CIP-2021 : C01B 33/113 : Oxidos de silicio; Sus hidratos.
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Notas[t] desde C01 hasta C14: QUIMICA
C QUIMICA; METALURGIA.
C01 QUIMICA INORGANICA.
C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B).
C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956).
C01B 33/113 · Oxidos de silicio; Sus hidratos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Materiales de ánodo particulados y procedimientos para su preparación.
(24/07/2019). Solicitante/s: HYDRO-QUEBEC. Inventor/es: ZAGHIB,KARIM, GUERFI,ABDELBAST, LEBLANC,DOMINIC.
Un procedimiento de preparación de un material en partículas que comprende partículas de silicio (Si), un óxido del mismo o una aleación del mismo, comprendiendo el procedimiento:
(a) partículas de molienda en seco de un lingote de silicio (Si), un óxido del mismo o una aleación del mismo para obtener partículas de tamaño micrométrico; y
(b) molienda en húmedo de las partículas micrométricas dispersas en un vehículo disolvente para obtener partículas de tamaño nanométrico que tengan un tamaño entre 10 y 100 nanómetros, opcionalmente se agrega un agente estabilizador durante o después de la molienda en húmedo;
(d) mezclar las partículas de tamaño nanométrico con un precursor de carbono; y
(e) pirolizar la mezcla, formando así una capa de carbono conductor en al menos parte de la superficie de las partículas;
en el que el vehículo disolvente es un alcohol C1-C12.
PDF original: ES-2752132_T3.pdf
Método de producir nanopartículas semiconductoras estables terminadas con oxígeno.
(28/02/2018) Un método de producir nanopartículas semiconductoras inorgánicas que tienen una superficie estable, comprendiendo el método:
proporcionar un material semiconductor a granel inorgánico; y
moler el material semiconductor a granel a una temperatura entre 100ºC y 200ºC en presencia de un agente reductor seleccionado, actuando el agente reductor para reducir químicamente óxidos de uno o más elementos componentes del material semiconductor formado durante el molido, o prevenir la formación de tales óxidos siendo oxidado preferentemente,
para producir mediante ello nanopartículas semiconductoras del material semiconductor a granel inorgánico, teniendo dichas nanopartículas una superficie estable que permite el contacto eléctrico entre las partículas en donde el medio de molido y/o uno o más componentes…
Síntesis de nanopartículas de óxido de silicio utilizando ultrasonidos de alta potencia.
(17/04/2017) Síntesis de nanopartículas de óxido de silicio utilizando ultrasonidos de alta potencia.
La invención consiste en un procedimiento nuevo para sintetizar nanopartículas de óxido de silicio, basado en la aplicación de ultrasonidos de alta potencia, que permite obtener nanopartículas estables, de forma sencilla y económica, reduciendo considerablemente el tiempo de síntesis, empleando tetraetilortosilicato y agua, en medio alcohólico y utilizando amoniaco como catalizador.
Además del procedimiento de síntesis, se describe:
- La aplicabilidad de las nanopartículas sintetizadas, destacando el campo de la biomedicina y la fabricación de nuevos recubrimientos para materiales cerámicos, cuyos tamaños vendrán determinados por las condiciones impuestas según el modelo matemático desarrollado.
- La determinación del efecto e interacciones de los factores…
Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) y capa así preparada.
(27/03/2015) Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) sobre un sustrato, para lo cual se realiza, una vez limpiado el sustrato, una deposición de una capa de SiOx por la técnica de PECVD y otra deposición de SiOx por el método sol-gel. La composición de recubrimiento (sol) utilizada en la etapa sol-gel es preparada a partir de los siguientes componentes: MTES, entre 30 y 50% en peso; TEOS, entre 7% y 12% en peso; N, N' -DMS, entre 11 y 19% en peso; PEG, entre 19 y 31% en peso; agua destilada, entre 7 y 12% en peso y acido ortofosfórico, entre 0,6% y 0,9% en peso. Una vez preparada la composición de recubrimiento, se deposita y se densifica para formar la capa de óxido correspondiente.
DISPOSICION ABSORBEDORA DE HUMEDAD PARA CALZADOS, TEJIDOS Y CUEROS.
(03/12/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: EUSTAQUIO CANTO CANO, S.L.. Inventor/es: CANTO CANO,JOSE.
Disposición absorbedora de humedad para calzados tejidos y cueros.
Se establecen, en aquellas zonas del calzado o confecciones sobre las que se prevé un problema de sudoración, pequeños receptáculos ocupados por gel de sílice configurado en forma de estructura cristalina, presentando canalizaciones que no restringen el flujo de aire a su través. Adicionalmente, los receptáculos citados pueden realizarse de tal manera que su revestimiento interno , o forro, sea de un material que permita el paso del sudor.
NANOPARTICULAS OXIDICAS MODIFICADAS CON INCLUSIONES HIDROFOBAS, METODO DE PRODUCCION Y USO DE DICHAS PARTICULAS.
(16/02/2007). Ver ilustración. Solicitante/s: ROCHE DIAGNOSTICS GMBH FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FIRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. F. HOFFMANN-LA ROCHE AG. Inventor/es: HERRMANN, RUPERT, GEIGER, ALBERT, GRIEBEL, DRAGAN, KUERZINGER, KONRAD.
Proceso sol-gel para producir una partícula de óxido metálico que contenga al menos una molécula diana halogenada, el cual comprende las etapas siguientes a) preparación de una mezcla que contiene la molécula diana y un compuesto metal-alquilalcoxi polihalogenado, b) inicio del proceso sol-gel con el precursor de óxido metálico, c) adición de la solución de a), d) adición opcional del precursor de óxido metálico y e) finalización del proceso sol-gel.
