CIP-2021 : H01L 21/263 : con radiaciones de alta energía (H01L 21/261 tiene prioridad).
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/263 · · · · · con radiaciones de alta energía (H01L 21/261 tiene prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO, DE ARSENIURO DE GALIO, MICROMINIATURA, DE GRAN POTENCIA Y DISPOSITIVO TRANSISTOR OBTENIDO POR DICHO PROCEDIMIENTO.
(16/07/1978). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.
Resumen no disponible.