CIP-2021 : H01S 5/16 : Láseres del tipo de ventanas, p. ej. con una región de material no absorbente entre la región activa y la superficie reflectora (H01S 5/14 tiene prioridad).

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO.

H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00).

H01S 5/16 · · Láseres del tipo de ventanas, p. ej. con una región de material no absorbente entre la región activa y la superficie reflectora (H01S 5/14 tiene prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

MONTAJE DE APARATO OPTICO EN UN DISIPADOR DE CALOR.

(16/02/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Inventor/es: HAMILTON, CRAIG JAMES, MARSH, JOHN HAIG.

Un aparato ópticamente activo que comprende: un cuerpo que tiene una zona activa y una primera zona ópticamente pasiva que se extiende desde un extremo de la zona activa, disponiendo la primera zona ópticamente pasiva de un extremo interior adyacente a la zona activa y de un extremo exterior que define una primera faceta del aparato; y un disipador que se encuentra térmicamente asociado al cuerpo y que co-existe con, por lo menos, parte de la zona activa y con solamente una parte de la primera zona ópticamente pasiva de tal manera que la primera faceta del aparato está suspendida en el disipador.

MEJORAS RELACIONADAS CON DISPOSITIVO LASER DE SEMICONDUCTOR.

(16/07/2005) Dispositivo láser de semiconductor (10, 10a) comprendiendo: Un substrato (80, 80a) que está formado de una primera capa de revestimiento (60, 60a), un núcleo o capa de guía (55, 55a) y una segunda capa de revestimiento (65, 65a), el núcleo o capa de guía (55, 55a) comprendiendo un material de emisión láser activo; un guía de ondas ópticas (15, 15a) que asegura el confinamiento óptico lateral y que se extiende longitudinalmente desde un primer extremo (71, 71a) del dispositivo hasta una posición intermedia (75, 75a) entre la primera extremidad (71, 71a) y la segunda extremidad (76, 76a) del dispositivo (10, 10a); una zona ópticamente activa (40, 40a) dispuesta en el núcleo o capa de guía (55, 55a) debajo y/o dentro del guía de ondas ópticas…

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