCIPIOS DESCRITOS, MAS CONCRETAMENTE A UN INVERSOR CUYO ACCIONADOR VA SOBRE EL RESISTOR DE CARGA, QUE PUEDE UTILIZARSE COMO UN CIRCUITO BASICO PARA CIRCUITOS LOGICOS Y CELDAS DE MEMORIA RAM ESTATICA.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES SOBRE AISLADORES.
(01/12/1987). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY.
FABRICACION DE SEMICONDUCTORES SOBRE AISLANTES. CONSISTE EN FABRICAR CIRCUITOS INTEGRADOS SOI FORMANDO UNA SUPERFICIE DE SIBSTRATO PRECURSORA QUE INCLUYE ISLAS DE MATERIAL AISLANTE ELECTRICAMENTE, CADA UNA DE LAS CUALES ESTA RODEADA POR UN AREA DE SIEMBRA DE CRISTALIZACION DE MATERIAL SEMICONDUCTOR, MONOCRISTALINO. UN SISTEMA DE DELIMEACION DEL PATRON DEFINE LOS LIMITES DE LAS ISLAS SIENDO IDENTICO A UN SEGUNDO SISTEMA DELINEADOR, EL CUAL A SU VEZ ES UN COMPONENTE DE UN ELEMENTO QUE SE EMPLEA PARA DEFINIR LOS PATRONES DE LOS CIRCUITOS NECESARIOS PARA FORMAR UN CIRCUITO INTEGRADO. A CONTINUACION SE FORMA UNA CAPA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR NO MONOCRISTALINO SOBRE LA SUPERFICIE PRECURSORA.
PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARA AISLADORES.
(01/05/1987). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES SOBRE AISLADORES. CONSTAN DE UN SUSTRATO QUE TIENE UNA SUPERFICIE QUE INCLUYE UNA REGION DE MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE, ESTANDO DICHO SUSTRATO FORMADO POR MATERIAL SEMICONDUCTOR, POR EJEMPLO SILICIO, MIENTRAS QUE LA REGION AISLANTE ESTA FORMADA POR SIO2; DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE INCLUYE UN VOLUMEN ACTIVO DE MATERIAL SEMICONDUCTOR VIRTUALMENTE MONOCRISTALINO QUE ES SUPERYACENTE A LA REGION DE MATERIAL AISLANTE; DE UN CAMINO ELECTRICAMENTE CONDUCTIVO QUE TIENE UNA RESISTENCIA MENOR QUE 100 KILOOHMIOS; Y DE UN CONTACTO ELECTRICO.
MATRIZ DE CONMUTACION DE TRANSMISION DE SEÑAL BILATERAL.
(16/11/1978). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.
Resumen no disponible.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/04/1975). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/03/1975). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/03/1969). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
