CIP-2021 : H01L 21/443 : a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/443 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
DIODO DE LASER AZUL-VERDE.
(16/10/1997). Solicitante/s: MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY. Inventor/es: HAASE, MICHAEL, A., CHENG, HWA, DEPUYDT, JAMES, M., QIU, JUN.
UN DIODO DE LASER SEMICONDUCTOR DE COMPUESTO II-VI ESTA FORMADO SOBRE CAPAS SUPERPUESTAS DE MATERIAL QUE COMPRENDE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR DE CRISTAL UNICO DE TIPO N ADYACENTE A LASERES GUIA DE TIPO N, Y TIPO P (14, Y DE SEMICONDUCTOR II-VI QUE FORMA UNA UNION PN, UNA CAPA ACTIVA DE PARED CUANTICA DE SEMICONDUCTOR II-VI ENTRE LAS CAPAS GUIA Y , EL PRIMER ELECTRODO OPUESTOS AL SUSTRATO DE LA CAPA GUIA DE TIPO N , Y UN SEGUNDO ELECTRO OPUESTO A LA CAPA GUIA DE TIPO P DE LA CAPA DE PARED CUANTICA . LA CAPA DE ELECTRODO (309 SE CARACTERIZA PR UNA ENERGIA FERMI. UNA CAPA DE CONTACTO OHMICO DE TIPO P ESTA IMPURIFICADA, CON ACEPTADORES POCO PROFUNDOS QUE TIENEN UNA ENERGIA DE ACEPTADOR POCO PROFUNDO, PARA UNA CONCENTRACION DE ACEPTADOR DE RED DE AL MENOS 1 X 1017 CM-3, Y COMPRENDE ESTADOS DE ENERGIA SUFICIENTE ENTRE LA ENERGIA DE ACEPTADOR POCO PROFUNDA Y LA ENERGIA FERMI DE CAPA DE ELECTRODO PARA PERMITIR LA PERFORACION DE TUNEL EN CASCADA POR PORTADORES DE CARGA.
UN METODO PARA FORMAR UN CONTACTO OHMICO.
(16/11/1987). Solicitante/s: SOHIO COMMERCIAL DEVELOPMENT COMPANY, BP PHOTOVOLTAICS LIMITED.
METODO PARA LA FORMACION DE UN CONTACTO OHMICO, CON UNA PELICULA DELGADA DE UN COMPUESTO SEMICONDUCTOR DE TIPO P. COMPRENDE LAS OPERACIONES DE ATACAR QUIMICAMENTE LA SUPERFICIE DE DICHA PELICULA CON UNA SOLUCION ACIDA PARA FORMAR UNA SUPERFICIE RICA EN ELEMENTOS NO METALICOS; DE TRATAR LA SUPERFICIE DE LA PELICULA ATACADA CON ACIDO CON UNA SOLUCION BASICA FUERTE; DE DEPOSITAR SOBRE DICHA SUPERFICIE ATACADA Y TRATADA UNA CAPA METALICA DE COBRE QUE TIENEN UN ESPESOR DE CAPA DE APROXIMADAMENTE 5 D 10C1 NANOMETROS A APROXIMADAMENTE 5 NANOMETROS; Y DE DEPOSITAR SOBRE DICHA CAPA DE COBRE UNA SEGUNDA CAPA DE AL MENOS UN SEGUNDO METAL CONDUCTOR. DE APLICACION EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS DE PELICULA DELGADA.
METODO DE FORMACION DE CONTACTOS OHMICOS.
(16/09/1985). Solicitante/s: MONOSOLAR, INC.
METODO DE FORMACION DE CONTACTOS OHMICOS.COMPRENDE: A) MORDENTAR LA SUPERFICIE DE LA PELICULA CON UNA SOLUCION ACIDA, PARA FORMAR UNA SUPERFICIE RICA EN NO METAL; B) TRATAR LA SUPERFICIE DE LA PELICULA MORDENTADA CON ACIDO CON UNA SOLUCION BASICA; Y C) DEPOSITAR SOBRE LA SUPERFICIE MORDENTADA Y TRATADA, UNA CAPA METALICA CONDUCTORA. LA PELICULA DELGADA ES DE UN COMPUESTO SEMICONDUCTOR TIPO P FORMADO POR UNO DE LOS ELEMENTOS METALICOS DE LA CLASE II B DE LA TABLA PERIODICA DE LOS ELEMENTOS Y UNO DE LOS ELEMENTOS NO METALICOS DE LA CLASE VI A DE LA TABLA PERIODICA DE LOS ELEMENTOS, LA SOLUCION ACIDA ES UNA SOLUCION ACIDA OXIDANTE QUE INCLUYE COMO AGENTE OXIDANTE, UN COMPUESTO DE PEROXIDO O DICROMATO Y COMO ACIDO SO4H2, NO3H Y CLH, LA SOLUCION BASICA FUERTE SE ELIGE ENTRE HIDRACINA O UNA SOLUCION DE HIDROXIDO DE METAL ALCALINO Y EL METAL CONDUCTOR INCLUYE PT, AU, AG Y CU.